技术总结
本发明属于模拟CMOS集成电路技术领域，具体为一种低噪声高电源抑制比的两级低压差线性稳压器。本发明两级低压差线性稳压器由高电源抑制比的低压差线性稳压器和低噪声的低压差线性稳压器级联而成；前者包括高电源抑制比带隙基准电压源和高电源抑制比低压差线性稳压器主体电路；后者包括低噪声带隙基准电压源和低噪声低压差线性稳压器主体电路。在1.8V电源电压VDD下，高电源抑制比的低压差线性稳压器为低噪声的低压差线性稳压器提供1.4V的零温度系数电源电压VDD1；两者级联实现一个低噪声高电源抑制比的两级低压差线性稳压器，并输出一个600mV的零温度系数电压Vout。
技术研发人员：李巍;胡晗;叶骄
受保护的技术使用者：复旦大学
技术研发日：2019.12.10
技术公布日：2020.02.25