机动车一键启动系统的制作方法

文档序号:6269489阅读:473来源:国知局
专利名称:机动车一键启动系统的制作方法
技术领域
机动车一键启动系统技术领域[0001]本实用新型属于汽车电子领域,尤其涉及一种机动车一键启动系统。
背景技术
[0002]机动车一键启动系统是现代汽车电子及工业电子领域的一部分,通常包括遥控发射器和启动开关控制器,佩戴该遥控发射器的人只要轻轻按下一键启动系统的启动开关键即可实现启动熄火,避免了丢钥匙、找钥匙的烦恼。[0003]在上述一键启动系统中,启动开关控制器的芯片电源电压经常为较高数值,因此芯片内部器件需要高压工艺以避免被外部电源高压击穿,但是在需要大规模电路集成以进行信号处理时,高压器件却因为所占面积较大、器件性能较差而不具有应用优势,而是以低压工艺器件作为优先考虑,因此需要一种高低压转换电路以产生低压器件所需的内建电源电压,同时在适当设计时,该电压值也可作为基准电压源为系统提供电压基准。[0004]传统的高低压转换电路经常采用LDO电路结构,如图I所示,包括基准电压产生电路、LDO电路及外接稳压电容Cl,LDO反馈环路主极点设置在Vcc输出端,次主极点设置在运算放大器输出端。为了抵抗外部较高电源电压,基准电压产生电路、LDO电路需要用高压器件设计,因此电路规模、所用面积及功耗往往较大,并且芯片外接稳压电容Cl提高了系统成本。实用新型内容[0005]有鉴于此,本实用新型目的在于提供一种机动车一键启动系统,以解决现有技术中系统电路规模大、功耗高及成本大的缺点。[0006]为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案[0007]—种机动车一键启动系统,包括遥控发射器和启动开关控制器,其中,所述启动开关控制器包括高低压转换电路;[0008]所述高低压转换电路包括运算放大器、NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、 第四电阻、第五电阻、第一 PNP三极管、第二 PNP三极管、第一电容和第二电容,其中,[0009]所述运算放大器的输出端分别与所述NMOS管的栅极和所述第二电容的第一端连接,所述第二电容的第二端接地;[0010]所述运算放大器的电源端和NMOS管的漏极分别连接外部电源电压VDDA,所述运算放大器的地端和NMOS管的衬底接地;[0011]所述NMOS管的源极分别与所述第四电阻、第五电阻和第一电容的第一端连接,并作为所述高低压转换电路的输出端,所述第一电容的第二端接地;[0012]所述运算放大器的正输入端分别与所述第四电阻的第二端、所述第二电阻的第一端以及所述第一 PNP三极管的发射极连接,所述第二电阻的第二端接地,所述第一 PNP三极管的基极与自身集电极连接并且接地;[0013]所述运算放大器的负输入端分别与所述第五电阻的第二端、所述第一电阻的第一端以及所述第三电阻的第一端连接,所述第三电阻的第二端接地;[0014]所述第一电阻的第二端与所述第二 PNP三极管的发射极连接,所述第二 PNP三极管的基极与自身集电极连接并且接地。[0015]优选的,在上述机动车一键启动系统中,所述高低压转换电路的主极点设置在所述运算放大器的输出端,次主极点设置在所述第一电容的第一端。[0016]优选的,在上述机动车一键启动系统中,所述高低压转换电路的主极点设置在所述第一电容的第一端,次主极点设置在所述运算放大器的输出端,所述第二电容的值设置为零。[0017]优选的,在上述机动车一键启动系统中,所述第二 PNP三极管由N个参数与所述第一 PNP三极管相同的PNP三极管并联组成,其中,N为自然数,并且N彡2。[0018]优选的,在上述机动车一键启动系统中,所述第四电阻与第五电阻的阻值相等,所述第二电阻与第三电阻的阻值相等。[0019]优选的,在上述机动车一键启动系统中,所述运算放大器和NMOS管均采用高压器件。[0020]由以上本申请实施例提供的技术方案可见,本实用新型机动车一键启动系统的启动开关控制器的芯片电路内,无需外接电容,并且不需要全部采用高压器件,因此整个电路规模较小,所以能耗较低,并且结构简单。


[0021]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。[0022]图I是现有技术中的高低压转换电路的结构示意图;[0023]图2是本实用新型的机动车一键启动系统的结构示意图;[0024]图3是本实用新型的机动车一键启动系统中启动开关控制器内的高低压转换电路的整体电路结构不意图;[0025]图4是图3所示电路的低压电源电压或基准电压源VCC随温度变化的Tcm曲线图。
具体实施方式
[0026]为了引用和清楚起见,下文中使用的简写或缩写总结如下[0027]NMOS N-Mental-0xide-Semiconductor,金属-氧化物-半导体;[0028]OPA !operational amplifier,运算放大器。[0029]下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。[0030]首先参考图2,图2是本实用新型的机动车一键启动系统的结构示意图。如图所示,所述系统包括启动开关控制器I和遥控发射器2,其中,启动开关控制器I包括高低压转换电路11。需要说明的是,有关启动开关控制器和遥控发射器内的其他模块或单元,并未在图中示出。[0031]图3示出了本实用新型机动车一键启动系统中启动开关控制器内的高低压转换电路的整体电路结构示意图。如图3所示,本实用新型的高低压转换电路包括运算放大器 OPA、NMOS管匪I、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一 PNP三极管Ql、第二 PNP三极管Q2、第一电容Cl和第二电容C2。其中,[0032]OPA的输出端分别与匪I的栅极和C2的第一端连接,C2的第二端接地;0ΡΑ的电源端和匪I的漏极分别连接外部电源电压VDDA,0PA的地端和匪I的衬底接地;匪1的源极分别与R4、R5和Cl的第一端连接,并作为所述高低压转换电路的输出端VCC,Cl的第二端接地;0ΡΑ的正输入端分别与R4的第二端、R2的第一端以及Ql的发射极连接,R2的第二端接地,Ql的基极与自身集电极连接并且接地;0ΡΑ的负输入端分别与R5的第二端、Rl的第一端以及R3的第一端连接,R3的第二端接地;R1的第二端与Q2的发射极连接,Q2的基极与自身集电极连接并且接地。[0033]进一步地,由于所述OPA和匪I直接和外部电源电压VDDA连接,所以OPA和匪I 均采用高压器件,用于抵抗外部高电压,避免器件被击穿。Cl用作稳压电容,C2用作补偿电容,并且Q2是由至少N个(N彡2,N属自然数)参数与Ql相同的PNP三极管并联组成,具体的数目可以根据实际情况而定,此处不再赘述。[0034]由以上本申请实施例提供的技术方案可见,与现有技术中的电路相比,本实用新型机动车一键启动系统中启动开关控制器内的的高低压转换电路无需外接电容,并且不需要全部采用高压器件,因此整个电路规模较小,所以能耗较低,并且结构简单。[0035]接下来详细阐述所述高低压转换电路的工作原理。[0036]首先,将电阻值设置为R4=R5,R2=R3。当电路上电正常工作时,OPA通过调整输出电压对匪I电流进行控制,使OPA正负输入端电压接近相等,同时R4、R5的第一端连接, 因此流过电阻1 2、1 3、1 4、1 5、三极管01、02的电流具有如下关系IR2=IR3,IR4=IR5,同时 IQ1=IQ2。因此 Rl 上的压降为 dVbe=Vbel-Vbe2=(KT/q)*ln(n),流过 Rl 的电流为 IRl= (KT/ q)*ln(n)/Rl,流过 R3 的电流为 IR3=Vbel/R3,因此流过 R5 的电流 IR5=IR1+IR3= (KT/ q)*ln(n)/Rl+Vbel/R3,所以VCC的电压值表达式为[0037]( (KT/q)*ln(n)/Rl+Vbel/R3) *R5+Vbel=VCC(I)[0038]其中,根据应用的情况,VCC既可以用作内部电源电压,也可以用作电路系统的基准电压。当VCC用作基准电压时,由于不需要驱动能力,所以不需要把NMl的器件宽长比设置的很大;当VCC用作内部电源电压时,则可以把匪I的器件宽长比设置的较大一些。[0039]在本实用新型的一种实施方式中,为了降低VCC在温度范围内的电压变化率,使 VCC在常温时电压变化率随温度变化为0,首先,对公式(I)求导为[0040](K/q)*ln(n)*R5/Rl+ (Vbel/T) * (R5/R3+1) =VCC/T I T=27°C =0 (2)[0041]因为Vbel/T约为-I. 5mV/K (根据工艺不同会有所不同),(K/q)约为O. 087mV/K。 将公式(I)、公式(2)组成方程组,VCC为所设置的内部电源电压值或者基准电压值,通过方程组可以解出电阻Rl R3 R5的比值,并根据系统功耗要求对电阻R1、R3、R5阻值进行设置,由此,可以降低VCC在温度范围内的电压变化率。图4即为VCC随温度变化的Tcm曲线图,从图中可以看出,本实用新型的高低压转换电路,在_40°C -125°C的范围内,VCC的值并没有出现剧烈的变化,电压变化率得到了很好地降低。而且,不论VCC用作内部电源电压还是电路系统的基准电压,其温漂都较小。[0042]在本实用新型的一种实施方式中,对于负载电路规模较小的情况,可以将本实用新型高低压转换电路的主极点设置在OPA输出端,C2为补偿电容,次主极点设置在VCC处, Cl为稳压电容。而对于负载电路规模较大的情况,可以将本实用新型高低压转换电路的主极点设置在VCC处,Cl为电容值较大的稳压电容,次主极点设置在OPA输出端,并将C2的电容值设置为零。[0043]综上所述,本实用新型机动车一键启动系统的启动开关控制器内的高低压转换电路与图I所示的现有技术相比,无需外接电容,电路模块及器件规模较少,并且不需要全部采用高压器件,因此整个电路规具有低功耗、低面积、结构简洁的特点。另外因VCC符合公式(2),那么通过合理地设置电阻Rl、R3、R5的阻值,可以降低VCC在温度范围内的电压变化率,温度系数较低。[0044]需要说明的是,上述实施例仅仅是本申请的优选实施例,并不造成对本申请的公开和保护范围的限制。[0045]对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
权利要求1.一种机动车一键启动系统,包括遥控发射器和启动开关控制器,其特征在于,所述启动开关控制器包括高低压转换电路;所述高低压转换电路包括运算放大器、NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一 PNP三极管、第二 PNP三极管、第一电容和第二电容,其中,所述运算放大器的输出端分别与所述NMOS管的栅极和所述第二电容的第一端连接, 所述第二电容的第二端接地;所述运算放大器的电源端和所述NMOS管的漏极分别连接外部电源电压VDDA,所述运算放大器的地端和所述NMOS管的衬底接地;所述NMOS管的源极分别与所述第四电阻、第五电阻和第一电容的第一端连接,并作为所述高低压转换电路的输出端,所述第一电容的第二端接地;所述运算放大器的正输入端分别与所述第四电阻的第二端、所述第二电阻的第一端以及所述第一 PNP三极管的发射极连接,所述第二电阻的第二端接地,所述第一 PNP三极管的基极与自身集电极连接并且接地;所述运算放大器的负输入端分别与所述第五电阻的第二端、所述第一电阻的第一端以及所述第三电阻的第一端连接,所述第三电阻的第二端接地;所述第一电阻的第二端与所述第二 PNP三极管的发射极连接,所述第二 PNP三极管的基极与自身集电极连接并且接地。
2.如权利要求I所述的系统,其特征在于,所述高低压转换电路的主极点设置在所述运算放大器的输出端,次主极点设置在所述第一电容的第一端。
3.如权利要求I所述的系统,其特征在于,所述高低压转换电路的主极点设置在所述第一电容的第一端,次主极点设置在所述运算放大器的输出端,所述第二电容的值设置为零。
4.如权利要求I所述的系统,其特征在于,所述第二PNP三极管由N个参数与所述第一 PNP三极管相同的PNP三极管并联组成,其中,N为自然数,并且 N彡2。
5.如权利要求I所述的系统,其特征在于,所述第四电阻与第五电阻的阻值相等,所述第二电阻与第三电阻的阻值相等。
6.如权利要求I所述的系统,其特征在于,所述运算放大器和NMOS管均采用高压器件。
专利摘要本实用新型提供了一种机动车一键启动系统,包括遥控发射器和启动开关控制器,所述启动开关控制器包括高低压转换电路,所述高低压转换电路包括运算放大器、NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一PNP三极管、第二PNP三极管、第一电容和第二电容,其中,运算放大器和NMOS管均采用高压器件。本实用新型的机动车一键启动系统中启动开关控制器内的高低压转换电路无需外接电容,电路模块及器件规模较少,并且不需要全部采用高压器件,因此整个系统具有低功耗、低面积、结构简洁的特点,而且温度系数较低。
文档编号G05F3/24GK202748692SQ201220380390
公开日2013年2月20日 申请日期2012年8月2日 优先权日2012年8月2日
发明者吉英存 申请人:北京经纬恒润科技有限公司
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