触摸感应电路、面板和触摸感应显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种触摸感应电路、面板和触摸感应显示装置，该触摸感应电路包括：第一栅线、第二栅线、数据线、信号传输线和公共电极，第一栅线、第二栅线和数据线限定出多个像素单元，像素单元内形成有第一开关管、第二开关管和第三开关管，信号传输线连接于信号处理器；第三开关管串联于第一开关管和第二开关管之间；第一开关管与第三开关管的连接处形成第一节点，第二开关管与第三开关管的连接处形成第二节点，第一节点与公共电极之间形成有不可变的第一电容，第二节点与公共电极之间形成有可变的第二电容；信号传输线与第二开关管连接，数据线与第一开关管连接。本实用新型提高了触摸感应的灵敏度。
【专利说明】触摸感应电路、面板和触摸感应显示装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及触摸感应【技术领域】，特别涉及一种触摸感应电路、面板和触摸感应显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，内嵌式触摸屏具有整合在感应面板中使整个面板集成度更高、面板更加轻薄等优点而被广泛应用。内嵌式触摸屏可以集成触摸和感应功能，为了使得触摸屏具有较好的触摸灵敏度，图1为现有技术中的触摸感应电路的结构示意图，如图1所示，该触摸感应电路包括:数据线、第一栅线、第二栅线、信号传输线、液晶电容Clc、存储电容Cst、公共电极、信号处理器、薄膜晶体管Tl、薄膜晶体管T2，其中，薄膜晶体管Tl的源极与数据线连接，薄膜晶体管Tl的栅极与第二栅线连接，薄膜晶体管Tl的漏极与薄膜晶体管T2的源极连接，薄膜晶体管T2的漏极与信号传输线连接，薄膜晶体管T2的栅极与第一栅线连接。薄膜晶体管Tl与薄膜晶体管T2的连接处形成第二节点P点，第二节点P点与液晶电容Clc的一端和存储电容Cst的一端连接，公共电极与液晶电容Clc的另一端和存储电容Cst的另一端连接，公共电极提供的电压为Vcom。图2为液晶面板无触摸发生时的液晶排布示意图，图3为液晶面板有触摸发生时的液晶排布不意图，由图2和图3可知，由于液晶作为各向异性的一种介质，液晶电容Clc与液晶分子的取向和间距有关，当触摸液晶面板时，液晶电容Clc会发生变化，而存储电容Cst不会发生变化。
[0003]如图1所示，该触摸感应电路的工作原理为:假设在上一帧画面中写入像素单元的电压为Vp，因此存储在液晶电容Clc和存储电容Cst中的电荷为:
[0004]Qp=Vp* (Cst+Clc)·[0005]当第一栅线处施加高电平时，薄膜晶体管T2导通，第二节点的电压Vp通过信号传输线传输至信号处理器101，信号处理器比较第二节点P点的电压Vp和参考电压Vref以判断触摸是否发生。具体地，无触摸发生时，第二节点P点电压为Vp ;有发生触摸时，液晶电容Clc变化为Λ Clc，由电荷守恒原理可知，P点电压变为:Vpr =Vp*Clc/(Clc+Δ Clc), PJ有触摸发生时和无触摸发生时P点电压变化为:
[0006]Δ Vpl=Vplj -Vp ^ Vp* Δ Clc/ (Cst+Clc) / (Cst+Clc)
[0007]由上式可知，Λ Vpl的大小直接决定了触摸功能的灵敏度。
[0008]现有技术存在如下问题:在液晶电容Clc变化相同均为AClc的情况下，有触摸发生时和无触摸发生时的P点电压变化Λ Vpl太小，降低了触摸感应的灵敏度。
实用新型内容
[0009]本实用新型提供一种触摸感应电路、面板和触摸感应显示装置，其可以提高触摸感应的灵敏度。
[0010]为实现上述目的，本实用新型提供了一种触摸感应电路，包括:第一栅线、第二栅线、数据线、信号传输线和公共电极，所述第一栅线、所述第二栅线和所述数据线限定出多个像素单元，所述像素单元内形成有第一开关管、第二开关管和第三开关管，所述信号传输线连接于用于根据信号变化而判断是否有触摸动作发生的信号处理器；
[0011]所述第三开关管串联于所述第一开关管和所述第二开关管之间；
[0012]所述第一开关管与所述第三开关管的连接处形成第一节点，所述第二开关管与所述第三开关管的连接处形成第二节点，所述第一节点与所述公共电极之间形成有不可变的第一电容，所述第二节点与所述公共电极之间形成有可变的第二电容；
[0013]所述信号传输线与所述第二开关管连接，所述数据线与所述第一开关管连接。
[0014]可选地，所述第一开关管包括:有源层图形、第一栅极、第一源极、第一漏极，所述第二开关管包括:有源层图形、第二栅极、第二源极、第二漏极，所述第三开关管包括:有源层图形、第三栅极、第三源极、第三漏极；
[0015]所述第一源极与所述数据线连接，所述第一漏极与所述第三漏极连接至所述第一节点，所述第三源极与所述第二源极连接至所述第二节点，所述第二漏极与所述信号传输线连接，所述第一栅极和所述第三栅极与所述第二栅线连接，所述第二栅极与所述第一栅线连接。
[0016]可选地，所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极同层设置，所述第一源极、所述第二源极、所述第三源极、所述第一漏极、所述第二漏极和所述第三漏极同层设置。
[0017]可选地，所述第一漏极与所述第一电容的第一端连接；
[0018]所述第二源极与所述第二电容的第一端连接；
[0019]所述第三源极与所述第二电容的第一端连接，所述第三漏极与所述第一电容的第
一端连接；
[0020]所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端与所述公共电极连接。
[0021]可选地，所述像素单元内还形成有像素电极，所述第一开关管的第一源极与所述信号传输线通过第一过孔连接；所述第二开关管的第二漏极与所述数据线通过第二过孔连接，所述第二开关管的第二源极与所述像素电极通过第三过孔连接；所述第三开关管的第三源极与像素电极通过第四过孔连接。
[0022]可选地，所述公共电极和所述第一栅线、所述第二栅线平行且同层设置，所述数据线位于所述第一栅线和所述第二栅线的上方，所述公共电极上方形成有源漏极图形，所述源漏极图形和所述数据线同层设置，所述源漏极图形位于所述有源层图形的上方。
[0023]可选地，所述有源层图形上方形成有栅绝缘层，所述栅绝缘层上形成有包括第一栅极、第二栅极和第三栅极的栅极层，所述栅极层上形成有中间层，所述中间层上形成有像素电极层，所述像素电极层上形成有绝缘层，所述绝缘层上形成有公共电极层。
[0024]可选地，当受到触摸时，所述第二节点的电压变化差值为:Δ Vp=Vpj -Vp?Vp* Δ Clc/Clc/Clc，其中，Vp’为所述第二节点的电压变化值，Vp为所述第二节点的电压初始值，Clc为所述第二电容的电容初始值，Λ Clc为所述第二电容的电容变化值。
[0025]为实现上述目的，本实用新型提供了 一种触摸感应面板，包括上触摸感应电路。
[0026]为实现上述目的，本实用新型提供了 一种触摸感应显示装置，包括触摸感应面板。
[0027]可选地，还包括:与所述触摸感应面板相对设置的对向基板，及封装于所述触摸感应面板和所述对向基板之间的液晶，所述第一电容为存储电容，所述第二电容为液晶电容。[0028]本实用新型提供的触摸感应电路、面板和触控感应显示装置中，通过在触摸感应电路中增加第三开关管，第一开关管与第三开关管的连接处形成第一节点，第二开关管与第三开关管的连接处形成第二节点，第一节点与公共电极之间形成第一电容，第二节点与公共电极之间形成第二电容；信号传输线与第二开关管连接，通过在触摸感应电路中增加第三开关管，在第三开关管导通时，通过数据线对像素电极写入像素电压，在第三开关管截止时，有触摸发生时，像素电压发生变化，通过信号传输线将变化的电压信号传输至信号处理单元并于信号传输单元中的参考电压比较，从而判断出触摸的发生，其可以提高触摸感应的灵敏度。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]图1为现有技术中的触摸感应电路的结构示意图；
[0030]图2为液晶面板无触摸发生时的液晶排布示意图；
[0031]图3为液晶面板有触摸发生时的液晶排布不意图；
[0032]图4为本实用新型实施例一提供的触摸感应电路的结构不意图；
[0033]图5为实施例一中的触摸感应电路的应用不意图；
[0034]图6为图5中的A-A向剖面图；
[0035]图7为图5中的B-B向剖面图。
【具体实施方式】
[0036]为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的一种触摸感应电路及其方法、感应面板和触摸感应显示装置作进一步详细描述。
[0037]图4为本实用新型实施例一提供的触摸感应电路的等效电路不意图，如图4所不，该触摸感应电路包括:第一栅线、第二栅线、数据线、信号传输线和公共电极，第一栅线、第二栅线和数据线限定出多个像素单元，像素单元内形成有第一开关管Tl、第二开关管T2和第三开关管T3，信号传输线连接于用于根据信号变化而判断是否有触摸动作发生的信号处理器101 ;第三开关管T3串联于第一开关管Tl和第二开关管T2之间；第一开关管Tl与第三开关管T3的连接处形成第一节点Q，第二开关管T2与第三开关管T3的连接处形成第二节点P，第一节点Q与公共电极Vcom之间形成有不可变的第一电容Cst，第二节点P与公共电极Vcom之间形成有可变的第二电容Clc ;信号传输线与第二开关管T2连接，数据线与第一开关管Tl连接。
[0038]进一步地，第一开关管Tl包括:有源层图形、第一栅极、第一源极、第一漏极，第二开关管T2包括:有源层图形、第二栅极、第二源极、第二漏极，第三开关管T3包括:有源层图形、第三栅极、第三源极、第三漏极；其中，第一源极与数据线连接，第一漏极与第三漏极连接至第一节点Q，第三源极与第二源极连接至第二节点P，第二漏极与信号传输线连接，第一栅极和第三栅极与第二栅线连接，第二栅极与第一栅线连接。
[0039]优选地，第一栅极、第二栅极和第三栅极同层设置，第一源极、第二源极、第三源极、第一漏极、第二漏极和第三漏极同层设置。
[0040]具体地，第一开关管Tl的第一漏极与第一电容Cst的第一端连接；第二开关管T2的第二源极与第二电容Clc的第一端连接；第三开关管T3的第三源极与第二电容Clc的第一端连接，第三开关管T3的第三漏极与第一电容Cst的第一端连接；第一电容Cst的第二端和第二电容Clc的第二端与公共电极Vcom连接。
[0041]优选地，当受到触摸时，第二节点P的电压变化差值为:Δ Vp=Vpj -Vp ^ Vp* Λ Clc/Clc/Clc，其中，Vp’为第二节点P的电压变化值，Vp为第二节点P的电压初始值，Clc为第二电容的电容初始值，Λ Clc为第二电容的电容变化值。当栅线打开并施加高电平时，第二开关管Τ2导通，有触摸发生时，第二节点P的电压Vp变化为Vp’，此时，第二节点P在有触摸发生和无触摸发生时的电压变化差值为:Δ Vp=Vpj-Vp~Vp* Δ Clc/Clc/Clc，通过信号传输线传输该电压变化差值Λ Vp至信号处理单元101，信号处理单元101比较该电压变化差值Λ Vp和参考电压Vref，从而判断触摸的发生。
[0042]图5为实施例一中的触摸感应电路的应用示意图，图6为图5中的A-A向剖面图，图7为图5中的B-B向剖面图，如图5、图6和图7所示，该触摸感应电路包括:栅线505、数据线508、信号传输线512和公共电极506，栅线505和数据线508限定出多个像素单元，像素单元内形成有像素电极507、第一开关管500、第二开关管509和第三开关管502 ;第三开关管502与第一开关管500和第二开关管509连接；第一开关管500与第三开关管502的连接处形成第一节点Q，第二开关管509与第三开关管502的连接处形成第二节点P，第一节点Q与公共电极Vcom之间形成第一电容503，第一电容503的第一端为有源层图形上方的源漏极图形，其中，有源层的材料为多晶娃。第一电容503的第一端对应于图5中的第一节点Q，第一电容503的第二端为公共电极506。第二节点P与公共电极Vcom之间形成第二电容Clc ;信号传输线512与第二开关管509连接。
[0043]其中，像素单元内还形成有像素电极507，第一开关管500的第一源极504与信号传输线512通过第一过 孔513连接；第二开关管509的第二漏极511与数据线508通过第二过孔514连接，第二开关管509的第二源极510与像素电极507通过第三过孔516连接；第三开关管502的第三源极501与像素电极507通过第四过孔515连接。
[0044]本实施例中，公共电极和第一栅线、第二栅线平行且同层设置，数据线位于第一栅线和第二栅线的上方，具体地，第一栅线和第二栅线以栅线505为例进行描述，则公共电极506和栅线505平行且同层设置，数据线508位于栅线505的上方，公共电极506上方形成有源漏极图形，源漏极图形和数据线508同层设置，源漏极图形位于有源层图形603的上方。有源层图形603上方形成有栅绝缘层604，栅绝缘层604的材料例如可以为氧化硅化合物(SiOx)。在有源层图形603的下方形成有缓冲层，缓冲层包括氮化硅化合物601 (SiNx)和氧化硅化合物602 (SiOx)。
[0045]在栅绝缘层604上形成有包括第一栅极、第二栅极和第三栅极的栅极层605，其中，栅极层可以是单层金属层；或者栅极层也可以是金属复合层，则栅极层的材料可以是AlNd/Cr/CrNx、AlNd/Mo、Mo/AlNd/Mo、Al、Al/Mo 或 Mo/Al/Mo，也可以是由 Cu 和其他缓冲金属组成，例如Mo、Nb和Ti等。在所述栅极层605上形成有中间层，中间层包括氮化硅化合物606 (SiNx)和氧化硅化合物607 (SiOx)，在中间层上形成有有机膜层608，有机膜层608用于起到平坦化的作用，从而降低数据线508与公共电极506之间的寄生电容，在有机膜层608上形成有像素电极层609，在像素电极层609上形成有绝缘层610，绝缘层610的材料例如可以为氮化硅化合物(SiNx)。在绝缘层610上形成有公共电极层611。其中像素电极层609、绝缘层610和公共电极层611形成第二电容Clc，第二电容Clc可以为液晶电容。其中，图7中的氮化硅化合物701 (SiNx)和氧化硅化合物702 (SiOx)对应图6中的缓冲层中的氮化硅化合物601 (SiNx)和氧化硅化合物602 (SiOx)分别对应，图7中的栅绝缘层704对应图6中栅绝缘层604，图7中的氮化硅化合物706 (SiNx)和氧化硅化合物707(SiOx)对应图6中的中间层中的氮化硅化合物606 (SiNx)和氧化硅化合物607 (SiOx),图7中的走线708对应图6中的数据线508和信号传输线512，图7中的有机膜层709对应图6中的有机膜层609，图7中的氮化硅层710对应图6中的绝缘层610，绝缘层610例如可以为氮化娃化合物(SiNx)。
[0046]本实施例中，优选地，第一开关管Tl、第二开关管T2、第三开关管T3为N型多晶硅薄膜晶体管。多晶硅薄膜晶体管的有源区由多晶硅构成，多晶硅薄膜晶体管的源漏极通过离子掺杂形成，因此，多晶硅薄膜晶体管具有更好的导电性能，在作为开关晶体管时，可以减小体积。当然，本实施例也可以采用非晶硅薄膜晶体管或者氧化物薄膜晶体管。
[0047]下面结合附图4和附图5对本实施例的触摸感应电路的工作原理进行详细说明，如图4所示，假设在上一帧画面中写入像素单元的电压为Vp，因此存储在液晶电容Clc和存储电容Cst中的电荷为:
[0048]Qp=Vp* (Cst+Clc)具体地，在无触摸发生时，第二节点P点电压为上一帧画面中写入像素单元的电压Vp ;在有发生触摸时，液晶电容Clc变化为Λ Clc,由于第三开关管Τ3截止，由电荷守恒，第二节点P点电压变为:
[0049]Vp2，=Vp*Clc/(Clc+ Δ Clc)
[0050]通过上式，有触摸发生时和无触摸发生时第二节点P点电压变化差值为:Δ Vp2=Vp2’ -Vp ^ Vp* Δ Clc/Clc/Clc
[0051]现有技术中，有触摸发生时和无触摸发生时第二节点P点电压变化差值为:
[0052]Δ Vpl=Vplj -Vp ^ Vp* Δ Clc/ (Cst+Clc) / (Cst+Clc)
[0053]相比较，在液晶电容ClC变化量相同的情况下:
[0054]Δ Vp2/ Δ Vpl=(Cst+Clc)*(Cst+Clc)/Clc/Clc
[0055]若液晶电容Clc和存储电容Cst的电容值为200fF，则Λ Vp2/ Δ Vp2=4。也就是说，在液晶电容变化Λ Clc相同的情况下，本实施例中的触摸感应电路在有触摸发生时和无触摸发生时第二节点P点电压变化差值比现有技术中的触摸感应电路增大4倍，从而提高了触摸感应的灵敏度。
[0056]本实施例提供的触摸感应电路中，该触摸感应电路包括:栅线、数据线、信号传输线和公共电极，栅线和数据线限定出多个像素单元，像素单元内形成有像素电极、第一开关管、第二开关管和第三开关管；第三开关管与第一开关管和第二开关管连接；第一开关管与第三开关管的连接处形成第一节点，第二开关管与第三开关管的连接处形成第二节点，第一节点与公共电极之间形成第一电容，第二节点与公共电极之间形成第二电容；信号传输线与第二开关管连接，通过在触摸感应电路中增加第三开关管，在第三开关管导通时，通过数据线对像素电极写入像素电压，在第三开关管截止时，有触摸发生时，像素电压发生变化，通过信号传输线将变化的电压信号传输至信号处理单元并于信号传输单元中的参考电压比较，从而判断出触摸的发生，其可以提高触摸感应的灵敏度。[0057]本实用新型实施列二提供一种触摸感应方法，该触摸感应方法基于触摸感应电路，该触摸感应电路包括:第一栅线、第二栅线、数据线、信号传输线和公共电极，所述第一栅线、所述第二栅线和所述数据线限定出多个像素单元，所述像素单元内形成有第一开关管、第二开关管和第三开关管，所述信号传输线连接于信号处理器；所述第三开关管串联于所述第一开关管和所述第二开关管之间；所述第一开关管与所述第三开关管的连接处形成第一节点，所述第二开关管与所述第三开关管的连接处形成第二节点，所述第一节点与所述公共电极之间形成有不可变的第一电容，所述第二节点与所述公共电极之间形成有可变的第二电容；所述信号传输线与所述第二开关管连接，所述数据线与所述第一开关管连接；
[0058]该触摸感应方法包括:
[0059]步骤S10、所述第二开关管在所述第一栅线的控制下导通，并通过所述信号传输线输出感测信号到所述信号处理器，以供所述信号处理器根据信号变化而判断是否有触摸动作发生；
[0060]步骤S11、所述第一开关管和所述第三开关管在所述第二栅线的控制下导通，数据线向所述第一节点和所述第二节点写入像素电压。
[0061]本实施例中的触摸感应电路采用上述实施例一中的触摸感应电路，其【具体实施方式】请参见上述实施例一，此处不再赘述。
[0062]本实施例提供的触摸感应方法中，该触摸感应方法基于触摸感应电路，通过在触摸感应电路中增加第三开关管，在第三开关管导通时，通过数据线对像素电极写入像素电压，在第三开关管截止时，有触摸发生时，像素电压发生变化，通过信号传输线将变化的电压信号传输至信号处理单元并于信号传输单元中的参考电压比较，从而判断出触摸的发生，其可以提闻触摸感应的灵敏度。
[0063]本实用新型实施例三提供一种触摸感应面板，该触摸感应面板包括触摸感应电路。其中，触摸感应电路可采用上述实施例一所述的触摸感应电路，此处不再赘述。
[0064]本实施例提供的触摸感应面板中，该触摸感应面板包括触摸感应电路，通过在触摸感应电路中增加第三开关管，在第三开关管导通时，通过数据线对像素电极写入像素电压，在第三开关管截止时，有触摸发生时，像素电压发生变化，通过信号传输线将变化的电压信号传输至信号处理单元并于信号传输单元中的参考电压比较，从而判断出触摸的发生，其可以提闻触摸感应的灵敏度。
[0065]本实用新型实施例四提供一种触摸感应显示装置，该触摸感应显示装置包括触摸感应面板。其中，触摸感应面板可采用上述实施例三所述的触摸感应面板，此处不再赘述。
[0066]进一步地，触摸感应显示装置还可以还包括:与触摸感应面板相对设置的对向基板，及封装于触摸感应面板和对向基板之间的液晶，其中，第一电容为存储电容，第二电容为液晶电容。
[0067]本实施例提供的触摸感应显示装置中，该触摸感应显示装置包括触摸感应电路，通过在触摸感应电路中增加第三开关管，在第三开关管导通时，通过数据线对像素电极写入像素电压，在第三开关管截止时，有触摸发生时，像素电压发生变化，通过信号传输线将变化的电压信号传输至信号处理单元并于信号传输单元中的参考电压比较，从而判断出触摸的发生，其可以提高触摸感应的灵敏度。[0068] 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种触摸感应电路，其特征在于，包括:第一栅线、第二栅线、数据线、信号传输线和公共电极，所述第一栅线、所述第二栅线和所述数据线限定出多个像素单元，所述像素单元内形成有第一开关管、第二开关管和第三开关管，所述信号传输线连接于用于根据信号变化而判断是否有触摸动作发生的信号处理器； 所述第三开关管串联于所述第一开关管和所述第二开关管之间； 所述第一开关管与所述第三开关管的连接处形成第一节点，所述第二开关管与所述第三开关管的连接处形成第二节点，所述第一节点与所述公共电极之间形成有不可变的第一电容，所述第二节点与所述公共电极之间形成有可变的第二电容； 所述信号传输线与所述第二开关管连接，所述数据线与所述第一开关管连接。
2.根据权利要求1所述的触摸感应电路，其特征在于，所述第一开关管包括:有源层图形、第一栅极、第一源极、第一漏极，所述第二开关管包括:有源层图形、第二栅极、第二源极、第二漏极，所述第三开关管包括:有源层图形、第三栅极、第三源极、第三漏极； 所述第一源极与所述数据线连接，所述第一漏极与所述第三漏极连接至所述第一节点，所述第三源极与所述第二源极连接至所述第二节点，所述第二漏极与所述信号传输线连接，所述第一栅极和所述第三栅极与所述第二栅线连接，所述第二栅极与所述第一栅线连接。
3.根据权利要求2所述的触摸感应电路，其特征在于，所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极同层设置，所述第一源极、所述第二源极、所述第三源极、所述第一漏极、所述第二漏极和所述第三漏极同层设置。
4.根据权利要求2所述的触摸感应电路，其特征在于，所述第一漏极与所述第一电容的第一端连接； 所述第二源极与所述第二电容的·第一端连接； 所述第三源极与所述第二电容的第一端连接，所述第三漏极与所述第一电容的第一端连接； 所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端与所述公共电极连接。
5.根据权利要求4所述的触摸感应电路，其特征在于，所述像素单元内还形成有像素电极，所述第一开关管的第一源极与所述信号传输线通过第一过孔连接；所述第二开关管的第二漏极与所述数据线通过第二过孔连接，所述第二开关管的第二源极与所述像素电极通过第三过孔连接；所述第三开关管的第三源极与像素电极通过第四过孔连接。
6.根据权利要求5所述的触摸感应电路，其特征在于，所述公共电极和所述第一栅线、所述第二栅线平行且同层设置，所述数据线位于所述第一栅线和所述第二栅线的上方，所述公共电极上方形成有源漏极图形，所述源漏极图形和所述数据线同层设置，所述源漏极图形位于所述有源层图形的上方。
7.根据权利要求6所述的触摸感应电路，其特征在于，所述有源层图形上方形成有栅绝缘层，所述栅绝缘层上形成有包括第一栅极、第二栅极和第三栅极的栅极层，所述栅极层上形成有中间层，所述中间层上形成有像素电极层，所述像素电极层上形成有绝缘层，所述绝缘层上形成有公共电极层。
8.根据权利要求1所述的触摸感应电路，其特征在于，当受到触摸时，所述第二节点的电压变化差值为:Λ Vp=Vpj -Vp 乂 Vp* Δ Clc/Clc/Clc，其中，Vp’为所述第二节点的电压变化值，Vp为所述第二节点的电压初始值，Clc为所述第二电容的电容初始值，Δ Clc为所述第二电容的电容变化值。
9.一种触摸感应面板,包括上述权利要求1-8中任一所述的触摸感应电路。
10.一种触摸感应显示装置，包括权利要求9所述的触摸感应面板。
11.根据权利要求10所述的触摸感应显示装置，其特征在于，还包括:与所述触摸感应面板相对设置的对向基板，及封装于所述触摸感应面板和所述对向基板之间的液晶，所述第一电容为存储电容， 所述第二电容为液晶电容。
【文档编号】G06F3/041GK203643967SQ201320751005
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2013年11月22日 优先权日:2013年11月22日
【发明者】张九占, 胡明 申请人:合肥京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司