版图设计方法及装置、计算机可读存储介质与流程

本发明实施例涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种版图设计方法及装置、计算机可读存储介质。

背景技术：

现有技术中，在进行集成电路版图设计时，设计人员通常在版图设计界面调用不同种类、不同型号的电子元器件，对调用的电子元器件相互之间进行布线，以得到目标版图。

设计人员在版图设计界面调用电子元器件时，传统的mos管的尺寸是单独设计的，不同的mos管的宽度和长度可能均不相同，具有很大的自由性。在设计mos管的尺寸时，通常无法预先考虑到版图的设计，需要将mos管的尺寸与版图的设计进行多次迭代，才能完成最终的版图设计。

技术实现要素：

本发明实施例解决的是如何便捷地进行版图设计的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种版图设计方法，包括：选取至少两个同类型的mos管，且所述至少两个同类型的mos管在版图中的宽度相同；根据所述至少两个同类型的mos管生成mos管模块，所述mos管模块的长度与宽度为预设设定的；采用所述mos管模块作为所述版图中的基础mos管进行版图设计。

可选的，所述同类型的mos管均为nmos管，所述mos管模块为nmos管模块；所述nmos管模块中，前一nmos管的源极与后一nmos管的漏极耦接，且第一个nmos管的漏极为所述nmos管模块的漏极，最后一个nmos管的源极为所述nmos管模块的源极，其中一个nmos管的栅极为所述nmos管模块的栅极。

可选的，在进行版图设计时，还包括：在所述nmos管模块中，选择除作为所述nmos管模块的栅极之外至少一个nmos管的栅极，作为所述版图的dummy管。

可选的，所述nmos管模块中，所有nmos管的衬底相互耦接。

可选的，所述同类型的mos管均为pmos管，所述mos管模块为pmos管模块；所述pmos管模块中，前一pmos管的漏极与后一nmos管的源极耦接，且第一个pmos管的源极为所述pmos管模块的源极，最后一个pmos管的漏极为所述pmos管模块的漏极，其中一个pmos管的栅极为所述pmos管模块的栅极。

可选的，在进行版图设计时，还包括：在所述pmos管模块中，选择除作为所述pmos管模块的栅极之外至少一个pmos管的栅极，作为所述版图的dummy管。

可选的，所述pmos管模块中，所有pmos管模块的衬底相互耦接。

本发明实施例还提供了一种版图设计装置，包括：选取单元，用于选取至少两个同类型的mos管，且所述至少两个同类型的mos管在版图中的宽度相同；生成单元，用于根据所述至少两个同类型的mos管生成mos管模块，所述mos管模块的长度与宽度为预设设定的；版图设计单元，用于采用所述mos管模块作为所述版图中的基础mos管进行版图设计。

可选的，所述同类型的mos管均为nmos管，所述mos管模块为nmos管模块；所述nmos管模块中，前一nmos管的源极与后一nmos管的漏极耦接，且第一个nmos管的漏极为所述nmos管模块的漏极，最后一个nmos管的源极为所述nmos管模块的源极，其中一个nmos管的栅极为所述nmos管模块的栅极。

可选的，所述版图设计单元，还用于在所述nmos管模块中，选择除作为所述nmos管模块的栅极之外至少一个nmos管的栅极，作为所述版图的dummy管。

可选的，所述同类型的mos管均为pmos管，所述mos管模块为pmos管模块；所述pmos管模块中，前一pmos管的漏极与后一nmos管的源极耦接，且第一个pmos管的源极为所述pmos管模块的源极，最后一个pmos管的漏极为所述pmos管模块的漏极，其中一个pmos管的栅极为所述pmos管模块的栅极。

可选的，所述版图设计单元，还用于在所述pmos管模块中，选择除作为所述pmos管模块的栅极之外至少一个pmos管的栅极，作为所述版图的dummy管。

本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行上述任一种所述的版图设计方法的步骤。

本发明实施例还提供了一种版图设计装置，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器运行所述计算机指令时执行上述任一种所述的版图设计方法的步骤。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

将同类型的不同的mos管生成mos管模块，且所生成的mos管模块的长度与宽度预先设定。在进行版图设计时，采用所生成的mos管模块作为基础mos管进行版图设计，从而固化版图设计中mos管的尺寸，因此可以便捷地进行版图设计。

进一步，将所生成的mos管模块中空置的mos管的栅极作为版图的dummy管，无需再在版图上新增加独立的dummy管，可以进一步简化版图设计的流程并降低版图设计的工作量。

附图说明

图1是本发明实施例中的一种版图设计方法的流程图；

图2是本发明实施例中的一种mmos管模块的结构示意图；

图3是本发明实施例中的一种pmos管模块的结构示意图；

图4是本发明实施例中的一种版图设计装置的结构示意图。

具体实施方式

现有技术中，设计人员在版图设计界面调用电子元器件时，传统的mos管的尺寸是单独设计的，不同的mos管的宽度和长度可能均不相同，具有很大的自由性。在设计mos管的尺寸时，通常无法预先考虑到版图的设计，需要将mos管的尺寸与版图的设计进行多次迭代，才能完成最终的版图设计。

在本发明实施例中，将同类型的不同的mos管生成mos管模块，且所生成的mos管模块的长度与宽度预先设定。在进行版图设计时，采用所生成的mos管模块作为基础mos管进行版图设计，从而固化版图设计中mos管的尺寸，因此可以便捷地进行版图设计。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

本发明实施例提供了一种版图设计方法，参照图1，以下通过具体步骤进行详细说明。

步骤s101，选取至少两个同类型的mos管。

在具体实施中，所选取的同类型的mos管可以均为nmos管，也可以均为pmos管。在选取同类型的mos管时，不同的mos管在版图中的宽度相同。所选取的不同类型的mos管在版图中的长度可以不等，也可以相等。

步骤s102，根据所述至少两个同类型的mos管生成mos管模块。

在具体实施中，可以预先设定所生成的mos管模块的尺寸大小。在生成mos管模块时，可以将所选取的至少两个同类型的mos管生成预设尺寸大小的mos管模块。

当所选取的至少两个同类型的mos管均为nmos管时，所生成的mos管模块为nmos管模块；当所选取的至少两个同类型的mos管均为pmos管时，所生成的mos管模块为pmos管模块。

在本发明实施例中，当生成的mos管模块为nmos管模块时，在nmos管模块中，前一nmos管的源极与后一nmos管的漏极耦接，且第一个nmos管的漏极为nmos管模块的漏极，最后一个nmos管的源极为nmos管模块的源极。在所生成的nmos管模块中，可以从中选取任一个nmos管的栅极为nmos管模块的栅极。

参照图2，给出了本发明实施例中的一种nmos管模块20的结构示意图。图2中，nmos管模块20包括三个nmos管，依次为nmos管mn1、nmos管mn2以及nmos管mn3，其中：

nmos管mn1的漏极为nmos管模块20的漏极，nmos管mn1的栅极为nmos管模块20的栅极，nmos管mn1的源极与nmos管mn2的漏极耦接；

nmos管mn2的源极与nmos管mn3的漏极耦接；nmos管mn3的源极为nmos管模块20的源极；在版图设计过程中，nmos管mn2的栅极以及nmos管mn3的栅极可以空置。

在本发明实施例中，当生成的mos管模块为pmos管模块时，在pmos管模块中，前一pmos管的漏极与后一pmos管的源极耦接，且第一个pmos管的源极为pmos管模块的源极，最后一个pmos管的漏极为pmos管模块的漏极。在所生成的pmos管模块中，可以从中选取任一个pmos管的栅极为pmos管模块的栅极。

参照图3，给出了本发明实施例中的一种pmos管模块30的结构示意图。图3中，pmos管模块30包括三个pmos管，依次为pmos管mp1、pmos管mp2以及pmos管mp3，其中：

pmos管mp1的源极为pmos管模块30的源极，pmos管mp1的栅极为pmos管模块30的栅极，pmos管mp1的漏极与pmos管mp2的源极耦接；

pmos管mp2的漏极与pmos管mp3的源极耦接；pmos管mp3的漏极为pmos管模块30的漏极；在版图设计过程中，pmos管mp2的栅极以及pmos管mp3的栅极可以空置。

步骤s103，采用所述mos管模块作为所述版图中的基础mos管进行版图设计。

在本发明实施例中，在版图设计中，本发明实施例中提供的nmos管模块可以实现nmos管的基本功能，因此，可以将nmos管模块视为基础nmos管。相应地，pmos管模块可以实现pmos管的基本功能，因此，可以将pmos管模块视为基础pmos管。

在具体实施中，即可将mos管模块作为版图中的基础mos管进行版图设计。

例如，使用本发明实施例中生成的nmos管模块作为基础nmos管，生成nmos电流镜、nmos输入对、nmos开启/关断电路等电路。又如，使用pmos管模块作为基础pmos管，生成pmos电流镜、pmos开启/关断电路等电路。

从本发明上述实施例中可知，在进行版图设计时，采用所生成的mos管模块作为基础mos管进行版图设计，从而固化版图设计中mos管的尺寸，因此可以便捷地进行版图设计。

在具体实施中，在进行版图设计时，还可以在nmos管模块中，选择出作为nmos管模块的栅极之外至少一个nmos管的栅极，作为版图的dummy管。

从本发明上述实施例中可知，一个nmos管模块包括至少两个同类型的nmos管，其中一个nmos管的栅极作为nmos管模块的栅极。在进行版图设计时，其他nmos管的栅极可以作为版图的dummy管。

参照图2，nmos管模块20包括三个同类型的nmos管。在进行版图设计时，可以选择三个nmos管中的任一个的栅极作为nmos管模块的栅极。例如，选择nmos管mn1的栅极作为nmos管模块的栅极，此时，nmos管mn2的栅极、nmos管mn3的栅极均可以作为版图的dummy管。

相应地，在进行版图设计时，可以在pmos管模块中，选择出作为pmos管模块的栅极之外至少一个pmos管的栅极，作为版图的dummy管。

从本发明上述实施例中可知，一个pmos管模块包括至少两个同类型的pmos管，其中一个pmos管的栅极作为pmos管模块的栅极。在进行版图设计时，其他pmos管的栅极可以作为版图的dummy管。

参照图3，pmos管模块30包括三个同类型的pmos管。在进行版图设计时，可以选择三个pmos管中的任一个的栅极作为pmos管模块的栅极。例如，选择pmos管mp1的栅极作为pmos管模块的栅极，此时，pmos管mp2的栅极、pmos管mp3的栅极均可以作为版图的dummy管。

在具体实施中，在nmos管模块中，所有nmos管的衬底可以相互耦接。在pmos管模块中，所有pmos管模块中的衬底也可以相互耦接。

参照图2，nmos管mn1的衬底、nmos管mn2的衬底以及nmos管mn3的衬底耦接。参照图3，pmos管mp1的衬底、pmos管mp2的衬底以及pmos管mp3的衬底耦接。

由此可见，将所生成的mos管模块中空置的mos管的栅极作为版图的dummy管，无需再在版图上新增加独立的dummy管，可以进一步简化版图设计的流程并降低版图设计的工作量。

参照图4，本发明实施例还提供了一种版图设计装置40，包括：选取单元401、生成单元402以及版图设计单元403，其中：

选取单元401，用于选取至少两个同类型的mos管，且所述至少两个同类型的mos管在版图中的宽度相同；

生成单元402，用于根据所述至少两个同类型的mos管生成mos管模块，所述mos管模块的长度与宽度为预设设定的；

版图设计单元403，用于采用所述mos管模块作为所述版图中的基础mos管进行版图设计。

在具体实施中，所述同类型的mos管均为nmos管，所述mos管模块为nmos管模块；所述nmos管模块中，前一nmos管的源极与后一nmos管的漏极耦接，且第一个nmos管的漏极为所述nmos管模块的漏极，最后一个nmos管的源极为所述nmos管模块的源极，其中一个nmos管的栅极为所述nmos管模块的栅极。

在具体实施中，所述版图设计单元403，还可以用于在所述nmos管模块中，选择除作为所述nmos管模块的栅极之外至少一个nmos管的栅极，作为所述版图的dummy管。

在具体实施中，所述同类型的mos管均为pmos管，所述mos管模块为pmos管模块；所述pmos管模块中，前一pmos管的漏极与后一nmos管的源极耦接，且第一个pmos管的源极为所述pmos管模块的源极，最后一个pmos管的漏极为所述pmos管模块的漏极，其中一个pmos管的栅极为所述pmos管模块的栅极。

在具体实施中，所述版图设计单元403，还可以用于在所述pmos管模块中，选择除作为所述pmos管模块的栅极之外至少一个pmos管的栅极，作为所述版图的dummy管。

本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行本发明上述任一实施例所述的版图设计方法的步骤。

本发明实施例还提供了另一种版图设计装置，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器运行所述计算机指令时执行本发明上述任一实施例所述的版图设计方法的步骤。

本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指示相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质可以包括：rom、ram、磁盘或光盘等。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。