1.一种防止反向漏电的端口保护电路，其特征在于，包括:电阻、电源、 第一反相器、第二反相器、或非门、第一PMOS管，第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管；
PMOS管为n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管；
NMOS管为N型金属-氧化物-半导体结构的晶体管；
第一反相器的输入端接入控制信号DI且输出端与或非门的输入端相连；
或非门的另一个输入端接入检测信号CTR且输出端连接第二PMOS管的源端和第三NMOS管的漏端；
第二PMOS管的漏端、第三NMOS的源端、第一NMOS的栅端和第四NMOS的漏端相连；
第一NMOS管的衬底、第三NMOS管的衬底、第四NMOS管的衬底、第五NMOS管的源端及衬底、第六NMOS管的漏端及衬底相连；
第一NMOS管的源端接地；
输出端口与第一NMOS管的漏端、第四NMOS管的源端、第五NMOS管的漏端、电阻相连；
第二NMOS管的源端与电阻的另一端口相连，栅极接地，衬底和漏端与第一PMOS管的漏端、第二反相器的输入端、第三NMOS管的栅极和第六NMOS管的栅极相连；
第六NMOS管的源端接地；
第一PMOS管的衬底和源端、第二PMOS管的衬底接电源；
第二反相器的输出端连接第二PMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极。
2.根据权利要求1所述的一种防止反向漏电的端口保护电路，其特征在于，上述第一反相器、第二反相器为PMOS管和NMOS管构成的信号反相器。
3.根据权利要求1所述的一种防止反向漏电的端口保护电路，其特征在于，上述或非门为PMOS管和NMOS管构成的数字逻辑门。
4.根据权利要求1所述的一种防止反向漏电的端口保护电路，其特征在于，上述的DI是控制信号，控制信号的最高电平为VDD电源电平，最低电平为0电平。
5.根据权利要求1所述的一种防止反向漏电的端口保护电路，其特征在于，上述检测信号CTR为检测输出端口的反馈电压，输出端口高于VDD时检测信号CTR为高电平；输出端口低于VDD时检测信号CTR为低电平。
6.根据权利要求1所述的一种防止反向漏电的端口保护电路，其特征在于，输出端口的电压低于0时，第一NMOS管关闭；输出端口的电压大于VDD时，第一NMOS管关闭；输出端口的电压介于VDD电源电压和0之间时，第一NMOS管受到控制信号DI的控制而正常工作。