一种用于微处理器芯片的离线供电电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于微处理器芯片的离线供电电路，包括MOS管Q1、3V供电的纽扣电池BT1、二极管D1，纽扣电池BT1的正极与MOS管Q1的源极相连接，MOS管Q1的栅极、二极管D1的正极共同与微处理器芯片的主供电电压端相连接，MOS管Q1的栅极还通过限流电阻R1接地，MOS管Q1的漏极与二极管D1的负极相连接，二极管D1的负极与微处理器芯片的主供电电压端相连接，二极管D1的负极做为离线供电电路的电压输出端与微处理器芯片的VDDRTC管脚相连接。本实用新型采用通用型3V纽扣电池给微处理器芯片的VDDRTC管脚的供电，电路简单，容易实现，成本低廉，具有良好的应用前景。
【专利说明】—种用于微处理器芯片的离线供电电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种用于微处理器芯片的离线供电电路，属于芯片供电【技术领域】。
【背景技术】
[0002]在电子产品的常用微处理器芯片的VDDRTC管脚电压为1.8V^3.6V是为防止主电源掉电后丢失处理器内部的数据，一般需要采用纽扣电池来实现外部VDDRTC管脚的供电，保证微处理器芯片在失去主电压仍能够继续保持运行，但是，选用常规的3V纽扣电池，如何设计微处理器芯片的离线供电电路，是当前需要解决的问题。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的是常用微处理器芯片的VDDRTC管脚电压为1.8V^3.6V，选用常规的3V纽扣电池，如何设计微处理器芯片的离线供电电路，是当前需要解决的问题。本实用新型的用于微处理器芯片的离线供电电路，采用通用型3V纽扣电池给微处理器芯片的VDDRTC管脚的供电，电路简单，容易实现，成本低廉，具有良好的应用前景。
[0004]为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案是:
[0005]一种用于微处理器芯片的离线供电电路，其特征在于:包括MOS管Q1、3V供电的纽扣电池BT1、二极管D1，所述纽扣电池BTl的正极与MOS管Ql的源极相连接，所述MOS管Ql的栅极、二极管Dl的正极共同与微处理器芯片的主供电电压端相连接，所述MOS管Ql的栅极还通过限流电阻Rl接地，所述MOS管Ql的漏极与二极管Dl的负极相连接，所述二极管Dl的负极与微处理器芯片的主供电电压端相连接，所述二极管Dl的负极做为离线供电电路的电压输出端与微处理器芯片的VDDRTC管脚相连接。
[0006]前述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路，其特征在于:所述MOS管Ql为P沟道MOS管。
[0007]前述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路，其特征在于:所述二极管Dl为肖特基~■极管。
[0008]前述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路，其特征在于:所述限流电阻Rl的阻值为100K Ω。
[0009]前述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路，其特征在于:所述微处理器芯片的主供电电压端的输出电压为3.3V。
[0010]前述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路，其特征在于:微处理器芯片的主供电电压端掉电时，二极管Dl的负极的电压输出为3V。
[0011]本实用新型的有益效果是:本实用新型的用于微处理器芯片的离线供电电路，采用通用型3V纽扣电池，用于给微处理器芯片的VDDRTC管脚的供电，电路简单，容易实现，成本低廉，具有良好的应用前景。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型的用于微处理器芯片的离线供电电路的电路图。
【具体实施方式】
[0013]下面将结合说明书附图，对本实用新型作进一步说明。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
[0014]如图1所示，一种用于微处理器芯片的离线供电电路，包括MOS管Q1、3V供电的纽扣电池BT1、二极管D1，所述纽扣电池BTl的正极与MOS管Ql的源极相连接，所述MOS管Ql的栅极、二极管Dl的正极共同与微处理器芯片的主供电电压端相连接，MOS管Ql的栅极还通过限流电阻Rl接地，MOS管Ql的漏极与二极管Dl的负极相连接，二极管Dl的负极与微处理器芯片的主供电电压端相连接，二极管Dl的负极做为离线供电电路的电压输出端与微处理器芯片的VDDRTC管脚相连接。
[0015]上述电路的MOS管Ql为P沟道MOS管，二极管Dl为肖特基二极管，限流电阻Rl的阻值为100ΚΩ，微处理器芯片的主供电电压端的输出电压为3.3V，二极管Dl的负极的电压输出为3V，其的工作过程如下，当微处理器芯片的主供电电压端VRTC33正常供电时，MOS管Ql的栅极电压Ug>源极电压Us，MOS管Ql处于截止状态，直接通过二极管Dl供电到微处理器芯片的VDDRTC管脚；当微处理器芯片的主供电电压端VRTC33掉电时，MOS管Ql的栅极电压Ug<源极电压Us，MOS管Ql处于导通状态，纽扣电池BTl供电，同时二极管Dl又起到了反向截止的作用，二极管Dl的负极的电压输出为3V，从而满足给微处理器芯片的VDDRTC管脚的供电，是为防止主电源掉电后丢失处理器内部的数据，保证微处理器芯片在失去主电压仍能够继续保持运行。
[0016]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种用于微处理器芯片的离线供电电路，其特征在于:包括MOS管Q1、3V供电的纽扣电池BT1、二极管D1，所述纽扣电池BTl的正极与MOS管Ql的源极相连接，所述MOS管Ql的栅极、二极管Dl的正极共同与微处理器芯片的主供电电压端相连接，所述MOS管Ql的栅极还通过限流电阻Rl接地，所述MOS管Ql的漏极与二极管Dl的负极相连接，所述二极管Dl的负极与微处理器芯片的主供电电压端相连接，所述二极管Dl的负极做为离线供电电路的电压输出端与微处理器芯片的VDDRTC管脚相连接。
2.根据权利要求1所述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路，其特征在于:所述MOS管Ql为P沟道MOS管。
3.根据权利要求1所述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路，其特征在于:所述二极管Dl为肖特基二极管。
4.根据权利要求1所述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路，其特征在于:所述限流电阻Rl的阻值为100KΩ。
5.根据权利要求1所述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路，其特征在于:所述微处理器芯片的主供电电压端的输出电压为3.3V。
6.根据权利要求1所述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路，其特征在于:微处理器芯片的主供电电压端掉电时，二极管Dl的负极的电压输出为3V。
【文档编号】G06F1/30GK203941495SQ201420377302
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年7月9日 优先权日:2014年7月9日
【发明者】王卫峰, 吴斌, 张立 申请人:江苏瑞奥风软件科技有限公司