1.一种光敏二极管暗电流消除电路，其特征在于，包括：第一电流源，耦接于电源电压与第一节点之间或者第一节点与接地电压之间，提供第一电流；第二电流源，耦接于电源电压与第二节点之间或者第二节点与接地电压之间，提供第二电流；第三电流源，耦接于第三节点与接地电压之间或者电源电压与第三节点之间，提供第三电流；第四电流源，耦接至第四节点与接地电压之间或者电源电压与第四节点之间，提供第四电流；第一MOS晶体管，耦接于第一节点与第三节点之间，其漏极和源极分别耦接至第一节点和第三节点；第一运算放大器，其输出端耦接至第一MOS晶体管的栅极，其一输入端耦接至第三节点，其另一输入端耦接外部第一参考电压；第二MOS晶体管，耦接于第二节点与第四节点之间，其漏极和源极分别耦接至第二节点和第四节点；第二运算放大器，其输出端耦接至第二MOS晶体管的栅极，其一输入端耦接至第四节点，其另一输入端耦接外部第二参考电压；一电阻，耦接于第三节点与第四节点之间；所述第一MOS晶体管与第二MOS晶体管的类型相同，所述第一电流、第二电流、第三电流和第四电流的电流值相同。
2.根据权利要求1所述的一种光敏二极管暗电流消除电路，其特征在于：所述第一MOS管和第二MOS管分别是第一NMOS管和第二NMOS管，此时，第一运算放大器的正向输入端耦接至第一参考电压，负向输入端耦接至第三节点，第二运算放大器的正向输入端耦接至第二参考电压，负向输入端耦接至第四节点。
3.根据权利要求1所述的一种光敏二极管暗电流消除电路，其特征在于：所述第一MOS管和第二MOS管分别是第一PMOS管和第二PMOS管，此时，第一运算放大器的负向输入端耦接至第一参考电压，正向输入端耦接至第三节点；第二运算放大器的负向输入端耦接至第二参考电压，正向输入端耦接至第四节点。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的一种光敏二极管暗电流消除电路，其特征在于：所述电阻是可调电阻。