温控点可修调的智能温控电路的制作方法

本实用新型涉及LED驱动电路技术领域，尤其涉及智能温控电路技术领域，具体是指一种温控点可修调的智能温控电路。

背景技术：

LED驱动电路中，流过功率管的电流比较大，加在功率管两端的电压随输入电压的升高而升高，芯片的发热会比较明显，芯片本身的散热能力有限，芯片的温度会不断升高，功率过高还会减少LED的寿命。针对芯片发热，智能温度控制是常见的解决方法，现有一种线性LED驱动的智能温控电路，在芯片温度升高到一定值T_ADJ时，减小输出电流，调节芯片的温度。但是该电路智能温控点受工艺波动影响大，导致不同芯片间智能温控点离散性大。

针对上述问题目前有一种做法是通过成测时让芯片以一个固定的电流工作一段时间，测试这段时间芯片的温漂，挑出满足规范的电路，这种方法是通过间接的方法测得的，工作一段时间后芯片的温度不准，导致测试结果不够精确，而且在成测中将不满足规范的电路卡掉，会导致成品良率低。

现有解决方案1：电路在出厂成测时进行如下测试，Drain端加一直流电压，采样电阻为R_CS，电路上电工作时间为T，测试输入电流变化，电路工作一段时间T后的电流温漂在规定范围的为良品。该测试方法是基于电路在相同的工作电流下工作相同的时间，芯片的发热量相同，即芯片工作T时间后芯片温升是相同的。

方案1的缺点在于，不同芯片功率管的导通电阻会有差异，对芯片的温升影响较大，电路工作一段时间T后，电路的温升会有差异，由于测得的电流温漂不在相同的温度差下测得，所以通过它测到的智能温控点不准确。

现有解决方案2：测试时，直接给芯片加温测试智能温控点。

方案2的缺点在于，智能温控点一般都设置在130℃左右，目前测试条件不允许，且成本较高。

综上所述，这两种方案都是成测方法，会导致良率偏低，不能对温控点修调。

技术实现要素：

本实用新型的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种能够实现有效改善温控点的离散性问题，而且不会降低成测良率的温控点可修调的智能温控电路。

为了实现上述目的，本实用新型的温控点可修调的智能温控电路具有如下构成：

该温控点可修调的智能温控电路，包括：

带隙基准模块，用于产生带隙基准电压和正温度系数电流，所述的带隙基准模块包括带隙基准电压输出端和正温度系数电流输出端；

温度控制模块，用于调整内部电阻的阻值以修调温控点，确保芯片温度在安全范围内，所述的温度控制模块分别与所述的带隙基准电压输出端和所述的正温度系数电流输出端相连接。

较佳地，所述的温度控制模块包括用于测试25℃时VREF的电压值的测试电阻，以及用于根据测得的VREF的电压值调整阻值以修调温控点的设定电阻，所述的测试电阻和所述的设定电阻并联连接于所述的正温度系数电流输出端与接地端之间。

较佳地，所述的带隙基准模块包括第一P型MOS管、第二P型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管、第二三极管和N型MOS管，所述的第一P型MOS管的栅极分别与所述的第一P型MOS管的漏极、所述的第二P型MOS管的栅极、所述的第一三极管的集电极、所述的第四P型MOS管的栅极和启动电路相连接，所述的第一P型MOS管的源极分别与所述的第二P型MOS管的源极、所述的第三P型MOS管的源极和所述的第四P型MOS管的源极相连接并接VCC，所述的第四P型MOS管的漏极与所述的正温度系数电流输出端相连接，所述的第二P型MOS管的漏极分别与所述的第二三极管的集电极和所述的N型MOS管的栅极相连接，所述的第三P型MOS管的漏极分别与所述的第三P型MOS管的栅极和所述的N型MOS管的漏极相连接，所述的N型MOS管的源极分别与所述的第一三极管的基极、所述的第二三极管的基极和所述的带隙基准电压输出端相连接，所述的第一三极管的发射极与所述的第一电阻的第一端相连接，所述的第一电阻的第二端分别与所述的第二电阻的第一端和所述的第二三极管的发射极相连接，所述的第二电阻的第二端与所述的第三电阻的第一端相连接，所述的第三电阻的第二端接地。

较佳地，所述的温度控制模块包括第四电阻、第五电阻、第六电阻、测试电阻、设定电阻、第九电阻、第一电键、第二电键和第三三极管，所述的测试电阻的第二端分别与所述的设定电阻的第二端、所述的第三三极管的发射极、所述的第六电阻的第二端相连接并接地，所述的测试电阻的第一端与所述的第一电键的第二端相连接，所述的设定电阻的第一端与所述的第二电键的第二端相连接，所述的第一电键的第一端分别与所述的第二电键的第一端、所述的第九电阻的第二端和所述的第三三极管的基极相连接，所述的第九电阻的第一端与所述的正温度系数电流输出端相连接，所述的第三三极管的集电极分别与所述的第四电阻的第二端和所述的第五电阻的第一端相连接，所述的第四电阻的第一端与所述的带隙基准电压输出端相连接，所述的第五电阻的第二端与所述的第六电阻的第一端相连接并接VREF。

更佳地，所述的设定电阻为双向可调电阻。

采用了该实用新型中的温控点可修调的智能温控电路，通过常温25℃下测试值，可以估算实际智能温控点偏离中心值的大小，再将设定电阻修调，测试方法更准确；通过中测修调设定电阻的熔丝改变智能温控点，提高不同电路间智能温控点的一致性，有效改善温控点的离散性问题，而且不会降低成测良率，正常工作时温控点能达到130℃，具有广泛的应用范围。

附图说明

图1为本实用新型的温控点可修调的智能温控电路的电路结构示意图。

图2为本实用新型的实现温控点修调的方法的离散性的智能温控波形示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地描述本实用新型的技术内容，下面结合具体实施例来进行进一步的描述。

该温控点可修调的智能温控电路，包括：

带隙基准模块，用于产生带隙基准电压和正温度系数电流，所述的带隙基准模块包括带隙基准电压输出端和正温度系数电流输出端；

温度控制模块，用于调整内部电阻的阻值以修调温控点，确保芯片温度在安全范围内，所述的温度控制模块分别与所述的带隙基准电压输出端和所述的正温度系数电流输出端相连接。

在一种较佳的实施方式中，所述的温度控制模块包括用于测试25℃时VREF的电压值的测试电阻，以及用于根据测得的VREF的电压值调整阻值以修调温控点的设定电阻，所述的测试电阻和所述的设定电阻并联连接于所述的正温度系数电流输出端与接地端之间。

在一种较佳的实施方式中，所述的带隙基准模块包括第一P型MOS管P1、第二P型MOS管P2、第三P型MOS管P3、第四P型MOS管P4、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一三极管Q1、第二三极管Q2和N型MOS管N1，所述的第一P型MOS管的栅极分别与所述的第一P型MOS管的漏极、所述的第二P型MOS管的栅极、所述的第一三极管的集电极、所述的第四P型MOS管的栅极和启动电路相连接，所述的第一P型MOS管的源极分别与所述的第二P型MOS管的源极、所述的第三P型MOS管的源极和所述的第四P型MOS管的源极相连接并接VCC，所述的第四P型MOS管的漏极与所述的正温度系数电流输出端相连接，所述的第二P型MOS管的漏极分别与所述的第二三极管的集电极和所述的N型MOS管的栅极相连接，所述的第三P型MOS管的漏极分别与所述的第三P型MOS管的栅极和所述的N型MOS管的漏极相连接，所述的N型MOS管的源极分别与所述的第一三极管的基极、所述的第二三极管的基极和所述的带隙基准电压输出端相连接，所述的第一三极管的发射极与所述的第一电阻的第一端相连接，所述的第一电阻的第二端分别与所述的第二电阻的第一端和所述的第二三极管的发射极相连接，所述的第二电阻的第二端与所述的第三电阻的第一端相连接，所述的第三电阻的第二端接地。

在一种较佳的实施方式中，所述的温度控制模块包括第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、测试电阻R7、设定电阻R8、第九电阻R9、第一电键K1、第二电键K2和第三三极管Q3，所述的测试电阻的第二端分别与所述的设定电阻的第二端、所述的第三三极管的发射极、所述的第六电阻的第二端相连接并接地，所述的测试电阻的第一端与所述的第一电键的第二端相连接，所述的设定电阻的第一端与所述的第二电键的第二端相连接，所述的第一电键的第一端分别与所述的第二电键的第一端、所述的第九电阻的第二端和所述的第三三极管的基极相连接，所述的第九电阻的第一端与所述的正温度系数电流输出端相连接，所述的第三三极管的集电极分别与所述的第四电阻的第二端和所述的第五电阻的第一端相连接，所述的第四电阻的第一端与所述的带隙基准电压输出端相连接，所述的第五电阻的第二端与所述的第六电阻的第一端相连接并接VREF。

在一种更佳的实施方式中，所述的设定电阻为双向可调电阻。

通过上述电路实现温控点修调的方法，包括以下步骤：

(1)根据具有离散性的智能温控波形，制作表格；

(2)测试温度保持恒温25℃，闭合第一电键，断开第二电键，测试VREF的电压值；

(3)根据所述的VREF的电压值，通过查寻所述的表格得到设定电阻的目标阻值；

(4)断开第一电键，闭合第二电键，并调节所述的设定电阻的阻值。

在一种较佳的实施方式中，所述的步骤(1)还包括以下步骤：

(1-1)在具有离散性的智能温控波形图中确定25℃时的各电压值；

(1-2)对大小相邻的电压值求平均值；

(1-3)根据得到的多个平均值确定多个区间，每个区间对应一个设定电阻的目标阻值。

在一种较佳的实施方式中，所述的调节所述的设定电阻的阻值，具体为：

根据查表结果，通过烧熔丝将设定电阻修调至合适值。

本实用新型的电路结构如图1所示，其中，VBG是一个固定的近零温度系数电压，流过电阻R9的电流是一个正温度系数(PTAT)电流，K1和K2为两个开关，设定电阻R8为可通过熔丝修调的电阻。PTAT电流流过测试电阻R7或者R8，随着温度升高Q3基极电压升高，同时VBE_Q3减小，当达到一定温度值时Q3导通，电流逐渐增加，从R4上分得的电流随温度升高，流过R6的电流逐渐减小，VREF电压随温度升高逐渐降低。PTAT电流只流过R7时，智能温控点的中心值在25℃左右，PTAT电流只流过R8时，智能温控点的中心值在130℃左右，R7＝k×R8(k>1)，R7和R8都是由等比例电阻串并联组成的。

中测时，第一步，测试温度保持恒温25℃，K1闭合，K2打开，PTAT电流只流过R7，此时测试VREF的电压值；第二步，根据第一步测试的电压值查表并计算R8值，通过烧熔丝将R8修调为合适值。

一种具体的实施方式如下：

设定电阻R8可以向大和小双向调节，R8(修调后)＝R8(修调前)±m×R，m的值可取为1、2、3，R为根据实际需要设置的单位电阻，R的值越小，调节精度越高，具有离散性的智能温控波形如图2所示，未进入智能温控时VREF的电压值为0.9V，VREF随温度变化曲线不同，25摄氏度时，曲线1～曲线7对应的VREF值为VREF1～VREF7，中测时第一步K1闭合，K2断开，恒定温度25℃测试VREF，第二步K1断开，K2闭合，根据表一选择烧熔丝修调R8。

表1

本实用新型的温控点可修调的智能温控电路的技术方案中，其中所包括的各个功能设备和模块装置均能够对应于实际的具体硬件电路结构，因此这些模块和单元仅利用硬件电路结构就可以实现，不需要辅助以特定的控制软件即可以自动实现相应功能。

采用了该实用新型中的温控点可修调的智能温控电路，通过常温25℃下测试值，可以估算实际智能温控点偏离中心值的大小，再将电阻修调，测试方法更准确；通过中测修调熔丝改变智能温控点，提高不同电路间智能温控点的一致性，有效改善温控点的离散性问题，而且不会降低成测良率，正常工作时温控点能达到130℃，具有广泛的应用范围。

在此说明书中，本实用新型已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本实用新型的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。