技术特征：1.一种电容式触控导线结构，其特征在于，包括玻璃基板、附着于所述玻璃基板一表面的二氧化硅膜层、以及附着于所述二氧化硅膜层上并用于与ITO薄膜导体层电连接的金属引线，所述金属引线包括依次附着层叠的连接过渡层、用于与所述ITO薄膜导体层电连接的导电层、以及用于防止所述导电层氧化的氧化保护层，所述连接过渡层连接附着于所述二氧化硅膜层，其中，所述导电层为由铜制成的导电层，所述连接过渡层是由钼或钼镍合金制成的连接过渡层。2.如权利要求1所述的电容式触控导线结构，其特征在于，所述连接过渡层是由70％-80％钼和20％-30％镍制成的连接过渡层。3.如权利要求1所述的电容式触控导线结构，其特征在于，所述玻璃基板中附着所述二氧化硅膜层的板面的表面粗糙度为0.16～0.32nm。4.如权利要求1所述的电容式触控导线结构，其特征在于，所述二氧化硅膜层的厚度为5.如权利要求1所述的电容式触控导线结构，其特征在于，所述连接过渡层的厚度为6.如权利要求1所述的电容式触控导线结构，其特征在于，所述导电层的厚度为7.如权利要求1所述的电容式触控导线结构，其特征在于，所述氧化保护层是由70％-80％钼和20％-30％镍制成的氧化保护层。8.如权利要求1所述的电容式触控导线结构，其特征在于，所述二氧化硅膜层为通过磁控溅射的方法形成的二氧化硅膜层。9.如权利要求1所述的电容式触控导线结构，其特征在于，所述连接过渡层为通过磁控溅射的方法形成的连接过渡层，所述导电层为通过磁控溅射的方法形成的导电层，所述氧化保护层为通过磁控溅射的方法形成的氧化保护层。10.一种电容式触控面板，其特征在于，包括如权利要求1至9中任意一项\t所述的电容式触控导线结构。当前第2页1 2 3