7/Hemin修饰电极。
[0092]2、上述(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极对过氧化氢的检测方法，包括以下步骤:
[0093]将(PANI/RGO) 7/Hemin修饰电极置于pH值7.0的磷酸氢二钠和磷酸二氢钠缓冲液中，通氮气15min,依次加入浓度为0.1 μ M的过氧化氣3次、0.2μΜ的过氧化氣3次、0.5 μ M的过氧化氣5次、1.0 μ M的过氧化氣3次,使用电流一时间曲线法,设定施加电位为-0.15V，检测(PANI/RG0)7/Hemin修饰电极对过氧化氢的电化学响应。
[0094]实施例6
[0095]1、本发明(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极，所述的修饰电极以玻碳电极为基底，由聚苯胺(PANI)、电化学还原的氧化石墨烯(RGO)和氯化高铁血红素(Hemin)层层自组装，通过下述步骤制备而成:
[0096]步骤1，将玻碳电极先后在粒径为0.1 μ m和0.03 μ m的氧化铝粉末上研磨至光滑，依次在蒸馏水和丙酮中超声干净；
[0097]步骤2，将玻碳电极浸在0.5M H2SO4溶液中经循环伏安法(电位窗口为-0.3?0.6V)反复扫描4圈，取出后用蒸馏水冲洗，并用氮气干燥；
[0098]步骤3，将步骤2所得电极在2.0mgmL 1PANI溶液中浸泡15min，取出后用pH值3.0的HCl溶液冲洗，并用氮气干燥；
[0099]步骤4，将步骤3所得电极在1.0mgmL 1GO分散液中浸泡15min，取出后用蒸馏水冲洗，并用氮气干燥；
[0100]步骤5，将步骤3?步骤4循环处理6次；
[0101]步骤6，将步骤5所得电极浸在0.5M H2SO4溶液中经循环伏安法(电位窗口为O?-1.0V)反复扫描4圈，取出后用蒸馏水冲洗，并用氮气干燥；
[0102]步骤7,将5 μ L 1.0mgmL 1Hemin溶液(pH值7.4)滴至步骤6所得电极表面,并在干燥器中干燥，制得(PANI/RG0)7/Hemin修饰电极。
[0103]2、上述(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极对过氧化氢的检测方法，包括以下步骤:
[0104]将(PANI/RG0)7/Hemin修饰电极置于pH值7.0的磷酸氢二钠和磷酸二氢钠缓冲液中，通氮气15min,依次加入浓度为0.1 μ M的过氧化氣3次、0.2 μ M的过氧化氣3次、0.5μΜ的过氧化氢5次、1.0 μ M的过氧化氢3次，使用电流一时间曲线法，设定施加电位为-0.3V，检测(PANI/RG0)7/Hemin修饰电极对过氧化氢的电化学响应。
[0105]如图5(a)所示，加入过氧化氢后，电流-时间曲线上立即出现水平稳定的响应台阶，随着浓度的增加台阶也相应变高。如图5(b)所示，在0.1-6.4μ M范围内，过氧化氢还原峰电流和浓度成线性关系。
[0106]实施例7
[0107]1、本发明(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极，所述的修饰电极以玻碳电极为基底，由聚苯胺(PANI)、电化学还原的氧化石墨烯(RGO)和氯化高铁血红素(Hemin)层层自组装，通过下述步骤制备而成:
[0108]步骤I，将玻碳电极先后在粒径为0.1 μ m和0.03 μ m的氧化铝粉末上研磨至光滑，依次在蒸馏水和丙酮中超声干净；
[0109]步骤2，将玻碳电极浸在0.5M H2SO4溶液中经循环伏安法(电位窗口为-0.3?0.6V)反复扫描4圈，取出后用蒸馏水冲洗，并用氮气干燥；
[0110]步骤3，将步骤2所得电极在2.0mgmL 1PANI溶液中浸泡15min，取出后用pH值3.0的HCl溶液冲洗，并用氮气干燥；
[0111]步骤4，将步骤3所得电极在1.0mgmL 1GO分散液中浸泡15min，取出后用蒸馏水冲洗，并用氮气干燥；
[0112]步骤5，将步骤3?步骤4循环处理6次；
[0113]步骤6，将步骤5所得电极浸在0.5M H2SO4溶液中经循环伏安法(电位窗口为O?-1.0V)反复扫描4圈，取出后用蒸馏水冲洗，并用氮气干燥；
[0114]步骤7,将5 μ L 1.0mgmL 1Hemin溶液(pH值7.4)滴至步骤6所得电极表面,并在干燥器中干燥，制得(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极。
[0115]2、上述(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极对过氧化氢的检测方法，包括以下步骤:
[0116]将(PANI/RGO) 7/Hemin修饰电极置于pH值7.0的磷酸氢二钠和磷酸二氢钠缓冲液中，通氮气20min，依次加入干扰物质过氧化氢、葡萄糖、邻苯二酚、双酚A、对乙酰氨基酚、尿酸、抗坏血酸和过氧化氢，使用电流-时间曲线法，设定施加电位-0.4V,检测修饰电极对各个干扰物质的响应。
[0117]如图6所示，在一定浓度范围内，(PANI/RGO) 7/Hemin修饰电极对上述常见干扰物质均无明显响应，表明修饰电极检测过氧化氢具有很好的选择性。
【主权项】
1.一种(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极，其特征在于:所述的修饰电极以玻碳电极为基底，由聚苯胺PAN1、电化学还原的氧化石墨烯RGO和氯化高铁血红素Hemin层层自组装，通过下述步骤制备而成: 步骤1，将玻碳电极先后在粒径为0.1 μ m和0.03 μ m的氧化铝粉末上研磨至光滑，依次在蒸馏水和丙酮中超声干净； 步骤2，将玻碳电极浸在H2SO4溶液中经循环伏安法扫描，取出后用蒸馏水冲洗，并用氮气干燥； 步骤3，将步骤2所得电极在PANI溶液中浸泡，取出后用HCl溶液冲洗，并用氮气干燥； 步骤4，将步骤3所得电极在GO分散液中浸泡，取出后用蒸馏水冲洗，并用氮气干燥； 步骤5，将步骤3?步骤4循环处理I?10次； 步骤6，将步骤5所得电极浸在H2SO4溶液中经循环伏安法反复扫描，取出后用蒸馏水冲洗，并用氮气干燥； 步骤7，将Hemin溶液滴至步骤6所得电极表面，并在干燥器中干燥，制得(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极。2.根据权利要求1所述的(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极，其特征在于:步骤2中所述H2SO4溶液浓度为0.5M?2.0M，循环伏安法的电位窗口为-0.3V?0.6V、扫描圈数为3?10圈。3.根据权利要求1所述的(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极，其特征在于:步骤3中所述PANI溶度浓度为0.5mgmL 1?2mgmL \浸泡时间为10?30min, HCl溶液的pH值为1.0?4.0。4.根据权利要求1所述的(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极，其特征在于:步骤4中所述GO分散液浓度为0.5mgmL 1?2.0mgmL \浸泡时间10?30min。5.根据权利要求1所述的(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极，其特征在于:步骤6所述H2SO4溶液浓度为0.5M?2.0M，循环伏安法的电位窗口为OV?-1.0V、扫描圈数为3?10圈。6.根据权利要求1所述的(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极，其特征在于:步骤7所述Hemin溶液浓度为0.5mgml 1?2.0mgml 1, pH值为6.8?8.0, Hemin溶液的滴加量为2?8 μ L07.一种基于权利要求1所述(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极对过氧化氢的检测方法，其特征在于，包括以下步骤: 将(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极置于pH值7.0的缓冲液中，通氮气10?20min，连续加入过氧化氢，使用电流一时间曲线法，设定施加电位为-0.15V?-0.4V，检测(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极对过氧化氢<的电化学响应。8.根据权利要求7所述的(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极对过氧化氢的检测方法，其特征在于:所述缓冲液为磷酸氢二钠和磷酸二氢钠。9.根据权利要求7所述的(PANI/RG0)n/Hemin修饰电极对过氧化氢的检测方法，其特征在于:所述过氧化氢的浓度范围为0.1?6.4 μ M。
【专利摘要】本发明公开了一种(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极及其对过氧化氢的电化学检测方法。所述的修饰电极制备步骤如下：将玻碳电极在氧化铝粉末上研磨至光滑，依次在蒸馏水和丙酮中超声干净；将玻碳电极浸在H2SO4溶液中经循环伏安法扫描，取出后用蒸馏水冲洗，并用氮气干燥；将所得电极首先在PANI溶液中浸泡，取出后用HCl溶液冲洗并用氮气干燥，然后再在GO分散液中浸泡，取出后用蒸馏水冲洗并用氮气干燥，如此循环处理1～10次；将所得电极浸在H2SO4溶液中经循环伏安法反复扫描，取出后用蒸馏水冲洗，并用氮气干燥；将Hemin溶液滴至所得电极表面，并在干燥器中干燥，制得(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极，本发明修饰电极检测过氧化氢具有灵敏度高、操作简单、电极制备简单、稳定性和重复性好等优点。
【IPC分类】G01N27/30, G01N27/26
【公开号】CN105572188
【申请号】CN201410552642
【发明人】雷武, 吴礼华, 郝青丽
【申请人】南京理工大学
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年10月17日