一种用于提高理论光谱数据库创建速度的方法及装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及集成电路制造的工艺控制技术，尤其涉及一种提_光学关键尺寸 【OpticsCriticalDimension(0〇))】测量技术的理论光谱数据库创建速度的方法及装置。
【背景技术】
[0002] 随着半导体工业向深亚微米技术节点持续推进，集成电路器件尺寸不断缩小，器 件结构设计愈加复杂。只有通过严格的工艺控制才能获得功能完整的电路和高速工作的器 件。
[0003] 光学关键尺寸测量技术是当前半导体制造工艺中一种主流的工艺控制技术，其基 本工作原理可描述为：（1)建立与器件样品的形貌相对应的理论光谱数据库；（2)通过光学 关键尺寸测量设备获得样品的测量光谱；（3)从理论光谱数据库中寻找与测量光谱最佳匹 配的特征光谱，从而确定该样品的形貌参数。
[0004] 基于库的光谱匹配方法需要大量的数值计算，通常在测量之前在专用计算服务器 上建立。匹配测量光谱时，从已经建立的理论光谱数据库中找出与测量光谱最佳匹配的光 谱，并索引出各个参数值。
[0005] 然而，随着半导体技术的发展，需要测量的集成电路器件样品的结构形貌越来越 复杂，由此样品理论光谱数据库的变量个数也更多；并且，工艺控制对测量精度要求越来越 高，理论光谱数据库的变量的步长更精细；同时为了避免局部的匹配，理论光谱数据库中参 数范围也越来越大。在此情况下，理论光谱数据库的数据量越来越大，如何提高理论光谱数 据库的创建速度尤为重要。
【发明内容】
[0006] 本发明所要解决的技术问题是提供一种提高理论光谱数据库创建速度的方法及 装置，以既保证光学关键尺寸测量结果的准确度，又能提高光学关键尺寸理论光谱数据库 的创建速度。
[0007] 根据本发明的一个方面，提供一种提高光学关键尺寸测量技术的理论光谱数据库 创建速度的方法，其中，包括：
[0008] 获取光学关键尺寸模型在每个波长点的不同傅里叶展开阶数对应的光谱数据；
[0009] 对在每个波长点的不同展开阶数所获取的光谱数据进行收敛分析，来确定该波长 点的满足预定收敛条件的最优展开阶数；
[0010] 根据该光学关键尺寸模型在每个波长点的最优展开阶数对应的光谱数据，来建立 或更新所述光学关键尺寸模型的理论光谱数据库。
[0011] 根据本发明的另一个方面，还提供了一种提高光学关键尺寸测量技术的理论光谱 数据库创建速度的装置，其中，包括：
[0012] 理论光谱数据获取装置，用于获取光学关键尺寸模型在每个波长点的不同傅里叶 展开阶数对应的理论光谱数据；
[0013] 最优展开阶数确定装置，用于对在每个波长点的不同展开阶数所获取的光谱数据 进行收敛分析，来确定该波长点的满足预定收敛条件的最优展开阶数；
[0014] 理论光谱数据库建立更新装置，用于根据该光学关键尺寸模型在每个波长点的最 优展开阶数对应的光谱数据，来建立或更新所述光学关键尺寸模型的理论光谱数据库。
[0015] 与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明通过确定0CD模型在每个波长点 的最优展开阶数，来获取最优展开阶数对应的光谱数据，用于建立0CD模型的理论光谱数 据库，不同于现有技术对所有波长点采用同样的展开阶数进行光谱数据的计算，从而既保 证了测量结果的准确度，又提高了理论光谱数据库的创建速度。
【附图说明】
[0016] 通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它 特征、目的和优点将会变得更明显：
[0017] 图1为根据本发明一个实施例的一种建立用于0CD测量的理论光谱数据库的方法 流程图；
[0018] 图2为二维待测量样品的结构示意图；
[0019] 图3为根据本发明一个实施例的一种建立用于0⑶测量的理论光谱数据库的装置 示意图。
[0020] 附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。
【具体实施方式】
[0021] 下面结合附图对本发明作进一步详细描述。
[0022] 图1是根据本发明一个实施例的一种提高0CD测量技术的理论光谱数据库创建速 度的方法流程图。
[0023] 如图1所示，在步骤S101中，获取0CD模型在每个波长点的不同傅里叶展开阶数 对应的光谱数据。
[0024] 优选地，可以基于不浮动所述0CD模型的模型参数，来计算获取该0CD模型在每个 波长点的不同展开阶数对应的光谱数据。
[0025] 优选地，可以基于浮动所述0CD模型的模型参数，来计算获取该0CD模型在每个波 长点的不同展开阶数对应的光谱数据。
[0026] 下面以一个示例来说明如何获取0CD模型在每个波长点的不同展开阶数对应的 光谱数据。
[0027] 示例 1
[0028] 以图2所示的二维周期性结构的待测量样品为例，该待测量样品在正截面内呈 周期性变化，如果周期性结构的周期数足够多，通常将这种二维周期性结构称为光学光 栅。首先，获取待测量样品的样品信息，该待测量样品的上方材料(如为空气）用描 述，n为材料的折射率，k为材料吸收系数，待测量样品的第一层为光栅层，如为多晶硅，其 材料为（1^10,周期为PITCH，形状为梯形，用CTCD，B⑶，HT)描述。第二层为薄膜层，如 为二氧化娃，其材料为（n2，k2)，厚度用Thickness描述。再往下为衬底，如为娃，其材料为 (n3，k3)。通常情况，材料的信息可以通过薄膜测量技术获知。这样，样品的模型就可以用 参数向量v=(TCD，BCD，HT，Thickness)1 描述，若一般化描述，可以写为v=(VQ，Vi，...，VN_i)T，Vi，i=0,. . .，N-1为多层结构全部的参数。随后，根据所获取的样品信息，来建立0⑶模型， 具体地，OCD建模装置可以将所获取的样品信息转换为OCD模型，并将转换得到的OCD模型 保存为配置文件。
[0029] 在建立0⑶模型之后，0⑶建模装置设置所述0⑶模型的各参数的标称值，0⑶测 量设备的系统参数，及0CD模型的波长参数。其中，所述标称值指所述0CD模型的各参数的 默认值；0CD测量设备的系统参数包括测量光线的入射角度，方位角度，数值孔径等；0CD模 型的