专利名称：多磁路式控制恒流源的制作方法
技术领域：
本实用新型属于数字式电源装置，特别是涉及一种多磁路式控制恒流源。
背景技术：
在目前公知的当我们需要大电流的稳流时，比如几千至几万安培时，单独用可控硅控制就会增加短路的危险。
实用新型内容本实用新型为解决公知技术中存在的技术问题而提供一种在需要大电流稳流时具有正弦波非常好的多磁路式控制恒流源。
本实用新型为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是在多磁路变压器初级线圈中包括有一个作为多磁路变压器一个磁路的数字式调压器；所述的数字式调压器的次级线圈是由分别各串联一对可控硅的6-12组线圈和一个补偿所述的6-12组线圈的可控硅管压降的可控硅管压降线圈组合而成，分别串联了一对可控硅的6-12组线圈与所述的可控硅管压降线圈彼此串接一起；所述的控制磁路线圈通断的继电器或接触器的常开触点与控制所述继电器或接触器线圈动作的可控硅相连；另有一控制数字式调压器6-12组线圈的可控硅通断和所述的控制所述继电器或接触器线圈动作的可控硅通断的单片机。
本实用新型还可以采用如下技术措施所述的数字式调压器的次级线圈是由分别各串联一对可控硅的7-10组线圈和一个可控硅的管压降线圈组合而成。
本实用新型具有的优点和积极效果是大电流的正弦波非常好。
图1是本实用新型的电路原理图之一；图2是本实用新型的电路原理图之二。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的发明内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下
请参阅图1，数字式调压器的变压器T1的初级线圈的电压为220伏，T1的次级线圈128L、64L、32L、16L、8L、4L、2L、1L和0L的电压分别为128伏、64伏、32伏、16伏、8伏、4伏、2伏、1伏和8伏。在128L线圈回路中串接可控硅Q01、Q02；在64L线圈回路中串接可控硅Q03、Q04；依次类推在32L、16L、8L、4L、2L、1L线圈回路中分别串接可控硅Q05、Q06；Q07、Q08；Q09、Q10；Q11、Q12；Q13、Q14；Q15、Q16。分别串接可控硅Q01、Q02；Q03、Q04；Q05、Q06；Q07、Q08；Q09、Q10；Q11、Q12；Q13、Q14；Q15、Q16的次级线圈回路128L、64L、32L、16L、8L、4L、2L、1L彼此串接再和0L线圈串接后，与多磁路变压器T2的一个磁路的初级线圈相连。多磁路变压器T2还有与接触器J2、J4、J6的常开触点并接与接触器J1、J3、J5的常开触点串接的三个磁路的初级线圈。多磁路变压器T2的次级线圈作为恒流源与负载R串接。
如图2所示，40个管脚单片机PIC16F877A的22个I/O口，RC0-RC7、RD0-RD7、RB1-RB6分别控制22个光藕U01-U22的通断，光藕U01-U22的通断又控制着22个可控硅Q01-Q22的触发回路，来触发可控硅Q01-Q22的通断。当单片机PIC16F877A的I/O口RC0-RC7、RD0-RD7、RB1-RB6输出高电平时，光藕U01-U22导通则可控硅Q01-Q22触发回路通电，使可控硅Q01-Q22导通；当I/O口RC0-RC7、RD0-RD7、RB1-RB6输出低电平时，光藕U01-U22截止，可控硅Q01-Q22触发回路断开，可控硅Q01-Q22则断开。
单片机PIC16F877A是用一个变压整流电源电路供电。
数字式调压器根据所需求的电压，利用单片机控制16个可控硅的通断，用电压计算公式U2＝U1*I设*32/I总(I总是32次采样电流值的和；I设是所需的稳流值)组合所需电压。如通过以上公式计算出的U2电压值为100V，那末就需Q02、Q03、Q05、Q08、Q10、Q11、Q14、Q16八个可控硅对应的单片机的I/O口为高电平，(即Q03、Q05、Q11三个可控硅导通代表64V、32V、4V三个线圈导通，相加是100V.Q02，Q08，Q10，Q14，Q16五个可控硅导通代表128V，16，8V，2V，1V五个线圈不导通，依此类推16个可控硅每次触发必定是8个导通8个截止。)其余八个可控硅控制端对应的单片机的I/O口为低电平。
当回路电流大于数字式调压器最大能达到的电流时，根据超过电流的大小，通过单片机软件编程，有选择的触发六个可控硅Q17-Q22，从而有选择的接通可控硅控制的接触器J1-J6的线圈，最终接通一个或几个多磁路变压器的磁路，以达到我们所需电流。
数字式调压器的次级线圈我们也可采用是由6组线圈加上一个补偿此6组可控硅管压降的可控硅管压降线圈组合而成，即变压器T1的次级线圈为32L、16L、8L、4L、2L、1L和0L它们的电压分别为32伏、16伏、8伏、4伏、2伏、1伏和6伏，再在32L、16L、8L、4L、2L、1L线圈回路中分别串接可控硅；或采用数字式调压器的次级线圈是由12组线圈加上一个补偿此12组可控硅管压降的可控硅管压降线圈组合而成，即变压器T1的次级线圈为2048L、1024L、512L、256L、128L、64L、32L、16L、8L、4L、2L、1L和0L它们的电压分别为2048伏、1024伏、512伏、256伏、128伏、64伏、32伏、16伏、8伏、4伏、2伏、1伏和12伏，再在2048L、1024L、512L、256L、128L、64L、32L、16L、8L、4L、2L、1L线圈回路中分别串接可控硅，再彼此串接再和0L线圈串接；此后与多磁路变压器T2的初级相连。多磁路变压器T2还有可与接触器J2、J4、J6的常开触点并接与接触器J1、J3、J5的常开触点串接的三个磁路的初级线圈。多磁路变压器T2的次级线圈作为恒流源与负载R串接。
此时单片机的18个或30个I/O口，分别控制18个或30个光藕的通断，18或30个光藕的通断又控制着18个或30个可控硅的触发回路，来触发18个或30个可控硅的通断。同样当单片机的I/O口输出高电平时，光藕导通则可控硅触发回路通电，使可控硅导通；当I/O口输出低电平时，光藕截止，可控硅触发回路断开，可控硅则断开。
单片机也可选用其他的能达到本发明控制目的的任何一种型号。例如PIC18F242、PIC16F874等PIC系列和51系列单片机等等。
权利要求1.一种多磁路式控制恒流源，它包括有多磁路变压器，在所述的多磁路变压器中包括有原端的磁路线圈和控制磁路线圈通断的继电器，其特征是在多磁路变压器初级线圈中包括有一个作为多磁路变压器一个磁路的数字式调压器；所述的数字式调压器的次级线圈是由分别各串联一对可控硅的6-12组线圈和一个补偿所述的6-12组线圈的可控硅管压降的可控硅管压降线圈组合而成，分别串联了一对可控硅的6-12组线圈与所述的可控硅管压降线圈彼此串接一起；所述的控制磁路线圈通断的继电器或接触器的常开触点与控制所述继电器或接触器线圈动作的可控硅相连；另有一控制数字式调压器6-12组线圈的可控硅通断和所述的控制所述继电器或接触器线圈动作的可控硅通断的单片机。
2.根据权利要求1所述的多磁路式控制恒流源，其特征在于所述的数字式调压器的次级线圈是由分别各串联一对可控硅的7-10组线圈和一个可控硅的管压降线圈组合而成。
专利摘要本实用新型涉及一种多磁路式控制恒流源。在多磁路变压器初级线圈中包括有一个作为多磁路变压器一个磁路的数字式调压器；所述的数字式调压器的次级线圈是由分别各串联一对可控硅的6－12组线圈和一个补偿所述的6－12组线圈的可控硅管压降的可控硅管压降线圈组合而成，分别串联了一对可控硅的6－12组线圈与所述的可控硅管压降线圈彼此串接一起；所述的控制磁路线圈通断的继电器或接触器常开触点与控制所述继电器或接触器线圈动作的可控硅相连；另有一控制数字式调压器6－12组线圈的可控硅通断和所述的控制所述继电器或接触器动作的可控硅通断的单片机。本实用新型在需要大电流稳流时具有非常好的正弦波。
文档编号G05F1/20GK2785011SQ200520025649
公开日2006年5月31日 申请日期2005年4月21日 优先权日2005年4月21日
发明者王铁镰, 李娟 , 陈军, 徐卫生 申请人:天津市百利电气有限公司