专利名称：触摸基底和制造该触摸基底的方法
技术领域：
本发明的示例性实施例涉及一种触摸基底和一种制造该触摸基底的方法。更具体地讲，本发明的示例性实施例涉及一种包括灵敏度得到提高的感测元件的触摸基底和一种制造该触摸基底的方法。
背景技术：
通常，液晶显示(IXD)面板包括第一基底，薄膜晶体管形成在第一基底上，以驱动像素区域；第二基底，与第一基底相对设置；液晶层，设置在第一基底和第二基底之间。LCD面板可用作由外部触摸操作的触摸面板。在传统的LCD触摸面板中，LCD面板的第二基底可包括感测元件以及控制该感测元件的开关元件。当触摸LCD面板时，感测元件吸收波长在预定波长范围内的入射光，以产生光电流。连接到LCD面板的中央处理单元可利用该光电流以及在入射光被吸收之前所确定的感测元件的暗电流(dark current)来确定触摸位置。感测元件通常具有不同于开关元件的电特性。开关元件通常利用栅极信号来控制导通和截止。相比之下，IXD面板的感测元件产生光电流，所以感测元件可对入射光具有高灵敏度。为了提高感测元件的灵敏度，可大幅增加接收入射光的有源图案的尺寸，或者可大幅增加有源图案的厚度。然而，当有源图案的尺寸增加时，设置在触摸面板上的感测元件的数量可能会大幅减少。此外，当有源图案的厚度增加时，处理时间可能会大幅增加，并且基体基底可能会因高应力而弯曲。
发明内容
本发明的示例性实施例提供一种触摸灵敏度得到提高的触摸基底。本发明的示例性实施例还提供一种制造所述触摸基底的方法。在示例性实施例中，触摸基底包括基体基底、第一感测元件和第一可变电压部分。 所述第一感测元件感测第一光，并包括第一有源图案，设置在所述基体基底上；第一感测源电极，设置在所述第一有源图案上；第一感测漏电极，设置在所述第一有源图案上并与所述第一感测源电极隔开；第一感测栅电极，设置在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上。所述第一可变电压部分在接收所述第一光的基础上将第一感测栅极电压和第二感测栅极电压中的至少一种提供到所述第一感测栅电极，其中，所述第二感测栅极电压的电平高于所述第一感测栅极电压的电平。在示例性实施例中，当没有接收到所述第一光时，所述第一可变电压部分可将所述第一感测栅极电压提供到所述第一感测栅电极，当接收到所述第一光时，所述第一可变电压部分可将所述第二感测栅极电压提供到所述第一感测栅电极。在示例性实施例中，所述触摸基底还可包括第一开关元件，所述第一开关元件包括第一开关栅电极、第二有源图案、第一开关源电极和第一开关漏电极，所述第二有源图案设置在所述第一开关栅电极上，所述第一开关源电极设置在所述第二有源图案上，所述第一开关漏电极设置在所述第二有源图案上并与所述第一开关源电极隔开；第一感测栅极线，电连接到所述第一开关栅电极，以将第一感测栅极信号传输到所述第一开关栅电极；第一偏置电压线，电连接到所述第一感测源电极，以将第一偏置电压传输到所述第一感测源电极；第二偏置电压线，电连接到所述第一可变电压部分，以将第二偏置电压传输到所述第一可变电压部分。在示例性实施例中，所述第一可变电压部分可包括第一光阻挡图案，阻挡所述第一光；第一可变源电极，设置在所述第一光阻挡图案上并电连接到所述第一偏置电压线； 第二可变源电极，电连接到所述第二偏置电压线；第一共漏电极，与所述第一可变源电极和所述第二可变源电极分开地设置在所述第一可变源电极和所述第二可变源电极之间，其中，所述第一共漏电极电连接到所述第一感测栅电极；第一公共有源图案，设置在所述第一可变源电极、所述第二可变源电极以及所述第一共漏电极之下；第一共栅电极，设置在所述第一可变源电极、所述第二可变源电极以及所述第一共漏电极上，并与所述第一公共有源图案叠置。在示例性实施例中，所述第一共栅电极可电连接到所述第二可变源电极，以接收所述第二偏置电压。在示例性实施例中，所述第一可变电压部分可包括第一光阻挡图案，阻挡所述第一光；第一输入电极，设置在所述第一光阻挡图案上并电连接到所述第一偏置电压线；第二输入电极，电连接到所述第二偏置电压线；第一共输出电极，与所述第一输入电极和所述第二输入电极分开地设置在所述第一输入电极和所述第二输入电极之间，其中，所述第一共输出电极电连接到所述第一感测栅电极；第一公共有源图案，设置在所述第一输入电极、 所述第二输入电极以及所述第一共输出电极之下。在示例性实施例中，所述触摸基底还可包括第二开关元件，所述第二开关元件包括第二开关栅电极、第三有源图案、第二开关源电极和第二开关漏电极，所述第三有源图案设置在所述第二开关栅电极上，所述第二开关源电极设置在所述第三有源图案上，所述第二开关漏电极设置在所述第三有源图案上并与所述第二开关源电极隔开；第二感测元件， 感测第二光，其中，所述第二感测元件包括第二感测漏电极、第二感测源电极、第四有源图案和第二感测栅电极，所述第二感测漏电极电连接到所述第二开关源电极，所述第二感测源电极与所述第二感测漏电极分开设置，所述第四有源图案设置在所述第二感测漏电极和所述第二感测源电极之下，所述第二感测栅电极设置在所述第二感测漏电极和所述第二感测源电极上；第二可变电压部分，在接收所述第二光的基础上将第三感测栅极电压和第四感测栅极电压中的至少一种提供到所述第二感测栅电极，其中，所述第四感测栅极电压的电平高于所述第三感测栅极电压的电平。在示例性实施例中，所述触摸基底还可包括第二感测栅极线，电连接到所述第二开关栅电极；第一读出线，电连接到所述第一开关漏电极，以从所述第一感测元件输出第一感测信号；第二读出线，电连接到所述第二开关漏电极，以从所述第二感测元件输出第二感测信号。在示例性实施例中，所述触摸基底还可包括第二光阻挡图案，设置在所述第一感测元件之下，其中，所述第一光是红外光，所述第二光是可见光，所述第二光阻挡图案透射所述第一光并吸收所述第二光。
在示例性实施例中，所述触摸基底还可包括第二光阻挡图案，设置在所述第二感测元件之下，其中，所述第一光是可见光，所述第二光是红外光，所述第二光阻挡图案透射所述第二光并吸收所述第一光。在另一示例性实施例中，一种制造触摸基底的方法包括在基体基底上设置第一光阻挡图案；在设置有所述第一光阻挡图案的所述基体基底上设置第一有源图案和第一公共有源图案，其中，将所述第一公共有源图案设置成与所述第一光阻挡图案叠置；在所述第一有源图案上设置第一感测源电极和第一感测漏电极，其中，所述第一感测源电极与所述第一感测漏电极彼此隔开；在所述第一公共有源图案上设置第一可变源电极、第一共漏电极和第二可变源电极，其中，所述第一可变源电极、所述第一共漏电极与所述第二可变源电极相互隔开；在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上设置第一感测栅电极，并将所述第一感测栅电极电连接到所述第一共漏电极，在所述第一可变源电极、所述第二可变源电极和所述第一共漏电极上设置第一共栅电极。在示例性实施例中，所述第一有源图案和所述第一公共有源图案可包括非晶硅锗。在示例性实施例中，所述方法还可包括在形成所述第一有源图案和所述第一公共有源图案之前，在所述基体基底上设置第二光阻挡图案，其中，可将所述第二光阻挡图案设置成与所述第一有源图案叠置。在示例性实施例中，所述第一光阻挡图案、所述第二光阻挡图案、所述第一有源图案和所述第一公共有源图案可包括非晶硅。在示例性实施例中，所述方法还可包括在所述第一感测源电极与所述第一感测栅电极之间设置绝缘层，在所述第一感测漏电极与所述第一感测栅电极之间设置绝缘层， 在所述第一可变源电极与所述第一共栅电极之间设置绝缘层，在所述第二可变源电极与所述第一共栅电极之间设置绝缘层；在所述绝缘层上形成接触孔，其中，所述接触孔使所述第二可变源电极暴露，其中，通过所述接触孔将所述第一共栅电极连接到所述第二可变源电极。在另一示例性实施例中，一种制造触摸基底的方法包括在基体基底上设置第一光阻挡图案；在设置有所述第一光阻挡图案的所述基体基底上设置第一有源图案和第一公共有源图案，其中，将所述第一公共有源图案设置成与所述第一光阻挡图案叠置；在所述第一有源图案上设置第一感测源电极和第一感测漏电极，其中，所述第一感测源电极与所述第一感测漏电极彼此隔开；在所述第一公共有源图案上设置相互隔开的第一可变源电极、 第一共漏电极和第二可变源电极；在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上设置第一感测栅电极，并将所述第一感测栅电极电连接到所述第一共漏电极。在示例性实施例中，所述第一有源图案和所述第一公共有源图案可包括非晶硅锗。在示例性实施例中，所述方法还可包括在设置所述第一有源图案和所述第一公共有源图案之前，在所述基体基底上设置第二光阻挡图案，其中，将所述第二光阻挡图案设置成与所述第一有源图案叠置。在示例性实施例中，所述第一光阻挡图案、所述第二光阻挡图案、所述第一有源图案和所述第一公共有源图案可包括非晶硅。
在示例性实施例中，控制施加到感测红外光和/或可见光的感测元件的感测栅电极的感测栅极电压，使得感测元件的光电流大幅增加。因此，大幅提高感测元件的灵敏度。
通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其他方面、特征和优点将会变得更加清楚，在附图中图1是根据本发明的显示设备的示例性实施例的剖视图；图2是图1的触摸基底的示例性实施例的俯视图；图3是示出图2的触摸基底的等效电路图；图4是沿着图2的1-1’线截取的剖视图；图5是沿着图2的11-11’线截取的剖视图；图6A至图6F是示出制造图4的触摸基底的方法的示例性实施例的剖视图；图7是根据本发明的触摸基底的可选示例性实施例的俯视图；图8是示出图7的触摸基底的等效电路图；图9是沿着图7的III-III’线截取的剖视图；图10是沿着图7的IV-IV’线截取的剖视图；图11是示出第一可变电压部分的示例性实施例的感测栅极电压根据第二偏置电压的变化的曲线图；图12A和图12B是示出第一感测元件的示例性实施例的电流-电压特性的曲线图。
具体实施例方式以下，将参照附图来更加充分地描述本发明，本发明的实施例在附图中示出。然而，本发明可以以多种不同的形式实施，并不应该被解释为限于在此阐述的实施例。相反， 提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。相同的标号始终指示相同的元件。应该理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者可以存在中间元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。如在此所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何组合和所有组合。应该理解的是，尽管在此可使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称为第二元件、组件、区域、层或部分。在此所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例的目的，而不意在成为本发明的限制。如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意在包括复数形式。还应该理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，表明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、区域、 整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，在此可使用相对关系术语，例如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”，来描述如图中所示的一个元件与其他元件的关系。应该理解的是，所述相对关系术语意在包括除图中示出的方位之外的装置的不同方位。例如，如果将一幅图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件那时将被定位为在所述其他元件的“上”侧。因此，根据图的具体方位，示例性术语“下”可包括“下”和“上”两个方位。类似地，如果将一幅图中的装置翻转，则被描述为“在”其他元件“之下”或“下方”的元件那时将被定位为“在”其他元件“之
上”。因此，示例性术语“在......之下”或“在......下方”可包括“在......之上”和
“在......之下”两个方位。除非另外限定，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的意思与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同。还应该理解的是，除非在此明确定义，否则术语(诸如那些在通用字典里定义的术语)应该被解释为具有与本公开和相关领域上下文中它们的意思一致的意思，并且将不以理想化或过于正式的含义来解释它们。在此参照作为本发明的理想实施例的示意图的剖视图来描述本发明的示例性实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的示出的形状变化。因此，本发明的实施例不应该被解释为限于在此示出的区域的具体形状，而应该被解释为包括例如由制造导致的形状上的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以是圆的。因此，在附图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意在示出区域的精确形状，也不意在限制本发明的范围。除非在此另有指示或者通过上下文另外清楚地否定，否则在此所描述的所有方法可以以合适的顺序执行。除非另有声明，否则任何和全部示例的使用或者示例性语言(如 “例如”)仅意在更好地阐明本发明，并不限制本发明的范围。说明书中的语言不应该被解释为指示在此所使用的任何未声明的元件对实施本发明是必要的。以下，将参照附图对本发明的示例性实施例进行详细说明。图1是根据本发明的显示设备的示例性实施例的剖视图。参照图1，显示设备1000包括触摸面板400以及向触摸面板400提供光的背光组件 500。在示例性实施例中，触摸面板400包括显示基底100 ；触摸基底200，与显示基底 100相对设置；液晶层300，设置在显示基底100和触摸基底200之间。显示基底100可包括像素开关元件110，设置在第一基体基底101上；像素电极 PE,电连接到像素开关元件110 ；绝缘层120。绝缘层120可包括栅极绝缘层(未示出)， 设置在像素开关元件110的栅电极(未示出)上；钝化层(未示出)，设置在像素开关元件 110的源电极和漏电极(未示出)上。触摸基底200可包括第一感光部分LSP1、第二感光部分LSP2、第一可变电压部分 (未示出)以及第二可变电压部分(未示出)。第一感光部分LSPl可包括第一感测元件 (未示出)，感测红外光；第一开关元件(未示出)，驱动第一感测元件。第二感光部分LSP2 可包括第二感测元件(未示出)，感测可见光；第二开关元件(未示出)，驱动第二感测元件。第一可变电压部分电连接到第一感测元件的感测栅电极并提供可变栅极电压。第二可变电压部分电连接到第二感测元件的感测栅电极并提供可变栅极电压。触摸基底200还可包括黑色矩阵BM、滤色器层CF、覆层OC以及共电极CE。共电极CE可被设置为面对像素电极PE，并在液晶层300中产生电场。背光组件500设置在显示基底100之下。背光组件500可包括第一光源(未示出)，产生红外光；第二光源(未示出)，产生可见光。在示例性实施例中，第一光源和第二光源可以是发光二极管。图2是图1的触摸基底的示例性实施例的俯视图。图3是示出图2的触摸基底的等效电路图。图4是沿着图2的1-1’线截取的剖视图。图5是沿着图2的11-11’线截取的剖视图。参照图2至图5，触摸基底200可包括第一感测栅极线SGL1、第一偏置电压线 BVL1、第二偏置电压线BVL2、第一读出线R0L1、第一感光部分LSPl (图1)、第一光阻挡图案 BP1、第一可变电压部分MO以及第一电容器252。第一感测栅极线SGLl基本上沿第一方向延伸并传输第一感测栅极信号。第一偏置电压线BVLl基本上沿与第一方向相交的第二方向延伸并传输第一偏置电压。第二偏置电压线BVL2基本上沿第二方向延伸并传输第二偏置电压。第一读出线ROLl基本上沿第二方向延伸。第一读出线ROLl在一帧中将参考电压施加到第一感光部分LSPl的第一开关元件SWTRl，并在随后的一帧中从第一感光部分LSPl 的第一感测元件STRl读出感测信号。第一感光部分LSPl包括第一感测元件STRl和第一开关元件SWTRl。第一开关元件SWTRl可包括第一开关栅电极SWG1、第一有源图案API、第一开关源电极SWSl以及第一开关漏电极SWDl。第一开关栅电极SWGl电连接到第一感测栅极线 SGL1。第一有源图案APl被设置为与第一开关栅电极SWGl叠置。栅极绝缘层210设置在第一有源图案APl和第一开关栅电极SWGl之间。第一有源图案APl可包括第一半导体层 222和第一欧姆接触层224。第一半导体层222可包括非晶硅(a_Si)，第一欧姆接触层224 可包括高浓度掺杂N型掺杂剂的N+氢化非晶硅(n+a-Si)。第一开关源电极SWSl和第一开关漏电极SWDl彼此分开地设置在第一有源图案APl上。第一开关漏电极SWDl电连接到第一读出线ROLl。在示例性实施例中，第一开关元件SWTRl还可包括第一顶栅电极TGl。第一顶栅电极TGl可通过第一接触孔CNTl电连接到第一开关栅电极SWGl。第一顶栅电极TGl电连接到第一偏置电压线BVL1，以接收第一偏置电压。第一开关元件SWTRl可具有包括第一开关栅电极SWGl和第一顶栅电极TGl的双栅极结构。第一感测元件STRl感测第一光，例如，红外光。第一感测元件STRl包括第二有源图案AP2、第一感测源电极SS1、第一感测漏电极SDl以及第一感测栅电极SG1。第二有源图案AP2可包括第二半导体层232和第二欧姆接触层234。在示例性实施例中，第二半导体层232可包括a-SiGe (非晶硅锗)，第二欧姆接触层234可包括高浓度掺杂N型掺杂剂的 n+a-Si。第一感测源电极SSl和第一感测漏电极SDl彼此分开地设置在第二有源图案AP2 上。第一感测源电极SSl通过第二接触孔CNT2电连接到第一偏置电压线BVLl。第一感测漏电极SDl电连接到第一开关源电极SWSl。在示例性实施例中，第一感测源电极SSl和第一感测漏电极SDl中的每个均可包括具有重复的U形图案的锯齿形图案，以使第一感测元件STRl的沟道区域增加。第一感测栅电极SGl设置在第一感测源电极SSl和第一感测漏电极SDl上。
第一光阻挡图案BPl设置在第一感测元件STRl之下。第一光阻挡图案BPl可包括半导体。在示例性实施例中，第一光阻挡图案BPl可包括a-SiGe。第一光阻挡图案BPl 透射红外光并通过吸收可见光来阻挡可见光。第一光阻挡图案BPl可通过第三接触孔CNT3 电连接到第一感测栅电极SGl。因此，第一感测元件STRl可具有包括第一感测栅电极SGl 和第一光阻挡图案BPl的双栅极结构。第一可变电压部分MO电连接到第一感测栅电极SGl。第一可变电压部分240在接收第一光(例如，红外光)的基础上将第一感测栅极电压和第二感测栅极电压中的至少一种提供到第一感测栅电极SG1。第二感测栅极电压的电平高于第一感测栅极电压的电平。 在示例性实施例中，当没有接收到红外光时，第一可变电压部分240可将第一感测栅极电压提供到第一感测栅电极SG1。当接收到红外光时，第一可变电压部分240可将第二感测栅极电压提供到第一感测栅电极SGl。在示例性实施例中，第一感测栅极电压可具有负(_) 电平。在示例性实施例中，第二感测栅极电压可具有约OV至约5V的电平。第一可变电压部分240可包括第一公共有源图案CAP1、第一可变源电极VS1、第一共漏电极⑶1、第二可变源电极VS2、第一共栅电极CGl以及第二光阻挡图案BP2。第一公共有源图案CAPl可包括第二半导体232和第二欧姆接触层234。第一可变源电极VSl设置在第一公共有源图案CAPl上，并通过第四接触孔CNT4电连接到第一偏置电压线BVLl。第一共漏电极⑶1设置在第一可变源电极VSl和第二可变源电极VS2之间。第一共漏电极OTl 与第一可变源电极VSl隔开，并通过第五接触孔CNT5电连接到第一感测栅电极SG1。第二可变源电极VS2与第一共漏电极CDl隔开，并通过第六接触孔CNT6电连接到第二偏置电压线BVL2。第一共栅电极CGl设置在第一可变源电极VS1、第一共漏电极⑶1以及第二可变源电极VS2上，并被设置为与第一公共有源图案CAPl叠置。第一共栅电极CGl通过第六接触孔CNT6电连接到第二可变源电极VS2。在一个示例性实施例中，第一共栅电极CGl可电连接到附加信号线，以接收栅极信号。第一光敏电阻开关元件LTRl (在图3中)由第一公共有源图案CAP1、第一可变源电极VS1、第一共漏电极CDl以及第一共栅电极CGl共同限定。第二光敏电阻开关元件 LTR2(在图3中)由第一公共有源图案CAP1、第二可变源电极VS2、第一共漏电极⑶1以及第一共栅电极CGl共同限定。因此，第一可变电压部分240可具有包括并联连接到第一感测栅电极SGl的第一光敏电阻开关元件LTRl和第二光敏电阻开关元件LTR2的结构。可按照如下的式1来限定施加到第一感测栅电极SGl的感测栅极电压。〈式1>
权利要求
1.一种触摸基底，所述触摸基底包括 基体基底；第一感测元件，感测第一光，其中，所述第一感测元件包括 第一有源图案，设置在所述基体基底上； 第一感测源电极，设置在所述第一有源图案上；第一感测漏电极，设置在所述第一有源图案上并与所述第一感测源电极隔开； 第一感测栅电极，设置在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上； 第一可变电压部分，在接收所述第一光的基础上将第一感测栅极电压和第二感测栅极电压中的至少一种提供到所述第一感测元件的所述第一感测栅电极，其中，所述第二感测栅极电压的电平高于所述第一感测栅极电压的电平。
2.如权利要求1所述的触摸基底，其中当没有接收到所述第一光时，所述第一可变电压部分将所述第一感测栅极电压提供到所述第一感测栅电极，当接收到所述第一光时，所述第一可变电压部分将所述第二感测栅极电压提供到所述第一感测栅电极。
3.如权利要求1所述的触摸基底，所述触摸基底还包括 第一开关元件，所述第一开关元件包括第一开关栅电极；第二有源图案，设置在所述第一开关栅电极上； 第一开关源电极，设置在所述第二有源图案上；第一开关漏电极，设置在所述第二有源图案上并与所述第一开关源电极隔开； 第一感测栅极线，电连接到所述第一开关栅电极，以将第一感测栅极信号传输到所述第一开关栅电极；第一偏置电压线，电连接到所述第一感测源电极，以将第一偏置电压传输到所述第一感测源电极；第二偏置电压线，电连接到所述第一可变电压部分，以将第二偏置电压传输到所述第一可变电压部分。
4.如权利要求3所述的触摸基底，其中，所述第一可变电压部分包括 第一光阻挡图案，阻挡所述第一光；第一可变源电极，设置在所述第一光阻挡图案上并电连接到所述第一偏置电压线； 第二可变源电极，电连接到所述第二偏置电压线；第一共漏电极，与所述第一可变源电极和所述第二可变源电极分开地设置在所述第一可变源电极和所述第二可变源电极之间，其中，所述第一共漏电极电连接到所述第一感测栅电极；第一公共有源图案，设置在所述第一可变源电极、所述第二可变源电极以及所述第一共漏电极之下；第一共栅电极，设置在所述第一可变源电极、所述第二可变源电极以及所述第一共漏电极上，并与所述第一公共有源图案叠置。
5.如权利要求4所述的触摸基底，其中，所述第一共栅电极电连接到所述第二可变源电极，以接收所述第二偏置电压。
6.如权利要求3所述的触摸基底，其中，所述第一可变电压部分包括 第一光阻挡图案，阻挡所述第一光；第一输入电极，设置在所述第一光阻挡图案上并电连接到所述第一偏置电压线； 第二输入电极，电连接到所述第二偏置电压线；第一共输出电极，与所述第一输入电极和所述第二输入电极分开地设置在所述第一输入电极和所述第二输入电极之间，其中，所述第一共输出电极电连接到所述第一感测栅电极；第一公共有源图案，设置在所述第一输入电极、所述第二输入电极以及所述第一共输出电极之下。
7.如权利要求3所述的触摸基底，所述触摸基底还包括 第二开关元件，所述第二开关元件包括第二开关栅电极；第三有源图案，设置在所述第二开关栅电极上； 第二开关源电极，设置在所述第三有源图案上；第二开关漏电极，设置在所述第三有源图案上并与所述第二开关源电极隔开； 第二感测元件，感测第二光，其中，所述第二感测元件包括 第二感测漏电极，电连接到所述第二开关源电极； 第二感测源电极，与所述第二感测漏电极分开设置； 第四有源图案，设置在所述第二感测漏电极和所述第二感测源电极之下； 第二感测栅电极，设置在所述第二感测漏电极和所述第二感测源电极上； 第二可变电压部分，在接收所述第二光的基础上将第三感测栅极电压和第四感测栅极电压中的至少一种提供到所述第二感测栅电极，其中，所述第四感测栅极电压的电平高于所述第三感测栅极电压的电平。
8.如权利要求7所述的触摸基底，所述触摸基底还包括 第二感测栅极线，电连接到所述第二开关栅电极；第一读出线，电连接到所述第一开关漏电极，以从所述第一感测元件输出第一感测信号；第二读出线，电连接到所述第二开关漏电极，以从所述第二感测元件输出第二感测信号。
9.如权利要求7所述的触摸基底，所述触摸基底还包括 第二光阻挡图案，设置在所述第一感测元件之下，其中，所述第一光是红外光，所述第二光是可见光， 其中，所述第二光阻挡图案透射所述第一光并吸收所述第二光。
10.如权利要求7所述的触摸基底，所述触摸基底还包括 第二光阻挡图案，设置在所述第二感测元件之下，其中，所述第一光是可见光，所述第二光是红外光， 其中，所述第二光阻挡图案透射所述第二光并吸收所述第一光。
11.一种制造触摸基底的方法，所述方法包括在基体基底上设置第一光阻挡图案；在设置有所述第一光阻挡图案的所述基体基底上设置第一有源图案和第一公共有源图案，其中，将所述第一公共有源图案设置成与所述第一光阻挡图案叠置；在所述第一有源图案上设置第一感测源电极和第一感测漏电极，其中，所述第一感测源电极与所述第一感测漏电极彼此隔开；在所述第一公共有源图案上设置第一可变源电极、第一共漏电极和第二可变源电极， 其中，所述第一可变源电极、所述第一共漏电极与所述第二可变源电极相互隔开；在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上设置第一感测栅电极，并将所述第一感测栅电极电连接到所述第一共漏电极，在所述第一可变源电极、所述第二可变源电极和所述第一共漏电极上设置第一共栅电极。
12.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一有源图案和所述第一公共有源图案包括非晶硅锗。
13.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括在设置所述第一有源图案和所述第一公共有源图案之前，在所述基体基底上设置第二光阻挡图案，其中，将所述第二光阻挡图案设置成与所述第一有源图案叠置。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述第一光阻挡图案、所述第二光阻挡图案、所述第一有源图案和所述第一公共有源图案包括非晶硅。
15.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括在所述第一感测源电极与所述第一感测栅电极之间设置绝缘层，在所述第一感测漏电极与所述第一感测栅电极之间设置绝缘层，在所述第一可变源电极与所述第一共栅电极之间设置绝缘层，在所述第二可变源电极与所述第一共栅电极之间设置绝缘层； 在所述绝缘层上形成接触孔，其中，所述接触孔使所述第二可变源电极暴露， 其中，通过所述接触孔将所述第一共栅电极连接到所述第二可变源电极。
16.一种制造触摸基底的方法，所述方法包括 在基体基底上设置第一光阻挡图案；在设置有所述第一光阻挡图案的所述基体基底上设置第一有源图案和第一公共有源图案，其中，将所述第一公共有源图案设置成与所述第一光阻挡图案叠置；在所述第一有源图案上设置彼此隔开的第一感测源电极和第一感测漏电极； 在所述第一公共有源图案上设置相互隔开的第一可变源电极、第一共漏电极和第二可变源电极；在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上设置第一感测栅电极，并将所述第一感测栅电极电连接到所述第一共漏电极。
17.如权利要求16所述的方法，其中，所述第一有源图案和所述第一公共有源图案包括非晶硅锗。
18.如权利要求16所述的方法，所述方法还包括在设置所述第一有源图案和所述第一公共有源图案之前，在所述基体基底上设置第二光阻挡图案，其中，将所述第二光阻挡图案设置成与所述第一有源图案叠置。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述第一光阻挡图案、所述第二光阻挡图案、所述第一有源图案和所述第一公共有源图案包括非晶硅。
全文摘要
本发明提供一种触摸基底和制造该触摸基底的方法。所述触摸基底包括基体基底、第一感测元件和第一可变电压部分。所述第一感测元件感测第一光并包括第一有源图案，设置在所述基体基底上；第一感测源电极，设置在所述第一有源图案上；第一感测漏电极，设置在所述第一有源图案上并与所述第一感测源电极隔开；第一感测栅电极，设置在所述第一感测源电极和所述第一感测漏电极上。所述第一可变电压部分在接收所述第一光的基础上将第一感测栅极电压和第二感测栅极电压中的至少一种提供到所述第一感测栅电极，其中，所述第二感测栅极电压的电平高于所述第一感测栅极电压的电平。
文档编号G06F3/041GK102375600SQ20111022996
公开日2012年3月14日 申请日期2011年8月8日 优先权日2010年8月6日
发明者金希骏 申请人:三星电子株式会社