技术特征：
技术总结
本发明公开了一种考虑互耦效应的变形阵列天线远场方向图补偿方法，包括阵列天线结构几何模型建立；阵列天线结构有限元模型的建立；辐射单元位置坐标的提取；根据辐射单元位置坐标计算辐射单元的空间相位参数以及考虑互耦效应的等效激励参数，最后根据阵列天线远场方向图计算表达式得到变形阵列天线辐射远场方向图，据此可求解相关电磁性能参数，分析结构变形对阵列天线电性能的影响关系。本发明可精确分析变形阵列天线辐射特性，对于实际工作中的阵列天线电性能分析具有很强的工程意义。
技术研发人员：王伟;闫永清;娄顺喜;保宏;钱思浩;葛潮流;胡乃岗;李明荣;胡祥涛;王志海
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2017.04.10
技术公布日：2017.08.11