1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：
基准电路，包括箝位运算放大器；
启动电路，与所述基准电路电连接，用于启动所述基准电路，以使所述基准电路产生基准信号；以及
偏置电路，分别与所述基准电路和所述启动电路电连接，用于在所述基准电路启动的瞬间，限制流经所述箝位运算放大器的偏置电流。
2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述箝位运算放大器包括偏置电流输入端和运放输出端；
所述启动电路包括启动控制节点；所述启动电路用于根据所述启动控制节点的电位启动所述基准电路；
所述偏置电路分别与所述偏置电流输入端、所述运放输出端和所述启动控制节点电连接，用于在所述运放输出端和所述启动控制节点的电位的控制下，限制提供至所述偏置电流输入端的偏置电流。
3.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述偏置电路包括第一偏置晶体管和第二偏置晶体管；
所述第一偏置晶体管的控制端与所述运放输出端电连接，所述第二偏置晶体管的控制端与所述启动控制节点电连接，且所述第一偏置晶体管与所述第二偏置晶体管串联连接构成偏置电流支路；
其中，在所述基准电路启动的瞬间，所述偏置电流支路用于在所述启动控制节点或所述运放输出端的电位的控制下，限制提供至所述偏置电流输入端的偏置电流。
4.根据权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一偏置晶体管与所述第二偏置晶体管串联于第一电源端与第二电源端之间；
所述偏置电路还包括偏置分压单元；所述偏置分压单元串联于所述第一偏置晶体管与所述第二偏置晶体管之间，且所述偏置分压单元中与所述第二偏置晶体管电连接的一端还与所述偏置电流输入端电连接。
5.根据权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一偏置晶体管为pmos晶体管；所述第二偏置晶体管为nmos晶体管。
6.根据权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述偏置分压单元包括分压电阻、分压二极管和分压晶体管中的至少一种。
7.根据权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一偏置晶体管与所述第二偏置晶体管串联于第一电源端与所述偏置电流输入端之间；
所述偏置电路还包括第三偏置晶体管；所述第三偏置晶体管的控制端与所述运放输出端电连接，且所述第三偏置晶体管串连于所述第一电源端与所述偏置电流输入端之间。
8.根据权利要求7所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一偏置晶体管、所述第二偏置晶体管以及所述第三偏置晶体管均为pmos晶体管。
9.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述启动电路包括启动单元、启动控制单元和启动控制节点；
所述启动单元与所述启动控制单元电连接于所述启动控制节点，还与所述基准电路的启动信号输入端电连接，用于根据所述启动控制节点的电位，向所述启动信号输入端提供启动信号，以启动所述基准电路；
所述启动控制单元与所述基准电路的基准信号输出端电连接，用于根据所述基准信号输出端输出的基准信号，控制所述启动控制节点的电位。
10.根据权利要求9所述的带隙基准电路，其特征在于，所述启动单元包括第一nmos晶体管；所述启动控制单元包括第二nmos晶体管；
所述第一nmos晶体管的栅极与所述第二nmos晶体管的漏极电连接于所述启动控制节点，所述第一nmos晶体管的漏极与所述启动信号输入端电连接，所述第一nmos晶体管的源极接地；
所述第二nmos晶体管的栅极与所述基准信号输出端电连接，所述第二nmos晶体管的源极接地。
11.根据权利要求10所述的带隙基准电路，其特征在于，所述启动电路还包括启动分压单元，串联于供电电源与所述启动控制节点之间。
12.根据权利要求11所述的带隙基准电路，其特征在于，所述启动分压单元包括分压电阻、分压二极管和分压晶体管中的至少一种。
13.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述基准电路还包括第一pmos晶体管、第二pmos晶体管、第三pmos晶体管、第一三极管以及第二三极管；
所述第一pmos晶体管的栅极、所述第二pmos晶体管的栅极以及所述第三pmos管的栅极均与所述箝位运算放大器的运放输出端电连接；所述第一pmos晶体管的源极、所述第二pmos晶体管的源极以及所述第三pmos晶体管的源极均与第一电源端电连接；所述第一pmos晶体管的漏极与所述箝位运算放大器的第一输入端电连接；所述第二pmos晶体管的漏极与所述箝位运算放大器的第二输入端电连接；所述第二pmos晶体管的漏极与第二电源端电连接，且作为所述基准电路的基准信号输出端；
所述第一三极管的发射极与所述第一输入端电连接、集电极和基极均与所述第二电源端电连接；所述第二三极管的发射极与所述第二输入端电连接、集电极和基极均与所述第二电源端电连接。
14.根据权利要求13所述的带隙基准电路，其特征在于，所述基准电路还包括：
第一电阻，电连接于所述第二输入端与所述第二三极管的发射极之间。
15.根据权利要求13所述的带隙基准电路，其特征在于，所述基准电路还包括：
第二电阻，电连接于所述第一输入端与所述第二电源端之间；
第三电阻，电连接于所述第二输入端与所述第二电源端之间。
16.根据权利要求13所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一三极管为pnp三极管，所述第二三极管为pnp三极管；和/或
所述第一电源端接收所述带隙基准电路的供电电源，所述第二电源端为接地端。
17.一种集成电路，其特征在于，包括：权利要求1-16任一项所述的带隙基准电路。
18.一种无线电器件，其特征在于，包括：
承载体；
如权利要求17所述的集成电路，设置在所述承载体上；
天线，设置在所述承载体上，或者与所述集成电路集成为一体器件形成aip或aoc芯片结构；
其中，所述无线电器件通过所述天线发收无线电信号。
19.根据权利要求18所述的无线电器件，其特征在于，所述无线电信号为毫米波信号。
20.一种电子设备，其特征在于，包括：
设备本体；以及
设置于所述设备本体上的如权利要求18或19所述的无线电器件；
其中，所述无线电器件用于目标检测和/或通信。