多点传感器的制作方法

文档序号:6348307阅读:227来源:国知局
专利名称:多点传感器的制作方法
多点传感器本发明涉及多点传感器。例如在申请EP 1719047中描述了这样的传感器,其中教导一种多点传感器,包括-由按行布置的导电轨道构成的上层;-由按列布置的导电轨道构成的下层;-位于上层和下层之间的间隔件,以便使上层与下层绝缘。如前述申请EP 1719047所描述的,借助对导电行和列的顺序扫描,这样的传感器尤其可允许同时检测多个激活区。当使用者按压该传感器时,在位于间隔件之间的部分中,上层与下层形成接触。因为上层和下层是导电的,所以该接触允许确定接触点的位置。上层例如由ITO(铟锡氧化物,是一种半透明导电材料)的行构成。该层例如位于 PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)层下方。下层例如由ITO(铟锡氧化物)的列构成,例如位于玻璃层上面。当使用者按压传感器时,ITO的行与ITO的列在间隔件之间直接形成接触。然而,ITO具有沿着行和列的不可忽略的线性电阻,但是,在两层之间的接触位置, 垂直电阻要弱得多;当尤其以正交方式在行和列上激活多个接触点时,行和列的交叉点上表现出的电气特征会被位于这些相同的行和列上的其它接触点干扰。例如,当使用者用正交方式放置在上层上的三个手指按压时,在行、列和接触点之间的信号传输与将第四指以该相同正交性放置的信号传输获得近似相同的测量结果。同样,屏蔽问题可能妨碍对手指位置的满意检测。最后,该特性使得对接触区的准确检测变得困难,甚至不可能,这是因为正交性倾向于把检测限制在矩形区,甚至在接触区具有对角线的情况下也困难。在现有技术中,这些问题可以通过电子处理和不同的校正算法解决。本发明的目的在于在不必使用电子处理的情况下减少传感器上的接触点之间的屏蔽和正交性问题。根据本发明,通过如上所述的多点传感器解决该问题,该多点传感器还包括至少一个电阻中间层,该电阻中间层位于一方面是间隔件并且另一方面是导电的上层和导电的下层中的至少一层之间。通过该补充的电阻层,当使用者按压传感器时,导电的上层不直接与导电的下层接触。该电阻材料在两个导电层之间的存在因此允许减少正交性和屏蔽问题。在使用中, 尤其当在间隔件之间在导电的上层上施加压力时,导电的上层与电阻中间层接触,该电阻中间层本身与导电的下层接触。因此可以检测一个或多个接触点。优选地,上层或下层中的至少一个是透明的,且根据优选的方式,多点传感器由透明层构成,以使得多点传感器是透明的。优选地,电阻材料层被设置为使得在导电的下层和导电的上层之间获得足够高的垂直电阻,同时保持令人满意的信号数量。
特别地,下层具有线性电阻,上层具有线性电阻,中间层的垂直电阻大于下层的线性电阻以及大于上层的线性电阻。优选地,中间层的垂直电阻至少是下层和上层的线性电阻的一百倍。例如,垂直电阻,即在垂直于上层和下层平面的方向上并且位于与行和列的交叉点对应的部分上的电阻,具有从50千欧到200千欧的值。当上层的行和下层的列构成例如边长为1. 5毫米的方形单元矩阵并且与导电轨道的宽度相关的ITO线性电阻介于100至500欧姆之间时,所述值的范围尤其有利。优选地,中间层的阻抗远大于上层和下层的导电材料的阻抗。优选地,中间层是透明的并且例如由硅酮制成。下面参考附图描述本发明的其它有益特征,在附图中-

图1示出根据本发明第一实施方式的多点传感器的剖面图;-图2示出根据本发明第二实施方式的多点传感器的剖面图;-图3示出根据本发明的多点传感器的分解图。在图上,相同的数字标记涉及相似的技术部件。在图1上示出了根据本发明的多点传感器1。优选地,该多点传感器1是透明的多点传感器,以使得构成该传感器的不同层是透明的。在以下,描述透明的传感器1,但应当理解,本发明还可适用于不透明的传感器1, 其因此包括至少一个不透明层。在图1上,传感器1在其上部包括PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)层2。在该PET 层2下面存在ITO (铟锡氧化物)上层3,ITO是半透明导电材料。ITO层3构成PET层2的构造并且对应于传感器1的行。传感器1还在其下部包括玻璃层7。在该层的上面存在ITO下层6。ITO层6构成玻璃层7的构造并且对应于传感器1的列。应当理解,行和列的概念是相对的概念,并且根据传感器的朝向可以交换。仅仅按照惯例,可以认为ITO上层3构成矩阵传感器的行,但对本领域的技术人员来讲显然其也可以构成矩阵传感器的列。在该情况下,ITO下层6将形成该矩阵传感器的行。在这两种情况下,构成上层的ITO的轨道方向垂直于该方向。按照图1所示的实施方式,在ITO下层6的上面布置了中间层5。在该中间层5上面存在间隔件4,间隔件4被布置为使得当不对PET 2的上层施加任何压力时,ITO层3不与中间层5接触。当不对传感器1施加任何压力时,ITO上层3因此借助间隔件4与ITO下层6绝缘。ITO层、PET层和玻璃层是透明的,以使得在该情况下传感器是透明的。图2示出本发明的另一实施方式,其中,中间层5不位于ITO下层6和间隔件4之间,而是位于ITO上层3和间隔件4之间。按照本发明,可以在可能的情况下组合图1和图2的实施方式。在该情况下,可以使用像中间层5那样的两个不同的中间层。第一中间层因此可以如图2所示位于ITO上层 3和间隔件4之间,而第二中间层可以位于ITO下层6和间隔件4之间。
图3示出图1的实施方式的分解透视图。在该图3上,示出了 PET的上层2、ITO 上部行3、间隔件4、中间层5、ITO下部列6以及玻璃下层7。ITO上部行3可以具有1.5毫米的宽度。同样,ITO下部列可以具有1. 5毫米的宽度。ITO行3和ITO列6因此构成边长1. 5毫米的方形单元矩阵。上面描述的多点传感器1被用来设置在允许显示不同对象的屏幕上面,以使得上述的不同层优选是透明的。ITO的优点尤其在于是一种导电且透明的材料。现在更详细地描述如用在图1至图3的上述实施方式中的中间层5。中间层5是透明的,具有弱导电性。其构成非结构化的连续层。对最大透明性系数进行了研究,以便不影响传感器的光学性能。中间层5具有极弱的导电性。优选地,其具有垂直(也就是说,垂直于ITO上层3和ITO下层6的平面的方向) 电阻,该垂直电阻在如上描述的边长1. 5毫米的方形单元内介于50千欧至200千欧之间。垂直电阻的值被选择为使得其至少是ITO层的线性电阻的一百倍,这允许在使用传感器时以令人满意的方式避免点的屏蔽问题。垂直电阻的值还被选择为使得在使用时(也就是说当ITO上层3与中间电阻层5 接触时,中间电阻层5本身与ITO下层6接触)保持令人满意的信号水平。申请人:已经基于测试确定,在上述描述的边长1. 5毫米的方形单元中,50千欧至 200千欧的范围允许在信号水平和屏蔽问题的改善之间获得较好的折衷。中间层5例如由半导体材料制成,尤其是由硅酮制成。层的厚度例如约为300微米,电阻率为6400hm.m(欧姆 米)。在该情况下,对于如上描述的1. 5毫米的方形单元,硅酮层的垂直电阻为85. 4千欧。该值因此正好介于上述范围之中。在使用时,使用者在必要时同时用多个手指按压PET上层2,其效果是在上面描述的两个实施方式中,ITO上层3与中间层5接触,中间层5本身与ITO下层6接触。因此可以检测使用者的一指或多指的接触。优选地,可以实现对由ITO行和列构成的矩阵的顺序扫描。该扫描例如在申请EP 1719047中描述。
权利要求
1.一种多点传感器(1),包括:-由按行布置的导电轨道构成的上层(3);-由按列布置的导电轨道构成的下层(6);-间隔件G),位于所述上层和所述下层之间以便隔离所述上层(3)与所述下层(6);所述传感器还包括至少一个电阻中间层(5),所述至少一个电阻中间层(5)位于两方面之间一方面是所述间隔件,另一方面是导电的所述上层和导电的所述下层中的至少一层;其特征在于,所述下层(6)具有线性电阻,所述上层(3)具有线性电阻,所述中间层(5) 具有垂直电阻并且所述中间层(5)的垂直电阻大于所述下层(6)的线性电阻以及大于所述上层(3)的线性电阻。
2.根据权利要求1所述的多点传感器,其中,所述上层或所述下层中的至少一个是透明的。
3.根据权利要求2所述的多点传感器,其中,所述多点传感器由透明层构成,以使得所述多点传感器是透明的。
4.根据前述权利要求之一所述的多点传感器,其中,所述中间层(5)的层的垂直电阻是所述下层和所述上层的垂直电阻的一百倍。
5.根据前述权利要求之一所述的多点传感器,其中,导电的所述上层(3)的行和导电的所述下层(6)的列构成方形单元的矩阵。
6.根据权利要求5所述的多点传感器,其中,所述方形单元的边长为1.5毫米。
7.根据前述权利要求之一所述的多点传感器,其中,所述中间层(5)的垂直电阻具有从50千欧到200千欧的值。
8.根据前述权利要求之一所述的多点传感器,其中,所述中间层(5)由硅酮制成。
9.根据前述权利要求之一所述的多点传感器,其中,导电的所述上层由铟锡氧化物 ITO的行构成。
10.根据前述权利要求之一所述的多点传感器,其中,导电的所述下层由铟锡氧化物 ITO的列构成。
11.根据前述权利要求之一所述的多点传感器,其中,导电的所述上层位于聚对苯二甲酸乙二醇酯PET层⑵下面。
12.根据前述权利要求之一所述的多点传感器,其中,导电的所述下层位于玻璃层(7) 上面。
13.根据前述权利要求之一所述的多点传感器,其中,所述中间层是透明的。
14.根据前述权利要求之一所述的多点传感器,其中,所述中间层的阻抗远大于所述上层和所述下层的导电材料的阻抗。
全文摘要
本发明涉及一种多点传感器(1),包括-由按行布置的导电轨道构成的上层(3);-由按列布置的导电轨道构成的下层(6);-间隔件(4),位于上层和下层之间以便使上层(3)与下层(6)绝缘,其特征在于,该传感器还包括至少一个电阻中间层(5),所述至少一个电阻中间层(5)位于一方面是间隔件并且另一方面是导电的上层和导电的下层中的至少一层之间。
文档编号G06F3/047GK102317894SQ201080007862
公开日2012年1月11日 申请日期2010年2月17日 优先权日2009年2月17日
发明者帕斯卡尔·若盖, 朱利安·奥利维耶 申请人:斯坦图姆公司
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