本实用新型属于触摸屏设计与制造领域，尤其是一种大尺寸触摸屏。
背景技术：
10寸以下中小尺寸工控类触摸屏因其屏幕尺寸小，当其线性偏差小于1.5％时，触摸某一个位置也不会触发周围位置误动作，这是因为10寸以下触摸屏其长边尺寸小于204mm，减去非动作区尺寸后动作区的长边有效尺寸小于200mm，即使某位置的线性为1.5％其最大位置偏差也小于3mm，而手指接触屏幕的触摸面积一般大于6mm*6mm，只要在软件设计时考虑到手指的触摸偏差及“按键”(软件定义的触摸位置)的边缘效应，1.5％的线性度是能够满足使用要求的。
但是，当触摸屏尺寸超过10寸后，尺寸越大的触摸屏在线性度为1.5％时的触摸位置偏差就越大，例如15寸触摸屏的最大偏差会达到4.5mm，这在某些“按键”设计得比较密的使用场合是足以造成相邻位置误动作的。
造成触摸屏线性偏差的原因主要有两个：因触摸屏尺寸很大，单条银线太长导致其电阻值过大，银线的引出端压降过大，并且银线布局不合理，引出线位置的对称性差。现有触摸屏的银线布局如图1所示，图中标号6是触摸屏膜基片，标号7是ITO导电层，标号8是上端银线，标号9是下端银线；其线性偏移如图2所示。
本文提到的缩写的相应含义如下：ITO：氧化铟锡，一种N型氧化物半导体；FPC：Flexible Printed Circuit，柔性电路板。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于克服上述技术不足，提出一种大尺寸触摸屏，解决现有技术中大尺寸触摸屏因上、下层银线线路长电阻大，导致造成触摸屏线性偏差较大的技术问题。
为达到上述技术目的，本实用新型的技术方案提供一种大尺寸触摸屏，包括上层膜基片和下层玻璃基片。
为便于说明，本文定义上层膜基片线路的电流方向是左右方向、下层玻璃基片线路的电流方向是上下方向，实际只需上层膜基片线路的电流方向与下层玻璃基片线路的电流方向相互垂直即可。
所述上层膜基片包括上层膜基片本体、设于于上层膜基片本体内表面的横向ITO镀层和设于上层膜基片本体边缘的上层银线，该上层银线包括两条对称设置且分别对应覆盖横向ITO镀层左右端头的左端银线和右端银线；
所述下层玻璃基片包括下层玻璃基片本体、设于下层玻璃基片本体内表面的纵向ITO镀层和设于下层玻璃基片本体边缘的下层银线，该下层银线包括覆盖纵向ITO镀层上端头的上端银线，和覆盖纵向ITO镀层下端头的下端银线；
其中，由所述左端银线和右端银线的下端、上端银线的左右两端、及下端银线的中点处各引出一条线到FPC连接位置。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果包括：采用对称式的银线布局，为银线上各点到FPC连接位置创造了最短距离，即最小电阻，大大缩小了触摸屏线性偏差。
附图说明
图1是常规触摸屏的膜基片结构示意图；
图2是常规触摸屏的线性偏移图；
图3是本实用新型的上层膜基片结构示意图；
图4是本实用新型的下层玻璃基片结构示意图；
图5是本实用新型的上层膜基片线性偏移图；
图6是本实用新型的下层玻璃基片线性偏移图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
本实用新型提供了一种大尺寸触摸屏，包括上层膜基片1和下层玻璃基片2。
如图3所示，所述上层膜基片1包括上层膜基片本体11、设于上层膜基片本体11内表面的横向ITO镀层12和设于上层膜基片本体11边缘的上层银线13，该上层银线13包括两条对称设置且分别对应覆盖横向ITO镀层12左右端头的左端银线131和右端银线132。
如图4所示，所述下层玻璃基片2包括下层玻璃基片本体21、设于下层玻璃基片本体21内表面的纵向ITO镀层22和设于下层玻璃基片本体21边缘的下层银线23，该下层银线23包括覆盖纵向ITO镀层22上端头的上端银线231，和覆盖纵向ITO镀层22下端头的下端银线232。
其中，由所述左端银线131和右端银线132的下端、上端银线231的左右两端、及下端银线232的中点处各引出一条线到FPC连接位置3。
作为优选的，所述FPC连接位置3处于上层膜基片1和下层玻璃基片2的边缘中点处。
上端银线231的左右两端分别引出一条线，且通过FPC连在一起，使该银线两端等电位以减少银线压降及线性偏差；下端银线232在中点处引出线到FPC连接位置3，使该银线两端等电位以减少银线压降及线性偏差；左端银线131和右端银线132为左右对称布置，可直接从各自的下端面引出线到FPC连接位置3，减少银线压降及线性偏差。
采用本方案提供的对称式的银线布局，为银线上各点到FPC连接位置创造了最短距离，即最小电阻，大大缩小了触摸屏线性偏差，如图5和图6所示。
以上所述本实用新型的具体实施方式，并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何根据本实用新型的技术构思所做出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围内。