存储设备和主机设备的制造方法_4

文档序号:8476713阅读:来源:国知局
的数据作为长数据处理。
[0165]将顺序写入区域的最小单位设置为64KB (通过页大小确定),并且将小于64KB的数据作为短数据处理。
[0166]短数据的顺序写入并不限于基于RU(数据大小是RU大小的倍数,并且地址在RU边界上)。
[0167]当基于RU写入数据时,性能等于或高于Pw。尽管还可以以小于RU的单位写入数据,但性能变得低于Pw。“P/变得较低”意味着存储设备指示的繁忙时间变得较长。对于在顺序写入区域中写入,存储设备确认地址是否是顺序地址以及写入数据是否存在于RU边界上,并且根据是否满足要产生性能Pw的条件来控制繁忙时间。如果区域不是顺序写入区域,则性能PwS有限制,并且因此执行另一个繁忙控制。即,存储设备针对用于存取AU的命令,判断地址是否指示存取顺序写入区域,并且更改存储器存取控制,例如繁忙时间。
[0168]下面将参考图8详细描述区域管理方法。
[0169]如上所述,CMD20 “布置区域”单独使用,这不同于其它CMD20。CMD20 “布置区域”是用于允许存储设备11在特定时间内准备一个区域的命令,并且指示通过取消CMD20的繁忙而完成准备。
[0170]例如在建立序列中,在区域指定结束时发出CMD20 “布置区域”。
[0171]如图8中所示,在建立完成之后,可以通过发出CMD20 “设置盖写区域”+CMD25或CMD18,随时指定盖写区域(步骤Sll)。然后,发出CMD20 “布置区域”以便准备一个区域(步骤S12)。为了布置通过向盖写区域随机写入而缓存的数据,卡需要处理时间。可以通过CMD20 “布置区域”确保处理时间,并且设计变得很容易。在这种情况下,允许的繁忙时间被限制为250毫秒,因为例如可以在主机设备中进行数据记录。
[0172]注意,如上所述,当组合CMD20和写入命令时,不仅执行写入写入数据,而且还执行将包括数据的区域分配为顺序写入区域或盖写区域。此外,针对CMD20的每个功能或者命令发出的每种情况,设置繁忙时间的最大值,以便主机设备可以估计写入性能预算。当使用CMD20指定盖写区域或顺序写入区域,并且多次执行写入时,卡可以进行控制以使每次写入的平均繁忙时间短于在除指定的区域之外的区域中多次写入的平均繁忙时间。即,使用CMD20的写入的平均繁忙时间可以被控制为短于不使用CMD20的写入的平均繁忙时间。
[0173](建立序列)
[0174]图9A和9B示出使用CMD20的建立序列的一个实例。图10示出其中图9B中所示的建立序列被表示为命令序列的一个实例。在该实例中,指定一个顺序写入区域和三个盖写区域。
[0175]更具体地说,首先,初始化存储设备(卡)(步骤S21)。然后,通过CMD20“设置数据区域的顶部”+CMD18指定数据区域的起始地址,并且卡将DIR区域和位图区域分配为盖写区域(步骤S22)。接下来,通过CMD20 “设置顺序写入区域”+CMD17,指定顺序写入区域(步骤S23)。接下来,通过CMD20“设置盖写区域”+CMD18、CMD20“设置盖写区域”+CMD25和CMD20“设置盖写区域”+CMD18,指定盖写区域(步骤S24、S25和S26)。最后,发出CMD20“布置区域”,并且在CMD20“布置区域”的繁忙指示期间准备存储设备11中的区域(步骤S27)。
[0176]使用上述操作,分配一个顺序写入区域和三个盖写区域。
[0177]注意,CMD20和写入命令或读取命令的组合并不限于图9B和10中所示的这些组合。通过组合CMD20和写入命令或读取命令,可以从AU的开头或中间点设置必需区域,如图9A中所示。
[0178](文件创建的实例)
[0179]图11假设以下状态:其中在根目录下存在子目录DIR1,并且已经在子目录DIRl中创建文件X1、X2和X3。将描述以下情况:其中在该状态下初始化卡,在根目录下新创建子目录DIR2,在DIRl中创建文件I和文件2,并且在DIR2中创建文件3。
[0180]图12是具体地示出根据图11中所示的该实施例的文件创建的一个实例的图。图13将图12中所不的文件创建表不为命令序列。在图12和13中,相同的参考标号表不相同的部分。注意,未在图12中示出FAT、位图和根目录。
[0181]图12和13示出以下实例:其中指定两个顺序写入区域SeqW-AUl和SeqW_AU2以及用作两个盖写区域的目录表项I和目录表项2,并且在这些区域中写入数据。
[0182]首先,执行初始化序列以便初始化存储设备11 (步骤S41)。
[0183]接下来,主机设备20分析文件系统的格式,发出CMD20 “设置数据区域的顶部”+CMD18,并且指定通过所述格式指定的数据区域的起始地址(步骤S42)。在符合SD标准文件系统的exFAT中,CMD18读出的数据可以包括位图区域。主机设备20可以在系统存储器(RAM 24)中缓存读出的位图。
[0184]主机设备20发出CMD20 “设置顺序写入AU”+CMD18。存储设备11基于所述命令,在NAND闪存18中分配顺序写入区域SeqW-AUl (步骤S43)。可以按顺序从CMD18指定的地址位置到AU的结尾来写入数据。
[0185]然后,主机设备20分析文件系统的格式,并且发出CMD20 “设置盖写区域” +CMD25 (步骤S44)。因此,CMD18将已经创建的目录表项I分配为盖写区域。
[0186]主机设备20然后发出CMD20“布置区域”以便指示存储设备11准备一个区域(步骤S45)。存储设备11被允许例如使用I秒作为区域准备时间。
[0187]然后,在目录表项I中创建文件I的文件表项FEl,并且在顺序写入区域SeqW-AUl中写入文件I的部分数据文件Ia (步骤S46和S47)。在该实例中,所有文件数据都基于RU被写入,同时使其与RU边界匹配。
[0188]接下来,在目录表项I中创建文件2的文件表项FE2,并且在顺序写入区域Seqff-AUl中写入文件2的部分数据文件2a(步骤S48和S49)。
[0189]接下来,主机设备20分析文件系统的格式,并且按顺序发出CMD20 “设置盖写区域” +CMD25和CMD20 “布置区域”(步骤S50和S51)。因此,CMD25将目录表项2新近分配为盖写区域。
[0190]然后,在目录表项2中创建文件3的文件表项FE3(步骤S52),并且在顺序写入区域SeqW-AUl中写入文件3的部分数据文件3a(步骤S53)。
[0191]接下来,在顺序写入区域SeqW-AUl中写入文件I的后续数据文件Ib (步骤S54)。
[0192]在顺序写入区域SeqW-AUl中写入文件3的后续数据文件3b (步骤S55)。
[0193]在顺序写入区域SeqW-AUl中写入文件I的后续数据文件Ic (步骤S56)。
[0194]在顺序写入区域SeqW-AUl中写入文件2的后续数据文件2b (步骤S57)。
[0195]当顺序写入区域SeqW-AUl被填满以达到其容量时,从顺序区域中排除区域Seqff-AUlo
[0196]然后,主机设备20发出CMD20 “设置顺序写入AU”。存储设备11基于该命令,在NAND闪存18中新分配顺序写入区域SeqW_AU2 (步骤S58)。
[0197]接下来,在顺序写入区域SeqW-AU2中写入文件I的后续数据文件Id(步骤S59)。步骤S59的第一 CMD25表示区域SeqW_AU2的起始地址,并且从该处写入数据文件Id。将该逻辑地址(从外部存取的地址)分配给顺序写入区域SeqW-AU2。
[0198]根据上述实施例,可以使用CMD20的参数“设置顺序写入AU”、“设置盖写区域”、“设置数据区域的顶部”和“布置区域”指定顺序写入区域和盖写区域,并且可以在这些区域中写入数据。
[0199]此外,可以在初始化时将部分地写入的AU分配为顺序写入区域。由于此原因,可以使用AU中的空闲区域,并且可以改进AU利用效率。
[0200](文件创建的另一个实例)
[0201]图14将图3中所示的文件创建的实例表示为命令序列。
[0202]参考图14,步骤S61、S62和S63与图13中的步骤S41、S42和S43相同。初始化存储设备11,指定通过所述格式指定的数据区域的起始地址,并且指定顺序写入区域SeqW-AU。
[0203]接下来,主机设备20发出CMD20 “设置盖写区域”+CMD18、CMD20 “设置盖写区域” +CMD18和CMD20 “布置区域”,并且将已经创建的目录表项I和目录表项2指定为盖写区域(步骤S64、S65和S66)。
[0204]然后,在目录表项I中写入文件I的文件表项FEl (步骤S67),并且在顺序写入区域SeqW-AU中写入文件I的部分数据文件Ia(步骤S68)。
[0205]然后在目录表项I中写入文件表项FE2和FE3 (步骤S69和S70),并且在顺序写入区域SeqW-AU中写入文件2和文件3 (步骤S70)。因为在写入文件2和文件3时不需要性能Pw,所以以小于RU的大小写入数据。
[0206]接下来,为了至少在性能PwT写入后续数据,在文件3之后的区域中写入用作填充内容的虚拟数据一直到RU边界(步骤S73)。但是,填充并不始终是必需处理。存储设备11可以被配置为通过分析两个存储器写入命令的地址和数据长度,自动执行填充。存储设备11可以自动从文件4的写入地址开始顺序写入处理。
[0207]然后在目录表项2中写入文件表项FE4 (步骤S74),并且在顺序写入区域SeqW-AU中写入文件4(步骤S75)。
[0208]接下来,在顺序写入区域SeqW-AU中写入文件I的后续数据文件Ib (步骤S76)。为了确定文件系统上的文件I的数据,执行FAT更新(步骤S77)。在FAT更新中,第
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