一种温控电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种控制电路，具体是一种温控电路。
【背景技术】
[0002]随着科技的发展，温控电路已经被运用于人们日常生活中的很多领域，然而，虽然温控电路可以做到很简单，但是，简单的温控电路大多不能做到精确的控制，在很多情况下，需要精确控制的温控电路大多采用单片机进行控制，成本较高，电路结构也较为复杂，极大提高了成本。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种控制精确、成本低的温控电路，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]一种温控电路，包括整流桥Q、负载RL、二极管Dl、三极管VTl、单向可控硅VS、芯片Ul和热敏电阻VR1，所述负载RL —端分别连接二极管Dl正极和220V交流电一端，二极管Dl负极连接电阻Rl，电阻Rl另一端分别连接三极管VTl集电极、芯片Ul引脚4、芯片Ul引脚8、电位器RPl、二极管D4负极和电容C3，所述负载RL另一端分别连接电容Cl和整流桥Q引脚1，电容Cl另一端连接电阻R2，电阻R2另一端分别连接整流桥Q引脚3和220V交流电另一端，整流桥Q引脚4分别连接单向可控硅VS的K极、三极管VT2发射极、电阻R5、电容C2、芯片Ul引脚1、热敏电阻VR2、二极管D4正极和电容C3另一端，所述整流桥Q引脚2分别连接单向可控硅VS的A极、二极管D3负极和电阻R3，单向可控硅VS的G极连接二极管D2负极，二极管D2正极连接三极管VTl发射极，三极管VTl基极分别连接二极管D3正极、三极管VT2集电极和电阻R4，三极管VT2基极分别连接电阻R3另一端和电阻R5另一端，所述电阻R4另一端连接芯片Ul引脚3，芯片Ul引脚5连接电容C2另一端，芯片Ul引脚6分别连接待完全RPl滑片、电位器RPl另一端和热敏电阻VRl，芯片Ul引脚2分别连接热敏电阻VRl另一端和热敏电阻VR2另一端。
[0006]作为本实用新型进一步的方案:所述芯片Ul型号为NE555。
[0007]作为本实用新型再进一步的方案:所述二极管D4为稳压二极管。
[0008]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型通过使用芯片NE555，可以较精确的达到温度控制的目的，电路结构简单，成本低，非常适合推广使用。
【附图说明】
[0009]图1为温控电路的电路图。
【具体实施方式】
[0010]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0011]请参阅图1，本实用新型实施例中，一种温控电路，包括整流桥Q、负载RL、二极管D1、三极管VT1、单向可控硅VS、芯片Ul和热敏电阻VRl，负载RL —端分别连接二极管DI正极和220V交流电一端，二极管Dl负极连接电阻R1，电阻Rl另一端分别连接三极管VTl集电极、芯片Ul引脚4、芯片Ul引脚8、电位器RPl、二极管D4负极和电容C3，负载RL另一端分别连接电容Cl和整流桥Q引脚1，电容Cl另一端连接电阻R2，电阻R2另一端分别连接整流桥Q引脚3和220V交流电另一端，整流桥Q引脚4分别连接单向可控硅VS的K极、三极管VT2发射极、电阻R5、电容C2、芯片Ul引脚1、热敏电阻VR2、二极管D4正极和电容C3另一端，整流桥Q引脚2分别连接单向可控硅VS的A极、二极管D3负极和电阻R3，单向可控硅VS的G极连接二极管D2负极，二极管D2正极连接三极管VTl发射极，三极管VTl基极分别连接二极管D3正极、三极管VT2集电极和电阻R4，三极管VT2基极分别连接电阻R3另一端和电阻R5另一端，电阻R4另一端连接芯片Ul引脚3，芯片Ul引脚5连接电容C2另一端，芯片Ul引脚6分别连接待完全RPl滑片、电位器RPl另一端和热敏电阻VR1，芯片Ul引脚2分别连接热敏电阻VRl另一端和热敏电阻VR2另一端。
[0012]芯片Ul型号为NE555。
[0013]二极管D4为稳压二极管。
[0014]本实用新型的工作原理是:请参阅图1，芯片Ul接成双稳态触发电路，当环境温度增加时，热敏电阻VRl和VR2阻值变下，使芯片Ul引脚2电位下降至1/3阀值电压，芯片Ul置位，芯片Ul引脚3呈高电平，使整流桥Q、单向可控硅VS和二极管D2等组成的可控硅交流零压开关导通，负载RL通电工作；当环境温度下降时，热门电阻RVl和RV2阻值变大，使芯片Ul引脚2电位高于1/3阀值电压，芯片Ul复位，使可控硅交流零压开关导通截止，负载RL失电。
【主权项】
1.一种温控电路，包括整流桥Q、负载RL、二极管Dl、三极管VTl、单向可控硅VS、芯片Ul和热敏电阻VRl，其特征在于，所述负载RL —端分别连接二极管Dl正极和220V交流电一端，二极管Dl负极连接电阻Rl，电阻Rl另一端分别连接三极管VTl集电极、芯片Ul引脚4、芯片Ul引脚8、电位器RPl、二极管D4负极和电容C3，所述负载RL另一端分别连接电容Cl和整流桥Q引脚1，电容Cl另一端连接电阻R2，电阻R2另一端分别连接整流桥Q引脚3和220V交流电另一端，整流桥Q引脚4分别连接单向可控硅VS的K极、三极管VT2发射极、电阻R5、电容C2、芯片Ul引脚1、热敏电阻VR2、二极管D4正极和电容C3另一端，所述整流桥Q引脚2分别连接单向可控硅VS的A极、二极管D3负极和电阻R3，单向可控硅VS的G极连接二极管D2负极，二极管D2正极连接三极管VTl发射极，三极管VTl基极分别连接二极管D3正极、三极管VT2集电极和电阻R4，三极管VT2基极分别连接电阻R3另一端和电阻R5另一端，所述电阻R4另一端连接芯片Ul引脚3，芯片Ul引脚5连接电容C2另一端，芯片Ul引脚6分别连接待完全RPl滑片、电位器RPl另一端和热敏电阻VR1，芯片Ul引脚2分别连接热敏电阻VRl另一端和热敏电阻VR2另一端。
2.根据权利要求1所述的温控电路，其特征在于，所述芯片Ul型号为NE555。
3.根据权利要求1所述的温控电路，其特征在于，所述二极管D4为稳压二极管。
【专利摘要】本实用新型公开了一种温控电路，包括整流桥Q、负载RL、二极管D1、三极管VT1、单向可控硅VS、芯片U1和热敏电阻VR1，负载RL一端分别连接二极管D1正极和220V交流电一端，二极管D1负极连接电阻R1，电阻R1另一端分别连接三极管VT1集电极、芯片U1引脚4、芯片U1引脚8、电位器RP1、二极管D4负极和电容C3，负载RL另一端分别连接电容C1和整流桥Q引脚1。本实用新型通过使用芯片NE555，可以较精确的达到温度控制的目的，电路结构简单，成本低，非常适合推广使用。
【IPC分类】G05D23-24
【公开号】CN204557251
【申请号】CN201520304571
【发明人】宋宇
【申请人】宋宇
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年5月7日