本发明涉及控制芯片引导方式的技术领域,具体为一种根据供电电压可调低的引导配置电路。
背景技术:
控制芯片一般有多种程序入口引导方式,包括flash、sci、spi、can等。引导方式的选择通过上电时专用配置引脚的电平判断。正常工作时一般从flash引导,即上电后程序跳入flash引导接口。如果希望改为从其他方式引导,则需要改变上电时专用配置引脚的电平,现有的改变上电时专用配置引脚的电平的电路复杂,且需要改变多项参数,操控复杂。
技术实现要素:
针对上述问题,本发明提供了一种根据供电电压可调低的引导配置电路,其结构简单,只需调整供电电压即可改变上电时专用配置引脚的电平。
一种根据供电电压可调低的引导配置电路,其特征在于:其包括供电电压bat、接入电路电压vcc,所述供电电压bat连接rc滤波电路后连接稳压二级管d1,所述稳压二级管的反向击穿电压为比正常工作最大供电电压高nv,其中n为大于1的正数,所述稳压二级管d1的另一端连接三极管q1的基极,所述三级管q1的集电极外接电阻r3后连接所述接入电路电压vcc,所述三级管q1的发射极接地,所述三级管q1的集电极电压v3通过连接线连接至控制芯片引导配置引脚,所述三极管基极电压v2通过连接线连接电阻r2后接地。
其进一步特征在于:所述rc滤波电路具体包括电阻r1、电容c1,所述供电电压bat连接所述电阻r1一端后,所述电阻r1的另一端的一路连接稳压二级管d1,所述电阻r1的另一端的另一路连接所述电容c1的一端,所述电容c1的另一端接地;
优选地,所述稳压二级管的反向击穿电压为比正常工作最大供电电压高2v,即n的取值为2;
正常工作情况下,供电电压bat低于稳压二级管d1的反向击穿电压,稳压二级管d1反向截止,三级管q1的基极电压v2通过电阻r2拉低,三级管q1截止,集电极电压v3通过r3拉至接入电路电压vcc,满足高电平引导需求;
需要改变集电极电压v3的电平以改变控制芯片引导方式时,将供电电压bat拉高至比正常工作最大供电电压高3v以上,但不损坏电路,则稳压二级管d1反向击穿,基极电压v2比地至少高1v,三级管q1导通,集电极电压v3通过三级管q1拉至地,满足低电平引导需求。
采用本发明后,选择对应的供电电压的数值,和稳压二极管d1的反向击穿电压进行对比,进而可直接确定三级管q1的集电极电压v3输出是低电平还是高电平,其只需调整供电电压即可改变上电时专用配置引脚的电平,其结构简单。
附图说明
图1为本发明的结构示意简图。
具体实施方式
一种根据供电电压可调低的引导配置电路,见图1:其包括供电电压bat、接入电路电压vcc,供电电压bat连接rc滤波电路后连接稳压二级管d1,稳压二级管的反向击穿电压为比正常工作最大供电电压高nv,其中n为大于1的正数,稳压二级管d1的另一端连接三极管q1的基极,三级管q1的集电极外接电阻r3后连接接入电路电压vcc,三级管q1的发射极接地,三级管q1的集电极电压v3通过连接线连接至控制芯片引导配置引脚,三极管基极电压v2通过连接线连接电阻r2后接地。
具体实施例、见图1:rc滤波电路具体包括电阻r1、电容c1,供电电压bat连接电阻r1一端后,电阻r1的另一端的一路连接稳压二级管d1,电阻r1的另一端的另一路连接电容c1的一端,电容c1的另一端接地;
稳压二级管的反向击穿电压为比正常工作最大供电电压高2v,即n的取值为2;
正常工作情况下,供电电压bat低于稳压二级管d1的反向击穿电压,稳压二级管d1反向截止,三级管q1的基极电压v2通过电阻r2拉低,三级管q1截止,集电极电压v3通过r3拉至接入电路电压vcc,满足高电平引导需求;
需要改变集电极电压v3电平以改变控制芯片引导方式时,将供电电压bat拉高至比正常工作最大供电电压高3v以上,但不损坏电路,则稳压二级管d1反向击穿,基极电压v2比地至少高1v,三级管q1导通,集电极电压v3通过三级管q1拉至地,满足低电平引导需求。
其工作原理如下:选择对应的供电电压的数值,和稳压二极管d1的反向击穿电压进行对比,进而可直接确定三级管q1的集电极电压v3输出是低电平还是高电平,其只需调整供电电压即可改变上电时专用配置引脚的电平,其结构简单;其无需跳线或改变线束连接,只需通过输入超过正常工作范围的供电电压,即可改变控制芯片的程序入口引导方式,在实际应用中可以方便快捷的更新程序。
以上对本发明的具体实施例进行了详细说明,但内容仅为本发明创造的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明创造的实施范围。凡依本发明创造申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本专利涵盖范围之内。