1.一种多指状晶体管的电阻计算方法，所述多指状晶体管包括依次设置的多个栅极，以及设置于各所述栅极的两侧的源极和漏极，且所述源极和所述漏极依次间隔设置，其特征在于，所述多指状晶体管包括nf个所述栅极，所述多指状晶体管在平行于所述栅极的延伸方向上的源漏电阻宽度为w，nf≥2，且所述电阻计算方法包括以下公式：
nrd＝Ld/nf/w，其中，nrd为所述多指状晶体管的漏极方块电阻，Ld为各所述漏极在垂直于所述栅极的延伸方向上的电阻长度之和；以及
nrs＝Ls/nf/w，其中，nrs为所述多指状晶体管的源极方块电阻，Ls为各所述源极在垂直于所述栅极的延伸方向上的电阻长度之和。
2.根据权利要求1所述的电阻计算方法，其特征在于，nf为偶数，所述多指状晶体管包括nf/2个所述漏极和nf/2+1个所述源极，且位于所有所述栅极的外侧的两个所述源极的电阻长度分别为sa和sb，相邻所述栅极之间的电阻长度为sd，所述计算方法包括以下公式：
Ld＝(nf/2×sd)，且nrd＝(nf/2×sd)/nf/w＝sd/(2w)；
Ls＝sa+sb+(nf/2-1)×sd，且nrs＝(sa+sb+(nf/2-1)×sd)/nf/w。
3.根据权利要求2所述的电阻计算方法，其特征在于，nf≥4，且sa＝sb。
4.根据权利要求1所述的电阻计算方法，其特征在于，nf为奇数，位于所有所述栅极的外侧的所述漏极的电阻长度为sb，位于所有所述栅极的外侧的所述源极的电阻长度为sb，相邻所述栅极之间的电阻长度为sd，所述计算方法包括以下公式：
Ld＝(nf-1)/2*sd+sa，且nrd＝((nf-1)/2*sd+sa)/nf/w；
Ls＝(nf-1)/2*sd+sb，且nrs＝((nf-1)/2*sd+sa)/nf/w。
5.根据权利要求4所述的电阻计算方法，其特征在于，nf≥3，且sa＝sb。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的计算方法，其特征在于，所述计算方法还包括利用所述漏极方块电阻和所述源极方块电阻计算所述多指状晶体管的源漏电阻的步骤。
7.一种多指状晶体管的仿真方法，包括采用所述多指状晶体管的漏极方块电阻和所述多指状晶体管的源极方块电阻对所述多指状晶体管的源漏饱和电流和所述多指状晶体管的源漏电压之间的关系曲线进行仿真处理的步骤，其特征在于，所述多指状晶体管的漏极方块电阻和所述多指状晶体管的源极方块电阻由权利要求1至6中任一项所述的电阻计算方法计算获得。
8.根据权利要求7所述的仿真方法，采用Spice软件进行所述仿真处理。
9.根据权利要求7所述的仿真方法，所述仿真处理的步骤中，栅极电压为0.5～1.2V。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的仿真方法，其特征在于，所述多指状晶体管的制程为40nm或28nm。