技术总结
本发明涉及一种静电传感器，包括一个传感单元和一个控制单元，所述传感单元包括至少一个第一传感元件，以及至少两个第一电极设置在该至少一个第一传感元件的两端并与该至少一个第一传感元件电连接，所述至少一第一传感元件为一维半导体纳米结构，该一维半导体纳米结构的费米面距离态密度奇点的距离在30～300meV，当带有静电的物体靠近该第一传感元件时，该第一传感元件的电阻产生变化；该控制单通过导线于所述至少一个第一传感元件电连接，并通过向所述至少一个第一传感元件施加电压后测量该至少一个第一传感元件的电阻并输出电阻的信号。
技术研发人员：王新河;李东琦;王江涛;武文赟;何宇俊;柳鹏;赵清宇;姜开利;范守善
受保护的技术使用者：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
技术研发日：2014.12.31
技术公布日：2019.02.12