专利名称：用于晶体生长装置的电阻加热器及其使用方法
技术领域：
本发明在总体上涉及在生长单晶锭中使用的晶体生长装置，更特别地涉及用于这种晶体生长装置的电阻加热器。
单晶硅是大多数用于制造半导体电子元件过程的原材料，它通常是用所谓的直拉(“Cz”)法制备。晶体的生长最常见的是在拉晶炉中进行。在此方法中，将多晶硅(“聚硅”)装到坩埚中，并通过一包围坩埚侧壁外表面的加热器熔化。使籽晶与熔化的硅发生接触，并通过用拉晶设备缓慢提起来生长单晶锭。在形成晶颈完成之后，通过降低提拉速率和/或熔化温度来增大晶锭的直径，直到达到所希望的或目标直径。然后通过控制提拉速率和熔化温度，同时补充坩埚中下降的熔体液面，来生长晶锭的圆柱形主体，该圆柱形主体具有一近似恒定的直径。在生长过程接近结束时，必须逐渐减小晶体的直径，以便形成一种末端锥体。典型地，该末端锥体是通过增大拉晶速率和加到坩埚上的热量来形成。当直径变得足够小时，则使所述锭与熔体分开。
用来熔化坩埚中原料(如硅)的加热器典型地是电阻加热器，其中电流流过用电阻性加热材料(比如，石墨)制成的加热元件。对电流流动的阻力产生热量，该热量从加热元件辐射到坩埚和装在其中的硅上。加热元件包括若干垂直取向的等长的加热分段，它们以并列关系配置并以蛇形构形相互连接。也就是说，各相邻的分段在该分段的顶部或底部处以交替的方式相互连接，以便整个加热元件形成一连续的电路。由加热元件所产生的加热功率(heating power)一般是随各分段的截面积而变。
尽管用于按照直拉生长法生长单晶锭的常规装置对生产在各种应用中有用的晶锭已经令人满意，但在半导体材料品质上作进一步改善也是所希望的。由于在半导体材料上形成的集成电路线路的宽度不断减小，所以晶体中缺陷的存在就变得至关重要。单晶硅中的大量缺陷在晶体固化之后冷却时于晶体生长室中形成。这些缺陷部分是由于存在过量(亦即，超过溶解度极限的浓度)的本征点缺陷而引起，这些本征点缺陷通称为空位和自填隙。已经提出，在晶锭中的这些点缺陷的种类和初始浓度在固化时确定，如果这些浓度达到系统中的临界过饱和浓度并且点缺陷的迁移率足够高，可能发生反应或聚集作用。
从单晶锭切下的晶片质量的一个重要量度是门氧化物完整性(Gate Oxide Integrity)(“GOI”)。空位正如它们的名字所暗示的，是由于晶格中硅原子的缺少或“空位”所引起的。在从坩埚中的熔融硅中向上提拉晶体时，它立即开始冷却。当晶锭的温度降低通过1150-1050℃的温度范围时，在所述锭中存在的空位趋于朝着所述锭的外表面迁移或者在所述锭内部聚集在一起。这些聚集在从晶锭上切下的晶片表面内以凹坑的形式出现。
从晶锭上切下并根据传统方法制造的硅晶片通常包含在晶片表面上形成的氧化硅层。在该氧化硅层上制造电路器件，如MOS器件。由于生长的晶体中存在的聚集作用产生的晶片表面上的缺陷导致氧化物层的不良生长。氧化物层的质量通常称为氧化物薄膜电介质破坏强度，它可以通过在氧化物层上制造MOS器件并试验所述器件定量测量。晶体的门氧化物完整性(GOI)是从晶体上加工的晶片的氧化物层上能使用的器件的百分比。
已经确定，通过增大生长的晶锭在1000℃以上的温度范围内，更特别地在1150-1000℃的温度范围内的驻留时间，可以改善通过直拉法生长的晶体的GOI。如果晶锭通过该温度范围时冷却太快，空位将没有足够的时间聚集在一起，导致在晶锭内的大量小聚集体。这将不希望地导致分布在晶片表面上的大量小凹坑，从而对GOI产生不利影响。降低晶锭的冷却速度使其温度在目标温度范围内驻留较长的时间，可以使更多的空位移动到晶锭的外表面，或者在晶锭内形成大的聚集体。结果是形成少量大的聚集体，从而通过降低形成MOS器件的晶片的表面上存在的缺陷数量改善GOI。
与自填隙相关的缺陷研究较少。它们一般被认为是低密度的填隙型位错环或网络。这种缺陷不产生GOI故障，但是，它们被广泛认为是通常伴随电流泄漏问题的其它类型器件失效的原因。已经确定，自填隙的聚集是不希望的，并且可以通过生长晶锭在1000℃以上的温度范围内的驻留时间来控制。由于晶锭部分在1000℃以上的温度范围内保持较长的时间，发生自填隙从晶锭的径向向外的扩散，抑制其浓度在自填隙缺陷聚集所要求的临界浓度以下。
为此，美国专利No.5,248,378(Oda等人)提出了一种生产单晶硅的设备，其中，在坩埚之上在拉晶设备内布置被动的隔热材料，来降低生长的晶锭在1150℃以上的冷却速度。然而，如Oda等人提出的隔热材料或热屏蔽一般不能足够地降低晶锭的冷却速度，来大幅度改善晶体的GOI或者抑制填隙缺陷的聚集。
Oda等人还提出，所述隔热材料可以用加热器取代，用于加热生长的晶锭。虽然类似于上述传统坩埚加热器的加热器会更主动地为晶锭提供热量，以降低冷却速度，但是，使用这种加热器有一些缺点。例如，传统加热器的加热功率输出一般沿加热器的高度方向是恒定的。经过加热器向上提拉的晶锭在加热器底部被快速加热，以降低晶锭的冷却速度。当晶锭向上通过加热器时，冷却速度会连续降低，然后在到达加热器顶部时增大。例如，对于没有次级加热器生长的晶锭，晶锭的轴向温度梯度对晶锭温度所作的图类似于图5所示的图，但是，轴向温度梯度在包括波谷的1150-1000℃的整个温度范围内将明显减小。因此，这种加热器能降低生长晶锭的冷却速度，或者轴向温度梯度，但是它不能控制轴向温度梯度的均匀性，因为由所述加热器产生的热量沿着加热器的长度方向是均匀的。通过明显降低加热器的冷却速度到一个确定的谷，使冷却速度重新增大把晶锭冷却到1000℃的温度将要花费不希望的长时间。
所以，需要一种加热器，可以用来降低生长晶锭在1000℃以上的冷却速度，并控制晶锭在1150-1000℃范围内，更特别地在1100-1000℃范围内的轴向温度梯度的均匀性。
在本发明的若干目的和特点中，可以注意到提供在拉晶设备中使用的电阻加热器，该电阻加热器有助于生长具有改善的门氧化物完整性的晶体；提供这种加热器，它提供在1100-1000℃范围内的更均匀的轴向温度梯度；提供这种加热器，它增大晶锭在1000℃以上的驻留时间；提供这种加热器，它增大晶锭温度在1100-1000℃的范围内的驻留时间；提供这种加热器，它有助于本征点缺陷聚集的减小。
一般地说，本发明的电阻加热器供在按照直拉法生长单晶硅锭的拉晶设备中使用，该电阻加热器包括一个加热元件，该加热元件加工成一定的尺寸和形状，以便设置在一般在坩埚之上的拉晶设备的外壳中，其与生长晶锭的外表面成隔开关系使得在晶锭在所述外壳中相对于熔融硅向上提拉时，向晶锭辐射热量。加热元件具有上端和下端。当加热元件放在所述外壳中时，加热元件的下端比上端明显更接近熔融硅。制造该加热元件使得由加热元件产生的加热功率输出从加热元件的下端到上端逐渐增大。
在另一个实施方案中，控制在根据直拉法生长单晶硅锭所用的晶体提拉机中生长的单晶硅锭的轴向温度梯度均匀性的方法包括晶锭在外壳内从熔融硅中向上提拉时，使晶锭冷却到预定的第一温度。当晶锭进一步在外壳中向上提拉时，向晶锭辐射热量来降低晶锭从第一温度冷却时的冷却速度。当晶锭在外壳中进一步向上提拉时，向晶锭上辐射的热量逐渐增大，以便当晶锭的温度从第一温度降低到预定的第二温度，保持晶锭的轴向温度梯度大体上均匀。
本发明的另一些目的和特点一部分将是显而易见的，而一部分将在后面指出。
图1是拉晶设备的示意局部垂直剖视图，它示出第一个实施方案的电阻加热器在生长单晶硅锭期间设置的情况；图2是图1中电阻加热器的透视图；图3是拉晶设备的示意垂直截面图，它示出没有本发明的电阻加热器时，使用有限元分析建立的生长晶体的等温线；图4是拉晶设备的示意垂直截面图，它示出包含本发明的电阻加热器时，使用有限元分析建立的生长晶体的等温线；
图5是对于有限元分析，晶锭的轴向温度梯度与晶锭温度的关系图；图6本发明的电阻加热器的第二个实施方案的透视图。
在附图的几个视图中，相应的标号表示相应的部件。
现在参看附图，尤其是参看图1，按照本发明的原则制造的电阻加热器一般用21表示。所述加热器优选的是用在拉晶设备内，该拉晶设备一般用23表示，它属于用来按照直拉法生长单晶硅锭(比如，图1中的锭I)的那种类型。拉晶设备23包括一个外壳，该外壳一般用25表示，它用来隔离内部，该内部包括下面的晶体生长室27和上面的提拉室29。提拉室29具有一比生长室小的横向尺寸。石英坩埚31装有熔化的半导体源材料M，由该源材料M生长单晶硅锭I。坩埚31包括一个圆筒形侧壁33，并安装在转台35上，该转台35用于绕垂直的轴旋转。坩埚31还能在生长室27内部升起，以便当晶锭I生长和源材料从熔体中移出时，保持熔化的源材料M表面处于相同的水平。
坩埚加热器，一般表示为37，用于熔化坩埚31中的源材料M，包括一般为垂直取向的、与坩埚的侧壁33处于径向隔开关系围绕钳锅的加热元件39。加热元件39加热坩埚31和拉晶设备外壳25的内部，到达高于源材料M(如硅)的熔点的温度。布置隔热材料41，把热量限制在外壳25的内部。此外，在外壳中有通道，包括上提拉室的壁，用于冷却水的循环。这些通道的一些在图1中用参考数字43表示。
提拉机构包括一个提拉轴45，提拉轴45从提拉室29上方的一个机构(未示出)向下延伸，该提拉机构能提升、下降和旋转提拉轴。拉晶设备23可以具有提拉线(未示出)而不是提拉轴45，这取决于拉晶设备的类型。提拉轴45收尾在籽晶卡盘47中，该卡盘47夹持用来生长单晶锭I的籽晶49。为了清楚地示出籽晶卡盘47和锭I的升起位置，提拉轴45在图1中已经部分地断开。除了下面更充分阐述的范围之外，拉晶设备23的一般构造和操作为本领域的普通技术人员所熟知，并且将不再进一步说明。
本发明的电阻加热器21包括一个一般为环形(管状)的加热元件51，它安装在靠近下部生长室27的鼓形顶壁的外壳25的上部提拉室29内。加热元件51向下延伸进入晶体生长室27，基本在装有熔融源材料M的坩埚31上方结束。加热元件51的中心开口53使得生长晶锭I在通过拉晶设备23的外壳25向上提拉时，可以在中心通过该加热元件。
参看图2，加热元件51包括若干垂直取向的加热分段55，它们以并列的关系布置，并且相互连接形成电路。更特别地，相邻加热分段55的顶部和底部(分别指定为57和59)交替式相互连接，以一连续的蛇形(serpentine)外形形成闭合的几何形状；在所说明的实施方案中为圆筒形。相对的支架61连接到与加热分段55成电连接的加热元件51的顶部，并从该加热元件向上延伸，用于在上提拉室29的壁上安装加热器21。上提拉室29的壁内的开口(未示出)使得安装支架61可以通过常规电极(未示出)与电流源(未示出)电连接，所述电极通过用于与安装支架连接的开口，通过加热元件51传导电流。环形热屏蔽63，优选的是用石墨、石墨隔热材料或其它合适的隔热材料或任何这些材料的组合构成，一般位于加热元件51和上提拉室29的壁之间，阻止加热元件被水冷侧壁冷却。
加热元件51用不污染的电阻性加热材料制造，这种电阻性加热材料提供电流流经它的电阻；由加热元件所产生的输出功率随材料的电阻而增加。一种特别优选的电阻性加热材料是碳化硅涂敷的石墨。然而，不脱离本发明的范围，加热元件51可以用高纯挤压石墨、等压模压(isomolded)石墨、碳纤维复合物、钨、金属或其它合适的材料制造。也可以考虑，加热元件51可以用在石英管上缠绕的丝，如钨或钼丝来制造，形成加热线圈(未示出)。可以变化线圈之间的间距，朝着加热元件顶部该填隙变得更窄，来形成加热元件51的功率输出分布。加热元件51优选的是能在1000-1100℃的温度辐射热量。
仍然参看图2，加热元件51的加热分段55具有变化的长度，所述加热分段的上端部57在加热元件顶部与加热元件圆周是共面的，加热分段的下端部59相互之间是垂直交错的，因为各分段长度是变化的。最长的分段65的下端部59确定加热元件51的底部。作为一个实施例，图1所示的加热元件51的加热分段55具有8个不同的长度。最短的分段67向下延伸到在加热元件51的顶部之下约71毫米，而最长的分段65向下延伸到所述加热元件的顶部之下约400毫米。这样，将看出，每个加热分段55从顶部向下延伸的第一个71毫米径向对着一部分晶锭I，使得加热元件51基本围绕靠近加热元件51顶部的晶锭的整个外围。相反，最长的加热分段65径向对应晶锭I，只包围靠近加热元件51底部的晶锭周围的约1/8。因此，可以看出加热元件51在其顶部比在其底部辐射更多的热量。
沿着分段的高度，加热分段55的截面积基本相等，所以，在整个加热元件51内，电阻基本恒定。因此，由加热元件51辐射的热的温度一般是均匀的。例如，本发明的加热元件51优选的是能在1000-1100℃的温度辐射热量，因为，降低晶锭在1000℃以上，更特别的是在1100-1000℃范围内的冷却速度是希望的。还希望不会使晶锭过热到重新加热晶锭的程度。然而，可以理解，所述温度可能在该范围之外，取决于希望的晶锭冷却速度，而不离开本发明的范围。由于加热分段55的长度变化，朝着加热元件底部，加热功率输出逐渐降低。
在所示的实施方案中，排列分段55使最短的分段67位于加热元件51的一侧，最长的分段65位于加热元件的另一侧，在最短和最长的分段之间，布置的中间的分段长度逐渐增大。图6表示本发明的电阻加热器21的一个备选实施方案，其中，加热元件51包括4种不同长度的加热分段55，长度范围为104-350毫米。排列分段55使得相同长度的分段在加热元件51的圆周上等距离排列。也可以考虑，使用除了图2和6所示的以外的加热分段55的结构，而不离开本发明的范围，只要加热元件51的分布使得加热功率输出从加热器21的底部到顶部增大即可。
在制造加热元件51的一个优选的方法中，切掉由电阻加热材料形成的管件(未示出)的若干部分，大体确定加热分段55的下端59的台阶式构形。然后，在管件上切割出垂直延伸的槽69,71，以形成蛇形外形。向下延伸的槽69从加热元件51的顶部向下延伸，并且末端离加热分段55的底部59不远停止，使相邻的分段在下端相互连接。向上延伸的槽71从加热分段55的下端59向上延伸，并且末端离加热元件51的顶部不远停止，使相邻的分段在这些分段的上端57处相互连接。使向下和向上延伸的槽69,71绕加热元件51的周边交错形成加热元件的蛇形外形。
在操作时，将多晶硅(“聚硅”)放入坩埚31中，并通过坩埚加热器37辐射的热量熔化。使籽晶41和熔化的硅M接触，并通过提拉机构缓慢提拉生长单晶锭I。在生长的晶锭从熔体中向上提拉时，立即以很大的冷却速度开始冷却。当晶锭I向上提拉通过下部晶体生长室27和上部提拉室29时，以这种很大的冷却速度连续冷却。当晶锭I接近加热器21的加热元件51底部时，生长晶锭的温度已经从在液一固界面的约1400℃的初始温度冷却到1100℃左右。当晶锭I的部分进入具有最长分段65的径向范围时，向这些部分辐射热量来降低进一步冷却的速度。当晶锭I向上提拉通过加热元件51时，向晶锭辐射热量的加热分段55的数量逐渐增多。当晶锭向上提拉到达或高于加热元件51顶部时，加热功率的逐渐增大均匀地抵消晶锭I越来越多地暴露于上部提拉室侧壁的冷却作用，从而保持晶锭的冷却速度为基本均匀的速度。
作为一个例子，进行有限元分析，来模拟在上述类型拉晶设备23中，按照直拉法生长一对单晶硅锭I的过程。在拉晶设备外壳25的上提拉室29中没有本发明的加热器21，来模拟第一晶锭I的生长。建立本发明的电阻加热器21的模型，来模拟第二晶锭I的生长。参考图3和4，在每种情况下，沿着晶锭的高度记录生长晶锭I的温度，并画出表示晶锭冷却模式的等温线。在图3中(对应于在上提拉室中没有另外的加热器而生长的晶锭)，在1000℃以上的等温线比较靠近在一起，表明了晶锭I的快速冷却速度。在使用本发明的加热器21时，如图4所示，等温线进一步分开，特别是在1000-1100℃范围内，表明了希望的晶锭I的较慢冷却速度。
此外，记录生长晶锭I的轴向温度梯度，并且画出其与生长晶锭的温度之间的关系图。结果表示于图5。在1100-1000℃的希望温度范围内，在具有附加的加热器21的拉晶设备23中生长的晶锭I的轴向温度梯度在固化后降低到约0.4℃/毫米，这明显低于没有附加加热器的拉晶设备中生长的晶锭的轴向温度梯度。此外，在引入本发明的加热器21时，在整个希望的温度范围内，轴向温度梯度一般均匀地保持在约0.4℃/毫米。
从上述情况观察到，本文所述电阻加热器21满足本发明的各种目的并获得其它有利的结果。提供安装在拉晶设备外壳25的上部室29内的形成一定形状的加热元件21(其中，加热分段55具有向下延伸进入晶体生长室27的不同长度)产生从加热器底部到顶部的增大加热功率输出分布。所以，向生长晶锭I辐射的热量随着晶锭向上提拉通过加热元件51而增大。这导致晶锭冷却速度降低到希望的冷却速度，然后在希望的1100-1000℃温度范围内保持较均匀的晶锭的轴向温度梯度。
与在晶锭I冷却越过1000℃之后重新增大之前降低到一般低于0.4℃/毫米的峰谷的温度梯度相比，在该温度范围内保持恒定的轴向温度梯度在约0.4℃/毫米提供了若干优点。特别地，在晶锭I的轴向温度梯度降低到尖谷处，例如低于0.4℃/毫米，在晶锭温度冷却到1000℃之后重新提高冷却速度需要较长的时间。这增大了产生空位进一步聚集的危险，从而对晶锭的GOI有潜在的不利影响。通过使用本发明的加热器21，在整个希望的冷却范围内保持略高而均匀的轴向温度梯度。因此，获得了空位聚集的控制，同时减少了一旦晶锭温度冷却到1000℃以下而重新提高冷却速度所需要的时间。在1000℃以上明显降低的冷却速度使得有足够的时间使自填隙从晶锭中的径向向外扩散，来抑制浓度低于填隙缺陷聚集所需临界浓度。
因为不脱离本发明的范围能在上述构造中进行各种改变，所以意图是将上述说明中所包含的或附图中所示的所有情况都理解成示例性的并且没有限制的意思。
权利要求
1．一种电阻加热器，供在按照直拉法生长单晶硅锭的拉晶设备中使用，该拉晶设备具有外壳、坩埚和提拉机构，上述坩埚在外壳中用于装熔化的硅，而提拉机构用于从熔化的硅中向上提拉正在生长的晶锭，所述加热器包括一个加热元件，该加热元件加工成一定尺寸和形状，以便设置在一般在坩埚之上的拉晶设备的外壳中，其与生长晶锭的外表面成隔开关系使得晶锭在所述外壳中相对于熔融硅向上提拉时，向晶锭辐射热量，该加热元件具有上端和下端，当加热元件放在所述外壳中时，加热元件的下端比上端基本上更接近熔融硅，所述加热元件被构造成使由加热元件产生的加热功率输出从加热元件的下端到上端逐渐增大的结构。
2．一种权利要求1的加热器，其中，所述加热元件包括第一和第二垂直取向的加热分段，一般并排布置且相互电连接，所述分段的每一个具有上端和下端，第二分段的长度明显大于第一分段，并且相对于第一分段排列，使得当所述加热元件布置在所述外壳中时，第二分段的下端比第一分段的下端更靠近坩埚中的熔融硅。
3．一种根据权利要求2的加热器，其中，第一和第二分段的上端在所述加热元件的上端一般是共面的，第二分段的下端即为加热元件的下端。
4．一种根据权利要求3的加热器，其中，所述加热元件包括以闭合的几何排列布置并且相互电连接以便环绕所述加热元件导通电流的多个分段，所述分段用电阻材料制成，使得由所述分段对其中的电流流动的阻力产生热量。
5．一种根据权利要求4的加热器，其中，所述加热元件用碳化硅涂敷的石墨材料制成。
6．一种根据权利要求1的加热器，其中，所述加热元件制成一定的尺寸和形状，使其在放入拉晶设备中时，延伸围绕至少一部分晶锭的外围，所述加热元件的上端制成一定的尺寸和形状，使其比加热元件的下端包围晶锭外围的程度明显更大。
7．一种根据权利要求1的加热器，其中，所述加热元件具有管形形状，通过一个与纵轴成非直角的平面切割而得，从而在放入所述外壳中时，所述加热元件的上端包围晶锭的整个外围，所述加热元件的下端包围晶锭外围的程度明显小于晶锭的整个外围。
8．一种根据权利要求1的加热器，与拉晶设备结合。
9．一种根据直拉法生长单晶硅锭的拉晶设备，所述拉晶设备包括一个外壳；一个在所述外壳中的坩埚，用于装熔融硅；一种提拉机构，用于从熔融硅中向上提拉生长的晶锭；和一种电阻加热器，包括加工成一定尺寸和形状的加热元件，该元件设置在一般在坩埚之上的拉晶设备的外壳中，其与生长晶锭的外表面成隔开关系使得晶锭在所述外壳中相对于熔融硅向上提拉时，向晶锭辐射热量，加热元件具有上端和下端，当加热元件放在所述外壳中时，加热元件的下端明显比上端更接近熔融硅，所述加热元件的结构使得由加热元件产生的加热功率输出从加热元件的下端到上端逐渐增大。
10．一种控制在根据直拉法生长单晶硅锭所用的拉晶设备中生长的单晶硅锭的轴向温度梯度均匀性的方法，所述拉晶设备有外壳，坩埚和提拉机构，所述坩埚位于外壳中用于装熔融硅，而所述提拉机构用于从熔融硅中向上提拉生长晶锭，所述方法包括下列步骤a)使晶锭在所述外壳中从熔融硅中向上提拉时冷却到预定的第一温度；b)在晶锭在所述外壳中进一步向上提拉时，向晶锭辐射热量，来降低它从第一温度冷却时的冷却速度；和c)在晶锭在所述外壳中进一步向上提拉时，逐渐增大向其辐射的热量，来保持当晶锭的温度从第一温度向预定的第二温度降低时晶锭具有大致均匀的轴向温度梯度。
11．根据权利要求10的方法，其中，向生长晶锭辐射热量和当其在所述外壳中进一步向上提拉时逐渐增大向生长晶锭辐射的热量的步骤包括提拉生长晶锭向上通过一个电阻加热器，所述电阻加热器布置在一般在坩埚上方的外壳中，所述加热器的结构使得在晶锭向上通过所述加热器时，加热功率输出逐渐增大，以减小晶锭的轴向温度梯度并提高温度梯度的均匀性。
12．根据权利要求11的方法，其中，进行辐射热量和逐渐增大所辐射的热量的步骤，来控制当晶锭温度从约1100℃降低到大约1000℃时生长晶锭的轴向温度梯度。
13．根据权利要求12的方法，其中，进行辐射热量和逐渐增大所辐射的热量的步骤，来保持当晶锭温度从约1100℃降低到大约1000℃时生长晶锭的轴向温度梯度约为0.4℃/毫米。
全文摘要
一种电阻加热器，供在按照直拉法生长单晶硅锭的拉晶设备中使用，该电阻加热器包括一个加热元件，该加热元件加工成一定尺寸和形状，以便设置在一般在坩埚之上的拉晶设备的外壳中，并与生长晶锭的外表面的成隔开关系使得在晶锭在所述外壳中相对于熔融硅向上提拉时，向晶锭辐射热量。加热元件具有上端和下端，当加热元件放在所述外壳中时，加热元件的下端大体比上端更接近熔融硅，加热元件的结构使得由加热元件产生的加热功率输出从加热元件的下端到上端逐渐增大。
文档编号C30B15/00GK1317058SQ99807890
公开日2001年10月10日 申请日期1999年6月24日 优先权日1998年6月26日
发明者R·G·施兰克, W·L·鲁特 申请人:Memc电子材料有限公司