一种专用于晶片的微米级精度测量仪器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及晶片测量工具领域，具体涉及一种专用于晶片的微米级精度测量仪器。
【背景技术】
[0002]千分尺又称螺旋测微器，其测量精度可准确到0.01mm，可满足绝大多数产品的测量精度需求，但是对晶片外形进行测量时，一般的千分尺测量精度不够，需要得到更精确的尺寸，尤其是在对单片薄的晶片进行高精度测量时，一般的千分尺在夹紧的过程中容易发生晶片夹碎的现象，从而发生无法测量的现象，提高生产成本，加强测量难度，在测量圆形晶片时，测量更加困难。
【发明内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种专用于晶片的微米级精度测量仪器，有效的解决了现有技术问题，能够对晶片的测量精度达到0.001mm，对批量薄片型晶片进行快速有效的分档，测量精确、工作效率高。
[0004]为解决上述现有的技术问题，本实用新型采用如下方案:一种专用于晶片的微米级精度测量仪器，包括基座、设在基座左端的千分表、设在基座右端与千分表配合进行测量的千分尺，所述千分尺与千分表的顶针轴线平行，所述基座上设有一个用于放置晶片的基准面，所述基准面上设有3个平行设置的凹槽，所述两个相邻的凹槽组成一个与晶片接触的基准架，所要测量的晶片底面与基准架接触。
[0005]作为优选，所述基座与千分表和千分尺之间均设有一个安装座，所述安装座与基座之间采用螺杆连接，当测量距离不够时，只需更换安装座就能实现不同距离的测量，通过螺杆连接的方式，使更换时更加方便。
[0006]作为优选，所述千分表的顶端设有一个与晶片接触的圆台，在对晶片进行测量时，圆台面的接触面积更大，在测量薄片型晶片时比顶针的测量更加方便，对圆形的晶片测量精度更好。
[0007]有益效果:
[0008]本实用新型采用上述技术方案提供一种专用于晶片的微米级精度测量仪器，在对薄片型晶片进行长度测量时，通过千分尺好千分表的组合测量，能够将测量精度达到0.001_，通过本测量工具还能对同一批次的晶片进行分档，时晶片分类更加简便，千分尺与千分表的顶针轴线平行，并且劲量位于同一轴线上，能够对晶片进行测量时测量精度更加准确，当晶片放置到基准面上时，通过去除材料的方式加工成的3个凹槽，能够有效的减少晶片底部与基准面的接触面积，使晶片在测量时精度更高，而且晶片在与基准面进行接触的过程中，晶片底部只与两个基准架的表面接触，在得到更好的测量精度的同时，更方便对晶片的安放与提取，而现有的测量仪器也有一些类似千分尺和千分表进行组合而成的测量工具，但现有的测量工具则由于没有基准面可以靠，很难对圆形的薄片型晶片进行直径的精确测量，而本结构则有效的解决了现有技术问题和技术缺陷，能够对晶片的测量精度达到0.001mm，对批量薄片型晶片进行快速有效的分档，测量精确、工作效率高。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的主视图；
[0010]图2为本实用新型的俯视图。
【具体实施方式】
[0011]如图1和图2所示，一种专用于晶片的微米级精度测量仪器，包括基座5、设在基座5左端的千分表1、设在基座5右端与千分表I配合进行测量的千分尺8，所述千分尺8与千分表I的顶针轴线平行，所述基座5上设有一个用于放置晶片的基准面7，所述基准面7上设有3个平行设置的凹槽4，所述两个相邻的凹槽4组成一个与晶片接触的基准架6，所要测量的晶片底面与基准架6接触；所述基座5与千分表I和千分尺8之间均设有一个安装座2，所述安装座2与基座5之间采用螺杆连接；所述千分表I的顶端设有一个与晶片接触的圆台3。
[0012]实际工作时，根据需要测量的晶片大小选取合适的基座5，在基座5的长度选取时，分为20mm、45mm、70mm这三类，从而达到测量全尺寸的覆盖，将晶片放置到基准面7上的两根基准架6上，调整千分尺8，千分尺8螺旋旋转时触晶片后千分表I就会相应走动，当千分表I走到O的时候，看千分尺8的读书就是测量的值，当需要对同一批次的晶片进行分档处理时，先核对标准件，将千分尺8进行固定，千分表I的刻度调整为0，看千分表I的数值是偏O则归为O档，尺寸偏正5um就是正5um，以此类推，就能实现快速的分档，工作效率更好，有效的解决了现有技术问题，能够对晶片的测量精度达到0.001mm，对批量薄片型晶片进行快速有效的分档，测量精确、工作效率高。
[0013]本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
【主权项】
1.一种专用于晶片的微米级精度测量仪器，其特征在于:包括基座(5)、设在基座(5)左端的千分表(I)、设在基座(5)右端与千分表(I)配合进行测量的千分尺(8)，所述千分尺(8)与千分表(I)的顶针轴线平行，所述基座(5)上设有一个用于放置晶片的基准面(7)，所述基准面(7)上设有3个平行设置的凹槽(4)，所述两个相邻的凹槽(4)组成一个与晶片接触的基准架(6)，所要测量的晶片底面与基准架(6)接触。2.根据权利要求1所述的一种专用于晶片的微米级精度测量仪器，其特征在于:所述基座(5)与千分表(I)和千分尺(8)之间均设有一个安装座(2)，所述安装座(2)与基座(5)之间采用螺杆连接。3.根据权利要求1所述的一种专用于晶片的微米级精度测量仪器，其特征在于:所述千分表(I)的顶端设有一个与晶片接触的圆台(3)。
【专利摘要】本实用新型提供一种专用于晶片的微米级精度测量仪器，包括基座、设在基座左端的千分表、设在基座右端与千分表配合进行测量的千分尺，所述千分尺与千分表的顶针轴线平行，所述基座上设有一个用于放置晶片的基准面，所述基准面上设有3个平行设置的凹槽，所述两个相邻的凹槽组成一个与晶片接触的基准架，所要测量的晶片底面与基准架接触。有效的解决了现有技术问题，能够对晶片的测量精度达到0.001mm，对批量薄片型晶片进行快速有效的分档，测量精确、工作效率高。
【IPC分类】G01B21/00, G01B21/02, G01B21/10
【公开号】CN204881578
【申请号】CN201520500904
【发明人】陈时兴, 舒靖文, 宋衡, 陈林
【申请人】嘉兴百盛光电有限公司, 嘉兴海盛电子有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年7月10日