一种表用存储介质的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及公用表，尤其是电表、水表或热表，用于测量公用能耗(例如水、电、热暖等)，特定地涉及公用表的能耗数据存储技术。
【背景技术】
[0002]大容量FLASH是目前仪器仪表上广泛使用的廉价非易失存储器(NVM)，但FLASH的最大缺陷是擦写次数受限，一般FLASH只有10万次的擦写次数一一有的型号可能更低，超过其允许擦写次数，器件就会发生损坏。针对FLASH的特性，常规技术中的做法一般有:采用文件操作系统，例如JFFS2、YAFFS2、UBI等嵌入式文件系统，这些文件系统具备负载均衡功能，能够合理动态分配存储空间，从而避免将某文件写到固定地址，由此均衡整个芯片的擦写次数。这样做，可以提高整机的寿命，但对于更频繁的操作，也是无能为力。
[0003]在电力线交流电源有电时，将所要存储的数据保存到RAM中，积累到一定的时间，再将数据转存到FLASH中。这样操作，在不停电时是没有问题的，可以大大减少对FLASH的擦写次数。目前多数仪器仪表采用电池或大容量电容作为备用电源，在检测到交流停电后，通过备用电源将数据保存到FLASH中。这样做看似没有问题，但在电池失效或电容电量不够时，停电转存数据时就会出现数据转存不全或无法转存的情况。
【发明内容】
[0004]技术方案:表用存储介质，电气耦接表内部的CPU以存储来自其中的处理数据，所述存储介质包括非易失性存储器(NVM)和可无限次擦写存储器(MTP)，所述NVM通过并行串口交换处理数据，所述MTP通过SPI接口交换处理数据，其中所述NVM被配置为存储第一数据部分，所述MTP被配置为存储第二数据部分。
[0005]在一个实施例中，所述第一数据部分包含有电压合格率、电功率，所述第二数据部分包含电量、时钟CLK。
[0006]在一个实施例中，所述NVM选用FLASH单元，所述MTP选用FRAM单元。
[0007]在一个实施例中，所述CPU被配置为:在一个第一时间间隔T1以外，将第一数据部分写入NVM中；在此第一时间间隔T1以内，将第二数据部分写入MTP中。
[0008]进一步地，在一个第一时间间隔T1以外的第二时间间隔T2R，将存储于MTP中的第二数据部分进行提取，写入所述的NVM中。
[0009]在一个实施例中，所述CPU被配置为:在一个第一时间间隔T1以外，将第一数据部分和第二数据部分分别写入所述的NVM中；在此第一时间间隔T1以内，将第二数据部分写入MTP中。
[0010]在一个实施例中，所述CPU被配置为:在一个第一时间间隔T1以外的第三时间周期间隔1内，将存储于所述的NVM中的第一数据部分与第二数据部分根据预设的时钟CLK进行合并。
[0011 ] 在一个实施例中，所述CPU被配置为在所述第三时间周期间隔T3以外，删除MTP中的第二数据部分。
[0012]在另一个实施例中，提供一种公用表，包括:CPU，用于计算和处理表对能耗的测量数据；耦接所述CPU的一个NVM，被配置为存储第一数据部分；以及耦接所述CPU的至少一个MTP，被配置为存储第二数据部分，其中所述CPU被配置为设置至少一个时间间隔来控制所述第一数据部分和第二数据部分的存储次序。
[0013]在一个实施例中，所述第一数据部分包含有电压合格率、电功率，所述第二数据部分包含电量、时钟CLK。
[0014]在一个实施例中，所述NVM选用FLASH单元，所述MTP选用FRAM单元。
[0015]在一个实施例中，所述CPU被配置为:在一个第一时间间隔Tl以外，将第一数据部分写入NVM中；在此第一时间间隔Tl以内，将第二数据部分写入至少一个MTP中；以及在一个第一时间间隔Tl以外的第二时间间隔T2内，将存储于这至少一个MTP中的第二数据部分进行提取，写入所述的NVM中。
[0016]在一个实施例中，所述MTP被配置为包括η个MTP单元，其中在第η_1个时间间隔Tlri以内，第η个MTP单元存储所述第二数据部分中的第η个区块内容。
[0017]在一个实施例中，所述CPU被配置为:在第η个时间间隔Tn以外的第三时间周期间隔1内，将存储于所述的NVM中的第一数据部分与第二数据部分根据预设的时钟CLK进行合并。
[0018]在又一个实施例中，提供一种提高公用表数据存取效率的方法，包括:通过CPU读取能耗测量数据，选择能耗测量数据的存储类别；通过设置第一时间间隔T1来判断将能耗测量数据存储至NVM或ΜΤΡ，其中若选择存储至NVM，则提取所述能耗测量数据中的第一数据部分，写入所述的NVM，若选择存储至ΜΤΡ，则提取所述能耗测量数据中的第二数据部分，写入所述的MTP ;通过设置第二时间间隔!^来判断将第二数据部分存储至所述的NVM中；以及根据第三时间周期间隔T3，将存储于所述的NVM中的第一数据部分与第二数据部分根据预设的时钟CLK进行合并。
[0019]在一个实施例中，所述第一数据部分包含有电压合格率、电功率，所述第二数据部分包含电量、时钟CLK。
[0020]在一个实施例中，所述NVM选用FLASH单元，所述MTP选用FRAM单元。
[0021 ] 在一个实施例中，所述CPU被配置为在所述第三时间周期间隔T3以外，删除MTP中的第二数据部分。
【附图说明】
[0022]图1为本发明存储介质的结构示意图。
【具体实施方式】
[0023]参照图1的表(例如电表)用存储介质电气耦接表内部的CPU 3以存储来自其中的处理数据，所述存储介质包括NVM 2和MTP LNVM 2通过并行串口交换处理数据，总线速度达133MHz，所述MTP通过SPI接口交换处理数据，可达到20MHz的总线速度，其中所述NVM被配置为存储第一数据部分，所述MTP被配置为存储第二数据部分。
[0024]在一个实施例中，所述第一数据部分包含有电压合格率、电功率，所述第二数据部分包含电量、时钟CLK。
[0025]在一个实施例中，所述NVM选用FLASH单元，所述MTP选用FRAM单元，其中FRAM单元适合小数据量的频繁读写，FLASH单元适合大数据量的滚动存储，通过FLASH单元的缓存，变化频繁或经常采集的数据经一定周期(如60分钟)汇集后写入FLASH单元，从而减少FLASH单元的页写次数。
[0026]在一个实施例中，所述CPU被配置为: