技术总结
本发明公开了一种具有迟滞功能的低阈值使能电路，利用PTAT基准电流源产生一个受工艺和电源电压影响较小的基准电压，用于迟滞比较器的比较基准，从而实现了使能电路的低阈值和迟滞功能，解决了现有使能电路存在无法满足部分芯片的低阈值要求以及在NMOS管的阈值电压附近存在振荡风险的问题。
技术研发人员：廖建平;林桂江;陈跃鸿;杨瑞聪;任连峰;杨凤炳;吴丹;沈滨旭
受保护的技术使用者：厦门新页微电子技术有限公司
文档号码：201610956642
技术研发日：2016.10.27
技术公布日：2017.01.25