传感装置的制作方法

技术特征：

1.一种传感装置，其特征在于，包括：

一电荷泵，用以提供一泵浦电压；

一微机电传感器，电性连接该电荷泵，该微机电传感器用以依据环境变化产生一输入电压；

一源极跟随器，电性连接该微机电传感器，该源极跟随器用以依据该泵浦电压产生一跟随参考电压，该源极跟随器用以依据该输入电压产生一跟随输入电压；以及

一可程序化增益放大器，该可程序化增益放大器的输入端电性连接该源极跟随器，该可程序化增益放大器依据该跟随参考电压与该跟随输入电压的差值产生双端差动输出电压。

2.如权利要求1所述的传感装置，其特征在于，该源极跟随器包括：

一第一晶体管，该第一晶体管的第一端用以接收一第一基准电压，该第一晶体管的第二端电性连接一第一输出端，该第一晶体管的控制端用以接收一控制电压；

一第二晶体管，该第二晶体管的第一端电性连接该第一晶体管的第二端，该第二晶体管的第二端用以接收一第二基准电压，该第二晶体管的控制端用以接收该输入电压；

一第三晶体管，该第三晶体管的第一端用以接收该第一基准电压，该第三晶体管的第二端电性连接一第二输出端，该第三晶体管的控制端用以接收该控制电压；以及

一第四晶体管，该第四晶体管的第一端电性连接该第三晶体管的第二端，该第四晶体管的第二端用以接收该第二基准电压，该第四晶体管的控制端用以接收一模拟电压；

其中，该模拟电压关联于该微机电传感器依据该泵浦电压所产生的输出电压，该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管与该第四晶体管同为N型晶体管或同为P型晶体管。

3.如权利要求2所述的传感装置，其特征在于，该第四晶体管的控制端电性连接一电容的一端，该电容的另一端用以接收该泵浦电压；

其中，该微机电传感器具有一自然状态与一侦测状态，当该微机电传感器处于该自然状态时，该微机电传感器具有一等效电容，该电容的电容值等于该等效电容。

4.如权利要求2所述的传感装置，其特征在于，该源极跟随器包括一第一偏压单元与一第二偏压单元，该第一偏压单元的一端电性连接该第二晶体管的控制端，该第一偏压单元的另一端用以接收该第二基准电压，该第二偏压单元的一端电性连接该第四晶体管的控制端，该第二偏压单元的另一端用以接收该第二基准电压。

5.如权利要求4所述的传感装置，其特征在于，该第一偏压单元包括一第一二极管与一第二二极管，该第二偏压单元包括一第三二极管与一第四二极管，该第一二极管的阳极与该第二二极管的阴极电性连接该第二晶体管的控制端，该第一二极管的阴极与该第二二极管的阳极用以接收该第二基准电压，该第三二极管的阳极与该第四二极管的阴极电性连接该第四晶体管的控制端，该第三二极管的阴极与该第四二极管的阳极用以接收该第二基准电压。

6.如权利要求5所述的传感装置，其特征在于，该第一二极管、该第二二极管、该第三二极管与该第四二极管为多晶硅二极管。

7.如权利要求2所述的传感装置，其特征在于，该源极跟随器包含一第五晶体管与一第六晶体管，该第五晶体管的第一端用以接收该第一基准电压，该第五晶体管的第二端用以接收一参考电压，该第五晶体管的控制端用以接收该控制电压，该第六晶体管的第一端用以接收该参考电压，该第六晶体管的第二端用以接收该第二基准电压，该第六晶体管的控制端用以接收该第二基准电压。

8.如权利要求7所述的传感装置，其特征在于，该第一晶体管的通道宽长比大于该第五晶体管的通道宽长比，且该第三晶体管的通道宽长比大于该第五晶体管的通道宽长比，该第一晶体管的通道宽长比等于该第三晶体管的通道宽长比。

9.如权利要求8所述的传感装置，其特征在于，该第一晶体管的通道宽长比为该第五晶体管的通道宽长比的整数倍，且该第三晶体管的通道宽长比为该第五晶体管的通道宽长比的整数倍。

10.如权利要求7所述的传感装置，其特征在于，该源极跟随器包含一运算放大器，该运算放大器的第一输入端用以接收该参考电压，该运算放大器的第二输入端电性连接该第五晶体管的第二端与该第六晶体管的第一端，该运算放大器的输出端电性连接该第五晶体管的控制端、该第一晶体管的控制端与该第三晶体管的控制端。