一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器的制作方法

1.本实用新型涉及交流稳压器技术领域，具体为一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器。


背景技术：

2.随着工业的不但发展，电网的质量难以适应用电设备的不断发展，为得到高质量的交流电源，世面上出现了不少稳压电源，但都有不同的缺陷。如：近几年发展出来的“无触点交流稳压器”，该产品面世以来解决了以往机械式稳压器的笨重、响应速度慢、需要定期维护等缺点，但由于该产品的技术复杂，需要解决变压器开路造成的可控硅过压击穿，变压器烧毁的问题。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器，本实用新型当无触点交流稳压电路的继电器kv失效，可控硅scr1以及可控硅scr2无法导通，变压器t的负荷侧产生高电压时，通过二极管z1以及二极管z2代替继电器kv，将变压器t负荷侧e1端与e2端之间的电压限制在可控硅scr1以及可控硅scr2的击穿电压下，避免可控硅scr1、scr2击穿，变压器烧毁的现象。
4.本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：
5.一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器，所述无触点交流稳压器包括无触点交流稳压电路、二极管z1以及二极管z2；
6.所述二极管z1与二极管z2分别与无触点交流稳压电路的继电器kv并联。
7.进一步的，所述无触点交流稳压电路包括可控硅scr1导通电路、可控硅scr2导通电路以及变压器t。
8.进一步的，所述scr1导通电路包括二极管d2、电阻r1、可控硅scr1以及继电器kv，所述可控硅scr1的阳极与变压器t负荷侧的e1端连接，所述可控硅scr1的阴极k1与变压器t负荷侧的e2端连接；所述二极管d2的阳极与变压器t负荷侧的e1端连接，所述二极管d2的阴极与继电器kv一端连接，所述继电器kv的另一端电阻r1一端连接，所述电阻r1的另一端与变压器t负荷侧的e2端连接；所述继电器kv与电阻r1连接的一端还与可控硅scr1的门极g1连接。
9.进一步的，所述可控硅scr2导通电路包括二极管d1、电阻r2以及可控硅scr2；所述可控硅scr2的阳极与变压器t负荷侧的e2端连接，所述可控硅scr2的阴极k2与变压器t负荷侧的e1端连接；所述二极管d1的阳极与变压器t负荷侧的e2端连接，所述二极管d1的阴极与继电器kv一端连接，所述继电器kv的另一端与电阻r2一端连接，所述电阻r2的另一端与变压器t负荷侧的e1端连接；所述继电器kv与电阻r2连接的一端还与可控硅scr2的门极g2连接。
10.进一步的，所述二极管z1的阳极与电阻r2连接，所述二极管z1的阴极与电阻r1连
接，所述二极管z2的阳极与电阻r1连接，所述二极管z2的阴极与电阻r2连接。
11.进一步的，所述变压器t的电源侧与电源n连接。
12.进一步的，所述变压器t的电源侧与电源n之间串联有负载。
13.进一步的，所述二极管z1以及二极管z2采用稳压二极管，所述二极管z1与二极管z2的导通电压等于可控硅scr1以及可控硅scr2的击穿电压。
14.本发明的有益效果是：
15.本技术通过设置二极管z1以及二极管z2与继电器kv并联，当无触点交流稳压电路内的继电器kv失效时，代替继电器kv启动无触点交流稳压电路内的可控硅scr1以及可控硅scr2，避免可控硅scr1、scr2击穿，变压器烧毁的现象。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1为本实用新型专利的电路连接图；
具体实施方式
18.下面结合本实用新型的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施都在本实用新型的保护范围内。
19.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“逆时针”、“顺时针”“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
20.一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器，所述无触点交流稳压器包括无触点交流稳压电路、二极管z1以及二极管z2；
21.所述二极管z1与二极管z2分别与无触点交流稳压电路的继电器kv并联。
22.进一步的，所述无触点交流稳压电路包括可控硅scr1导通电路、可控硅scr2导通电路以及变压器t。
23.进一步的，所述scr1导通电路包括二极管d2、电阻r1、可控硅scr1以及继电器kv，所述可控硅scr1的阳极与变压器t负荷侧的e1端连接，所述可控硅scr1的阴极k1与变压器t负荷侧的e2端连接；所述二极管d2的阳极与变压器t负荷侧的e1端连接，所述二极管d2的阴极与继电器kv一端连接，所述继电器kv的另一端电阻r1一端连接，所述电阻r1的另一端与变压器t负荷侧的e2端连接；所述继电器kv与电阻r1连接的一端还与可控硅scr1的门极g1连接；
24.具体的，如附图1所示，在继电器kv正常工作时，变压器t负荷侧的e1端的正半周电
流经e1端出来，经过二极管d2的阳极，再经过继电器kv分别到达可控硅scr1的门极g1处，以及经过电阻r1回到变压器t的负荷侧e2端形成回路，此时电阻r1与可控硅scr1的门极g1产生压差，到达可控硅scr1的门极g1处的电流经过可控硅scr1的阴极k1回到变压器t的负荷侧e2端形成回路，可控硅scr1导通，从变压器t负荷侧的e1端出来的电流通过可控硅scr1的阳极，再经过可控硅scr1的阴极k1回到变压器t的负荷侧e2端形成可控硅scr1的导通回路。
25.进一步的，所述可控硅scr2导通电路包括二极管d1、电阻r2以及可控硅scr2；所述可控硅scr2的阳极与变压器t负荷侧的e2端连接，所述可控硅scr2的阴极k2与变压器t负荷侧的e1端连接；所述二极管d1的阳极与变压器t负荷侧的e2端连接，所述二极管d1的阴极与继电器kv一端连接，所述继电器kv的另一端与电阻r2一端连接，所述电阻r2的另一端与变压器t负荷侧的e1端连接；所述继电器kv与电阻r2连接的一端还与可控硅scr2的门极g2连接；
26.具体的，如附图1所示，在继电器kv正常工作时，变压器t负荷侧的e2端的正半周电流经e2端出来，经过二极管d1阳极，再经过继电器kv分别到达可控硅scr2的门极g2处，以及经过电阻r2回到变压器t的负荷侧e1端形成回路，此时电阻r2与可控硅scr2的门极g2产生压差，到达可控硅scr2的门极g2处的电流经过可控硅scr2的阴极k2回到变压器t的负荷侧e1端形成回路，可控硅scr2导通，从变压器t负荷侧的e2端出来的电流通过可控硅scr2的阳极，再经过可控硅scr2的阴极k2回到变压器t的负荷侧e1端形成可控硅scr2的导通回路。
27.进一步的，所述二极管z1的阳极与电阻r2连接，所述二极管z1的阴极与电阻r1连接，所述二极管z2的阳极与电阻r1连接，所述二极管z2的阴极与电阻r2连接；
28.具体的，如附图1所示，正常情况下，继电器kv失效，可控硅scr1的门极g1与电阻r1以及可控硅scr2与电阻r2之间不能压差，可控硅scr1以及可控硅scr2不能导通，从而不能形成导通回路，变压器t在负载的大电流作用下，会在变压器t的e1-e2，e3-e4端产生很高的电压，类似于电流互感器开路，会造成变压器t、可控硅scr1以及scr2烧毁、击穿等严重事故，所以本技术采用稳压二极管z1与稳压二极管z2与继电器kv并联，当kv失效时，稳压二极管z1在可控硅scr1的导通中代替继电器kv的作用，而稳压二极管z2在可控硅scr2的导通中代替继电器kv的作用，从而形成可控硅scr1以及可控硅scr2的导通回路，避免变压器t、可控硅scr1以及scr2烧毁、击穿等事故；
29.具体的，本实施例还可将二极管z1与二极管z2复合成一只双向稳压二极管，所述双向稳压二极管与继电器kv并联，所述双向稳压二极管一端与电阻r1连接，所述双向稳压管另一端与电阻r2连接；
30.具体的，本实施例中的继电器kv还可以是光耦等器件，此处选用继电器kv不应是对本方案的限制，任何简单的元器替换都应在本方案的保护范围之内。
31.进一步的，所述变压器t的电源侧与电源n连接。
32.进一步的，所述变压器t的电源侧与电源n之间串联有负载。
33.进一步的，所述二极管z1以及二极管z2采用稳压二极管，所述二极管z1与二极管z2的导通电压等于可控硅scr1以及可控硅scr2的击穿电压；
34.具体的，如附图1所示，稳压二极管z1与稳压二极管z2起作用的前提是变压器t负荷侧e1端与e2端的电压大于稳压二极管z1与稳压二极管z2的导通电压，在上述描述中说过，如果变压器t负荷侧e1端与e2端的电压过高，就会形成事故，过高的标准即为击穿可控
硅scr1以及可控硅scr2，所以稳压二极管z1与稳压二极管z2的导通电压即为可控硅scr1以及可控硅scr2的击穿电压，当继电器kv失效时，如果变压器t负荷侧e1端与e2端的电压小于稳压二极管z1以及稳压二极管z2的导通电压，那么同样不会形成scr1导通回路以及scr2导通回路，这样是为了避免电路多余的动作，且可控硅scr1以及可控硅scr2在这样的电压下并不会被击穿，如果继电器kv失效，且变压器t负荷侧e1端与e2端的电压大于或者等于可控硅scr1以及可控硅scr2的击穿电压，此时稳压二极管z1以及稳压二极管z2导通从而代替继电器kv的作用，启动可控硅scr1以及可控硅scr2形成导通回路，避免可控硅scr1以及可控硅scr2被击穿导致事故。
35.可以理解的是，上述各实施例中相同或相似部分可以相互参考，在一些实施例中未详细说明的内容可以参见其他实施例中相同或相似的内容。
36.需要说明的是，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”、“多”的含义是指至少两个。
37.应该理解，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件；当一个元件被称为“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件，此外，这里使用的“连接”可以包括无线连接；使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的任一单元和全部组合。
38.流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为：表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本技术的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本技术的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
39.应当理解，本技术的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(pga)，现场可编程门阵列(fpga)等。
40.本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，该程序在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。
41.此外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
42.上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
43.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特
点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
44.尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在本技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。