用于线性稳压器的触发接收电路的制作方法

相关申请的交叉引用本申请要求于2020年2月24日提交的美国专利申请号16/799,205的优先权。本公开涉及模拟微电子电路，并且更具体地讲，涉及具有接收电路的线性稳压器，该接收电路可被触发以适应特定负载瞬态条件。
背景技术：
：低压差(ldo)稳压器(即，ldo)是一种线性稳压器，其被配置为通过控制输出晶体管(mo)的导通电平来将未经调节的输入电压(vin)转换为经调节的输出电压(vout)，使得在ldo的输入与输出之间产生电压降，该电压降响应于输入电压的变化，使得输出电压是固定的(例如，相对于基准电压，vref)。ldo可根据负载瞬态响应(lotr)响应于变化的负载。例如，如果变化的负载导致输出电流(iout)突然增大或减小，则输出电压(vout)可在ldo电路响应的同时在一段时间内偏离其调节电平。lotr描述偏差的振幅和响应周期。一般来讲，较低振幅偏差比较高振幅偏差更理想，并且较短周期比较长周期更理想。本公开的实施方式就是在这种背景下出现的。技术实现要素：在至少一个方面，本公开总体上描述了一种方法。该方法包括使用低压差稳压器(即，ldo)调节输出电压。该方法还包括当ldo的输出电压满足标准时(例如，输出电压≥阈值电压)检测特定类型的负载瞬态(例如，负载增加)。该方法包括在检测到特定类型的负载瞬态时，使用包括接收晶体管的触发接收电路从ldo的输出接收电流。接收包括在ldo的输出电压满足标准时激活接收晶体管以从ldo的输出接收电流，并且在输出电压不满足标准时，逐渐去激活接收晶体管。在另一方面，本公开总体上描述了一种低压差稳压器(ldo)。ldo包括输出晶体管，该输出晶体管被配置为根据ldo的输出电压的对应减小或增大来增大或减小供应(即，传导)到ldo的输出的电流。ldo还包括触发接收电路，该触发接收电路在输出电压的增大超过阈值时被激活以从ldo的输出接收电流，并且在输出电压不再超过阈值时被逐渐去激活。在另一方面，本公开总体上描述了一种用于低压差稳压器(ldo)的触发接收电路。触发接收电路包括接收触发器，该接收触发器耦接到ldo的输出电压。接收触发器被配置为在ldo的输出电压满足标准时生成触发信号，该触发信号在接通期期间保持在触发电压。触发接收电路还包括接收控件，该接收控件接收触发信号并作为响应生成接收控制信号。接收控制信号在接通期期间保持在接通电压，并且然后在关断期期间根据软关断曲线来逐渐减小。触发接收电路还包括接收晶体管，该接收晶体管在接通期期间由接通电压激活(即，接通、导通)以从ldo的输出接收电流，然后在关断期期间根据软关断曲线逐渐去激活。在可能的实施方式中，触发接收电路的激活的接收晶体管减少ldo的负载瞬态响应。在以下具体实施方式及其附图内进一步解释了前述说明性
发明内容，以及本公开的其他示例性目标和/或优点、以及实现方式。附图说明图1是根据本公开的一个可能的实施方式的包括触发接收电路的低压差稳压器(即，ldo)的框图。图2包括基于时间的曲线图，其示出了根据本公开的可能实施方式的当未使用触发接收电路时ldo对负载瞬态的响应。图3是根据本公开的可能实施方式的接收控制信号(vs)的基于时间的曲线图。图4包括基于时间的曲线图，其示出了根据本公开的可能实施方式的当使用触发接收电路时ldo对负载瞬态的响应。图5是ldo的可能实施方式的示意图，包括触发接收电路的可能实施方式的框图。图6是图5的ldo的详细示意图，示出了触发接收电路的可能电路实施方式。图7是用于调节到变化的负载的电压的方法的流程图。附图中的部件未必相对于彼此按比例绘制。相似附图标记在若干附图中表示相应的零件。具体实施方式线性稳压器(linearvoltageregulator)(即，线性稳压器(linearregulator))能够向负载供应(source)大输出电流，但其接收(sink)相同电流量的能力可能不足。因此，从高值阶跃到低值的输出电流可导致不可接受的负载瞬态响应。本公开描述了响应于负载电流变化的电路和方法，其中附加接收以改善线性稳压器的负载瞬态响应。虽然本发明所公开的技术可应用于大多数线性稳压器，但将详细考虑低压差(ldo)稳压器的实施方式。本公开描述了ldo稳压器，该ldo稳压器包括被配置为对负载瞬态(lot)的类型作出响应的触发接收电路(sinkcircuit)。触发接收电路包括耦接到ldo的输出的接收晶体管(sinktransistor)，该接收晶体管可被配置为提供高容量导电路径(例如，从输出端到接地端)，以便快速接收(即，泄漏)来自负载(例如，电容负载)的电流以有助于降低升高的输出电压(vout)。接收晶体管由接收控制信号(sink-controlsignal)(vs)控制以接通(即，减小电阻)一段时间，以便从负载接收电流，然后在接收期之后，根据缓慢释放(即，软关断)曲线来断开(即，增大电阻)。软关断曲线可减小(或消除)由接收晶体管的接通/断开切换导致的输出电压(vout)中的负载瞬态响应。例如，软关断曲线根据关断斜率(速率)在关断期内降低接收晶体管的电导率，使得由软关断生成的负载瞬态响应小于预定值。换句话讲，关断期和关断速率可对应于小于预定值的负载瞬态响应。所公开的包括触发接收电路的ldo稳压器可有利地减小(例如，与没有接收电路的ldo稳压器相比)升高的输出电压降低回到调节值的周期。减小的周期可防止ldo稳定在其控制的极限(即，轨)处，这可有助于改善ldo对后续负载瞬态(即，背对背负载瞬态)的响应。此外，触发接收电路的条件触发(即，激活)防止接收电路影响ldo在其他负载条件下的操作，并且因此可有利地以有限的(或没有)对ldo电路的其他部分的影响来实现。负载瞬态(lot)是耦接到ldo的输出的负载的(快速)变化，其引起ldo的输出电流(iout)的对应(快速)变化。例如，可切换负载，使得当开关将负载从ldo解耦时，ldo的输出电流从非零电流(例如，iout>100毫安)快速改变为零电流(例如，iout＝0毫安)。负载瞬态可根据其行为来分类。第一类型的lot由负载电阻的降低引起。降低的负载电阻(rl)可导致输出电压(vout)从经调节的电压电平相应地降低。作为响应，ldo可被配置为增加输出到负载的电流(即，供应电流)，以便将输出电压恢复(即，增加)回经调节的电压电平。第二类型的lot由负载电阻的增加引起。增加的负载电阻可导致输出电压(vout)从经调节的电压电平相应地增大。作为响应，ldo可被配置为减小输出到负载的电流，以便将输出电压降低回到经调节的电压电平。上述负载瞬态示例的汇总示于表1中。表1：示例性负载瞬态(lot)的汇总lot：第一类lot：第二类rl↓降低↑增加iout↑增加↓降低vout↓降低↑增加ldo响应供应电流接收电流当负载是纯电阻时，升高的输出电压可简单地随着提供给负载的输出电流的降低而减小。然而，当负载包括电抗部件(例如，电容器co)时，简单地减小提供给负载的输出电流可能不足以减小输出电压。例如，为了减小电容负载(例如，诸如图像传感器)上的输出电压，ldo的输出必须被配置为接收来自电容负载的电流以便消散其电压。ldo可从电容负载接收电流的速度越快，输出电压可越快地降低回到经调节的电压电平。如果ldo在其从负载接收电流的能力方面受到限制，则输出电压(vout)可在一段时间内缓慢降低。换句话讲，输出电压(vout)可在该周期内保持在高于经调节的电压电平的值。由持久的高输出电压产生的反馈响应可导致ldo稳定(即，轨)在其控制极限处。在这种情况下，输出晶体管(mo)完全断开，并且输出电压(vout)不再处于控制下。当输出晶体管(mo)重新接通以恢复对输出电压的控制时，后续负载瞬态(即，负载变化)可导致非常差的lot响应。图1是根据本公开的一个可能的实施方式的包括触发接收电路的ldo稳压器的框图。ldo100被配置为相对于接地电压(gnd)(在ldo的输入150处)接收未调节的输入电压(vin)，并且相对于接地电压(在ldo的输出155处)传输经调节的输出电压(vout)。输出电压由调节控制电路(即，调节控件110)调节。调节控件110被配置为接收输出电压(vout)作为来自ldo的输出的反馈。调节控件110还被配置为从ldo中(但未示出)包括的电路接收基准电压(vref)。基准电压提供可与输出电压(vout)进行比较的稳定电压电平。调节控件110被配置为将输出电压(vout)与基准电压(vref)进行比较，并且基于该比较，生成用于输出晶体管130(mo)的控制信号(vg)。输出晶体管130(和ldo的其他晶体管)可以多种技术实现，包括(但不限于)双极结型晶体管(bjt)和场效应晶体管(fet)。图1所示的输出晶体管130被实现为(p型)金属氧化物半导体晶体管(mosfet)。输出晶体管130的控制(例如，栅极)端子被配置为从调节控件110接收控制信号(例如，栅极电压)。控制信号(vg)的电平在输出晶体管130的源极端子和漏极端子之间生成对应的电压降(例如，vds)。如图1所示，输入电压(vin)耦接到输出晶体管130的源极端子，并且ldo的输出端子耦接到输出晶体管130的漏极端子。因此，输出电压(vout)是输入电压(vin)与输出晶体管两端的电压降(即，vds)之间的差值。通过控制该电压降(vds)，可调节输出电压(vout)。例如，如果输入电压(vin)增大，则输出电压(vout)增大。调节控件110将增大的输出电压(vout)与基准电压(vref)进行比较，以生成增大输出晶体管两端的电压降(vds)的控制信号(vg)，使得输出电压(vout)减小回到调节电压(即，相对于基准电压)。输出晶体管130可以是功率mosfet，该功率mosfet被设计成(例如，其尺寸被设定成)从ldo的输入端向输出端传导相对大的电流(例如，>100毫安)。输出晶体管130能够在可引起输出电压变化(例如，在无负载条件下)的电平(尤其是在升高的温度下)下传导泄漏电流。为了防止这种情况发生，输出晶体管130的泄漏电流可沉到地并且不影响输出电压。因此，ldo可包括泄漏晶体管140，该泄漏晶体管被配置为从输出晶体管130(mo)漏出(即，接收(sink))泄漏电流，以防止在低(例如，零)负载条件下不期望的输出电压增加。泄漏晶体管140可被实现为具有相对于输出晶体管130的尺寸较小的尺寸的(n型)mosfet。泄漏晶体管140可足够大以接收来自输出晶体管130的泄漏电流的电平，但又足够小以使得ldo的静态电流保持较低。泄漏晶体管140可接收的泄漏电流的量可以取决于输出晶体管的尺寸(例如，较大的输出晶体管可以具有较大的泄漏电流)，并且可以取决于温度(例如，较高的温度可以引起较大的泄漏电流)。在一个可能的实施方式中，泄漏电流与输出电流相比较小(例如，与>100ma相比<10微安)。因此，与泄漏晶体管140可接收的电流相比，输出晶体管130能够供应更多电流。因此，ldo可包括触发接收电路120，以针对特定负载(即，输出电压)条件补充(即，增强)泄漏晶体管140的接收能力。负载190可耦接到ldo的输出。负载190可包括电阻部件192和电抗(例如，电容194)部件。负载瞬态(lot)可包括负载的电阻部件和/或电容部件的变化(例如，陡变)。如前所述，陡变可导致ldo中的负载瞬态响应(lotr)。在没有触发接收电路120的情况下，ldo可能对需要接收大电流的负载瞬态响应较差。图2包括示出没有触发接收电路的ldo的ldo负载瞬态响应(lotr)的基于时间的曲线图。该曲线图包括如表1所述的用于负载变化的输出电流(iout)曲线图201和输出电压(vout)曲线图202。第一时间210处的第一负载变化引起包括输出电压(vout)降低的第一负载瞬态响应211(lotr)。作为响应，调节控件110将输出晶体管130配置为向负载190供应电流，以便将输出电压(vout)恢复(即，增加)为调节值215。由于输出晶体管可供应大电流，因此调节快速恢复(即，在后续负载瞬态之前恢复)。第二时间220处的第二负载变化引起包括输出电压(vout)升高的第二负载瞬态221。作为响应，ldo100被配置为从负载接收电流，以便将输出电压(vout)恢复(即，降低)为调节值215(即，调节电压)。然而，在没有触发接收电路120的情况下，ldo依赖于泄漏晶体管来接收来自负载的电流。由于泄漏晶体管小，因此电流被缓慢泄漏(即，接收(sink))，并且第二负载瞬态响应以非常低的速率降低。在这种情况下，输出电压以高于调节值215的振幅230保持(即，持续)高于调节值215。随着输出电压持续高于调节值215，调节控件可断开输出晶体管130，使得其不再导通(即，降低输入和输出之间的任何电压)。换句话讲，在这种情况下，ldo的输出可变得不受调节。第三时间235处的第三负载变化引起包括输出电压(vout)降低的第三负载瞬态响应236。第三负载变化发生在ldo从第二负载变化恢复之前。因此，第三负载瞬态响应236可具有远大于第一负载瞬态响应211的振幅240。振幅的这种增大可至少部分地归因于(大)输出晶体管130由于第二负载变化而断开，并且必须再次接通以开始调节。由负载变化引起的电流的变化可具有多个数量级的振幅。例如，iout曲线图201所示的输出电流可从大约1微安(μa)变化到大约250毫安(ma)以实现负载变化。返回图1，ldo100包括触发接收电路120以帮助响应于负载瞬态而接收来自负载的电流(参见表1)。触发接收电路120包括接收触发电路(即，接收触发器(sinktrigger)160)，该接收触发电路被配置为在负载改变(即，负载瞬态)满足(例如，符合)接收标准(即，标准)时生成触发信号以激活接收控制电路(即，接收控件(sinkcontrol)170)。例如，接收触发器160可被配置为将输出电压(vout)与阈值进行比较，并且如果输出电压超过阈值电平，则接收触发器可激活(即，触发)接收控件170。接收控件170被配置为一旦激活就生成接收控制信号(vs)以控制接收晶体管180将电流(即，接收电流)从ldo输出传导到地。接收晶体管180可以是fet(例如，n型功率mosfet)，其尺寸能够传导比泄漏晶体管140更大量的电流。在可能的实施方式中，接收晶体管180能够快速(即，相对于没有接收晶体管)放电输出电容器(即，co)上的过量(即，高于调节)电压(即，过量电荷)。在另一个可能的实施方式中，接收晶体管180小于输出晶体管130。可能有利的是，保持接收晶体管的尺寸尽可能小以便节省管芯面积。图3是根据本公开的可能实施方式的接收控制信号(vs)的基于时间的曲线图。在从接收触发器160接收触发信号时(或之后)的时间310处，接收控制信号(vs)上升到导通电压315(例如，vin)，该导通电压足以致使接收晶体管180导通(即，接通)。接通电压315可保持接通期320。接通期320可以是将输出电压降低到阈值以下所需的时间。例如，由接收触发器160提供的触发信号可将接收控制信号(vs)保持在接通电压315，直到输出电压(vout)下降到低于基准电压(vref)加上偏移电压(vos)。在接通期320之后，可根据关断期330内的软关断曲线325来去激活(即，切断、关断、断开)接收晶体管180。软关断曲线325可包括根据关断斜率333的接收控制信号的电平的线性或非线性降低。例如，接收控制信号可从接通电压(例如，vin)逐渐减小到接地电压(例如，零伏)。在关断期330期间，接收晶体管180从接通(即，导通)条件逐渐切换到断开(即，不导通)条件(即，经历逐渐去激活)。关断期330可基于ldo100对接收晶体管180的接通/断开切换的预期瞬态响应来设置和/或调整。例如，可调整关断期330以使输出电压(vout)中的负载瞬态最小化。与较短关断期相比，较长关断期可对应于较小负载瞬态。触发接收电路仅在激活期335期间是活动的。图4包括示出当使用触发接收电路时ldo对负载瞬态的响应的基于时间的曲线图。这些曲线图包括输出电流(iout)曲线图401、触发信号曲线图402、接收控制信号(vs)曲线图403和输出电压(vout)曲线图404，并且示出了如表1和图2所述的三个负载变化。第一时间410处的第一负载变化引起包括输出电压(vout)降低的第一负载瞬态响应411(lotr)。作为响应，调节控件110将输出晶体管130配置为向负载190供应电流，以便将输出电压(vout)恢复(即，增加)为调节值215。对于第一负载变化的第一负载瞬态响应411在具有或不具有(参见图2中的211)触发接收电路120的情况下是相同的，因为对应于第一负载瞬态的输出电压不满足激活(即，触发)触发接收电路120的条件(即，标准)。触发接收电路120的条件方面可有利地促进ldo的低静态电流，因为触发接收电路120的部分在需要之前是不活动的。第二时间420处的第二负载变化引起第二负载瞬态响应421，其包括输出电压(vout)的升高。当输出电压变化足以满足标准(例如，等于或高于阈值电压)时，接收触发器160生成触发信号422。例如，触发信号可改变为被保持直到输出电压不再满足标准(例如，低于阈值电压)的触发电压。触发信号可将接收控件170配置为生成接收控制信号(vs)。接收控制信号可对应于触发信号。例如，接收控制信号可改变至根据触发信号所保持的电平。当处于保持电平时，接收控制信号可将接收晶体管180配置为传导电流以便降低输出电压。可将不具有触发接收电路的第二负载瞬态(参见图2中的221)与具有触发接收电路的第二负载瞬态(参见图2中的421)进行比较，以示出触发接收电路120减小第二负载瞬态的周期。在输出电压降低之后，接收控制信号(vs)逐渐减小，使得由接收晶体管的接通到断开切换(即，去激活)引起的输出电压中的负载瞬态响应423很小(例如，低于预定值)。由于输出电压(vout)快速返回到调节电压415，因此调节控件110不被迫达到其控制的极限，并且输出晶体管保持导通(即，接通)以调节输出电压。换句话讲，触发接收电路120可防止响应于某些负载瞬态而失去调节。因此，可减小对后续负载变化(即，背对背负载瞬态)的负载瞬态响应，因为输出晶体管130不必从完全断开状态恢复。换句话讲，使用触发接收电路从ldo的输出接收电流可将背对背负载瞬态响应改善(例如，降低)到低于预定值。背对背负载瞬态响应可被定义为由小于预定值的周期隔开的第一负载瞬态响应和第二负载瞬态响应。第三时间430处的第三负载变化引起包括输出电压(vout)降低的第三负载瞬态响应436。具有触发接收电路的第三负载瞬态响应436的振幅440小于不具有触发接收电路的第三负载瞬态响应的振幅(参见图2中的240)，因为到第三负载变化发生时输出的调节已从第二负载变化恢复。第二时间420处的第二负载瞬态响应421和第三时间430处的第三负载瞬态响应436可称为背对背负载瞬态，因为它们由相对短的周期(例如，与恢复调节所需的周期相比)隔开。本发明所公开的方法可有利地改善背对背负载瞬态响应。负载瞬态响应的振幅可对应于与负载瞬态相关联的输出电流变化的振幅437。在背对背负载瞬态响应(包括第二负载瞬态响应421和第三负载瞬态响应436)中，接收晶体管在其缓慢去激活(即，切断)时在第三时间430处部分地接通。在该示例中，接收晶体管180的部分激活导致改善的lotr436，因为由输出晶体管(mo)提供的电流不是从零开始(参见图2中的236)，而是从由接收晶体管180提供的电流开始，该电流被部分激活。图5是ldo稳压器的可能实施方式的示意图，包括触发接收电路的可能实施方式的框图。ldo100包括输出晶体管(mo)，该输出晶体管在ldo的输出(out)处耦接到负载190(rl，co)。输出晶体管(mo)由调节控制电路控制，该调节控制电路包括用于根据基准电压(vref)与输出电压(vout)之间的差值来调整输出晶体管(mo)的操作点(即，导通)的电路。使用差分晶体管对(m0，m1)测量差值。ldo100包括泄漏晶体管(m12)，该泄漏晶体管足以快速接收与泄漏电流(例如，微安)相当的电流，但尺寸太小而不能快速接收与负载变化(例如，毫安)相当的电流。因此，ldo包括触发接收电路120以在某些负载条件下提供附加接收能力。触发接收电路120包括接收晶体管180(m17)，该接收晶体管足够大以快速接收与负载变化相当的电流。接收晶体管180的导通由接收控件170(即，具有缓慢释放的定时器)控制，该接收控件由接收触发器160触发。接收触发器包括比较器510，该比较器被配置为将输出电压(vout)与基准电压(vref)加上偏移电压520(vos)进行比较，使得在输出电压满足(例如，满足)其比基准电压(vref)大至少偏移电压(vos)的标准时生成触发信号。图6是图5的ldo稳压器的详细示意图，其进一步示出了触发接收电路的可能电路实施方式。触发接收电路可共享调节控制电路的晶体管m0和m1以用作比较器(参见图5的510)。偏移电压(参见图5的520)可由偏移比较器提供，该偏移比较器包括尺寸(例如，沟道宽度)不匹配的一对晶体管(m19，m20)。例如，m19可大于晶体管m20，如通过尺寸比所述。尺寸比可对应于比较器的偏移电压(vos)，并且在可能的实施方式中，尺寸可被设计成提供在约10-20毫伏(mv)范围内的偏移电压。当输出电压比基准电压高偏移电压(即，vout≥vref+vos)时，晶体管m21被激活(即，接通)以将晶体管m23的控制端子(例如，栅极端子)拉到地。换句话讲，m23接收由接收触发器160创建的触发信号，该接收触发器包括晶体管m0、m1、m19、m20和m21。触发信号下拉晶体管m23的栅极，使得晶体管m23被激活(即，接通)，并且晶体管m23的激活将电容器c2充电至vin。当充电时，电容器c2(其耦接到接收晶体管的控制端子(例如，栅极端子))上的电压(vin)完全激活接收晶体管180m25(即，接收晶体管接通)。只要晶体管m23和m21保持接通，接收晶体管180就保持接通。当输出电压降至低于基准电压加上偏移电压(即，vout<vref+vos)时，则晶体管m21和m23被去激活(即，断开)。然而，接收晶体管由于电容器c2上的电荷而保持接通，并且随着电容器c2由晶体管m24放电而逐渐断开(即，缓慢释放)。换句话讲，接收控件170可包括设备m23、m24和c2。所描述和示出的ldo是一种可能的实施方式，并且可存在变型。其他ldo设计或拓扑结构可有利地使用本发明所公开的具有缓慢去激活的接收晶体管的触发接收电路，以改善负载瞬态响应(例如，背对背负载瞬态响应)。此外，为了清楚和/或简洁起见，省略了ldo的一些电路(即，级)。例如，ldo可包括其他电路/级，诸如参考级(例如，以生成vref)和偏置级(例如，以生成vbias)。图7示出了用于调节输出电压的方法的流程图。方法700包括使用ldo调节710输出电压。该方法还包括检测720特定类型的负载瞬态(lot)(参见表1，lot：第二类型)。该方法包括在检测到该特定类型的lot时，使用触发接收电路从ldo的输出接收电流730。从输出接收电流包括确定输出电压(vout)是否满足(例如，满足)标准740。如果该标准得到满足，则激活750接收晶体管。晶体管保持激活以从输出接收电流，直到输出电压不再满足(例如，满足)该标准。当输出电压不满足标准时，接收晶体管根据软关断曲线逐渐去激活760。在说明书和/或附图中，已经公开了典型的实施方案。本公开不限于此类示例性实施方案。例如，低压差稳压器是一种类型的线性稳压器，但所公开的原理也可与其他类型的线性稳压器电路一起使用。术语“和/或”的使用包括一个或多个相关联列出条目的任意组合和所有组合。附图是示意性表示并且因此未必按比例绘制。除非另有说明，否则特定术语已用于通用和描述性意义，而非用于限制的目的。除非另外定义，否则本文所用的所有技术和科学术语具有与本领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。可以在本公开的实践或测试中使用与本文所述的那些类似或等同的方法和材料。如本说明书中以及所附权利要求书中所用，单数形式“一个”、“一种”、“该”包括多个指代物，除非上下文另有明确规定。如本文所用的术语“包含”及其变型形式与术语“包括”及其变型形式同义地使用，并且是开放式的非限制性术语。本文所用术语“任选的”或“任选地”是指随后描述的特征、事件或情况可能发生或可能不发生，并且该描述包括所述特征、事件或情况发生的实例和不发生的实例。范围在本文中可以表达为从“约”一个特定值，和/或到“约”另一个特定值。当表达这样的范围时，一个方面包括从一个特定值和/或到另一个特定值。类似地，当值通过使用先行词“约”表达为近似值时，应当理解，该特定值形成另一个方面。还应当理解，每个范围的端点相对于另一个端点是重要的，并且独立于另一个端点。一些实施方式可使用各种半导体处理和/或封装技术来实现。一些实施方式可使用与半导体衬底相关联的各种类型的半导体处理技术来实现，该半导体衬底包含但不限于，例如硅(si)、砷化镓(gaas)、氮化镓(gan)、碳化硅(sic)等。虽然所描述的实施方式的某些特征已经如本文所述进行了说明，但是本领域技术人员现在将想到许多修改形式、替代形式、变化形式和等同形式。因此，应当理解，所附权利要求书旨在涵盖落入实施方式的范围内的所有此类修改形式和变化形式。应当理解，这些修改形式和变化形式仅仅以举例而非限制的方式呈现，并且可以进行形式和细节上的各种变化。除了相互排斥的组合以外，本文所述的装置和/或方法的任何部分可以任意组合进行组合。本文所述的实施方式可包括所描述的不同实施方式的功能、部件和/或特征的各种组合和/或子组合。当前第1页12