一种纯ito膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及触摸屏制作技术领域，具体涉及一种纯IT0膜结构单层多点的电容式 触摸屏制作工艺。
【背景技术】
[0002] 电容式触摸屏是一种计算机输入输出设备，具有可靠性高、耐用性好等优点，广泛 应用于通讯、消费类电子、仪器仪表等多个方面，是智能移动终端人机交互的重要部件。电 容触摸屏是将手指或者导电介质在触摸时与基板上的电极间所产生的电容变化，通过驱动 芯片的数字转换，输出手指或者导电介质触控的坐标位置。目前电容式触摸屏已经广泛应 用于手机，平板等领域。按基材划分，有膜结构和玻璃结构两种，按贴合结构划分有G+F、 G+F2、0GS、〇n-cell、in-cell等。按工艺划分，一般有黄光、镭射、印刷等几个方向。
[0003] 电容式触摸屏感应器的制造方法主要有印刷制程、镭雕制程和黄光制程等。印刷 制程工艺简单，设备成本较低，但其线路精度只能做到0. 1_，而且线性度较差，触控感应不 灵敏，不适合大尺寸的感应器制作；镭雕制程线路精度可达到0. 05mm，但存在工艺效率和 爆点问题，不适合复杂图形的批量生产；黄光制程线路精度可达到0. 〇4_，线性度良好，触 控感应灵敏，支持复杂图形的设计，是目前比较主流的生产方式。传统的黄光制程工艺是对 感应器的IT0层采用多次曝光显影的制作方法，对金属层采用银浆印刷的方法，这样的工 艺需要多次图像成型，工序较为复杂，对上下层图形的对位精准度要求较高，金属层线宽较 大，优良率低。
[0004] 现有公开的一种菲林结构电容式触摸屏感应器线路图的一体成型制作方法及其 制成的产品，包括：裁切预定尺寸的镀铜IT0 ;在镀铜IT0表面上涂敷液态光刻胶，并烘烤 固化为光阻层；采用光罩对涂上光阻层的镀铜IT0进行曝光；将曝光后的镀铜IT0进行显 影；将显影后的镀铜IT0进行金属图案蚀刻；将蚀刻出金属图案后的镀铜IT0进行IT0图 案蚀刻；将蚀刻后的镀铜IT0的光阻层进行剥离。该方法中采用镀铜IT0膜为材料，在制 作工艺中增加了对金属的蚀刻工序，且浪费材料；同时，该工艺得到的产品精准度偏低，产 品厚度较厚，不良率较高，存在金属蚀刻时的侧蚀问题。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种基于一次曝光成型的纯IT0膜 的触摸屏感应器生产工艺的单层多点方案，纯IT0膜的单层结构比传统黄光工艺的镀铜 IT0结构节省制作工序，省去原材镀铜膜的消耗，为生产节约成本。同时将原来银浆跳线的 部分印刷改变成整个金属层的银浆印刷，以银线代替铜线，避免了铜蚀刻的侧蚀问题，同时 节省了蚀刻和侧蚀抑制的药剂使用。
[0006] 为了实现上述目的，本发明提供的一种纯IT0膜结构单层多点的电容式触摸屏制 作工艺，依次包括以下步骤： S1、老化：对纯IT0膜进行高温老化，利用高温老化可以改善IT0膜基材的稳定性，提 高ITO膜的透过率，同时消除部分光学上的偏振现象，减少光膜层之间的光学干涉；其次， 可以改变IT0膜表面的电阻；第三，可将IT0从非结晶状态转变为结晶状态，提高稳定性； 52、 涂布：在经步骤S1老化后的IT0膜表面涂敷液态光阻剂，并烘烤使得所述液态光阻 剂固化为光阻层； 53、 曝光：对涂敷在IT0膜表面上的光阻层进行曝光； 54、 显影：将经步骤S3曝光后的IT0膜用碱性溶液进行显影，在光阻层上产生图案； 55、 蚀刻：将经步骤S4显影后的IT0膜用酸性溶液进行蚀刻，在IT0膜上形成图形；与 传统的黄光工艺采用镀铜IT0膜相比，减少了铜的蚀刻工序； 56、 剥膜：将经步骤S5蚀刻后的IT0膜用碱性溶液去除IT0膜表面的光阻层； 57、 绝缘印刷：在经过步骤S6剥膜后的IT0膜上印刷透明的绝缘油墨，并在紫外灯照射 下固化绝缘油墨；绝缘油墨起到隔绝导电银浆和IT0膜的接触作用，使本制作工艺中的搭 桥技术更加方便、精确； 58、 银浆印刷：在经过步骤S7后的IT0膜上印刷导电银浆，本步骤将原来银浆跳线的 部分印刷改变成整个金属层的银浆印刷，这部分只需要将原来网板的跳线图案改变成整个 金属层图案即可，以银线代替铜线，避免了铜蚀刻的侧蚀问题；与传统的黄光工艺采用镀铜 IT0膜相比，没有了原先镀好的铜，即金属层由银浆印刷来完成，由于银浆印刷只需要在周 边线路上涂上少量的线条，不需要像镀铜一样，全面覆盖再蚀刻； 59、 烘烤：将经过步骤S8后的IT0膜置于烤箱中，固化导电银浆形成线路，得到所述纯 IT0膜结构单层多点的电容式触摸屏成品。
[0007] 优选的，所述步骤S1中的老化温度为140°C。
[0008] 进一步的，所述的步骤S2中涂敷液态光阻剂为正性光刻胶，厚度为4~7um，所述 烘烤固化温度为100~130°C。
[0009] 更进一步的，所述的步骤S3的曝光是在黄光环境中，用波长为200~400nm的紫外 线垂直照射光阻层，曝光能量为200~300J/cm2。
[0010] 更进一步的，所述步骤S4中显影温度为20-30°C，显影时间为30-70s;所述碱性 溶液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，质量浓度为〇. 1~1.〇 %wt。
[0011] 更进一步的，所述步骤S5中蚀刻温度为30-50°C，蚀刻时间为20-80S ;所述酸性 溶液为硝酸或盐酸溶液，质量浓度为18~22%wt。
[0012] 更进一步的，所述步骤S6中剥膜温度为35-45°C，剥膜时间为30-50s;所述碱性 溶液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，质量浓度为1. 5~2. 5%wt。
[0013] 更进一步的，所述步骤S9中烘烤温度为138~142°C，烘烤时间为20min。
[0014] 优选的，所述步骤S7中的绝缘油墨为日本东洋纺绩株式会社的型号为FR-200C-4 的绝缘油墨，所述绝缘油墨印刷厚度为8~11um。
[0015] 优选的，所述步骤S8中的导电银浆为日本东洋纺绩株式会社的型号为 DW-440L-29C的导电银浆，所述导电银浆印刷厚度为9~12um。
[0016] 本发明的有益效果：（1)本发明采用纯ITO膜作为原材，与传统的黄光工艺采用 镀铜IT0膜相比，减少了铜的蚀刻工序，将原来银浆跳线的部分印刷改变成整个金属层的 银浆印刷，以银线代替铜线，避免了铜蚀刻的侧蚀问题，同时节省了蚀刻和侧蚀抑制的药剂 使用；（2)本发明采用纯IT0膜作为原材，在原材方面，纯IT0的价格也低于镀铜IT0膜的 价格，与传统的黄光工艺采用镀铜ITO膜相比，没有了原先镀好的铜，即金属层由银浆印刷 来完成，由于银浆印刷只需要在周边线路上涂上少量的线条，不需要像镀铜一样，全面覆盖 再蚀刻，节省了金属层的材料消耗和蚀刻消耗的药剂，获得一定的利润空间；（3)在工艺方 面，节省制作工序，即可节省人力、能源、辅材等多方面的的资源，同时减少不良率。
【附图说明】
[0017] 图1为本发明一种纯IT0膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺流程图。
【具体实施方式】
[0018] 下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发 明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
[0019] 实施例1 本发明提供的一种纯IT0膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，请参阅图1所示， 依次包括以下步骤：裁切预定尺寸的IT0膜后，依次进行如下步骤； 51、 老化：对纯IT0膜进行高温老化，老化温度为140°C，利用高温老化可以改善IT0膜 基材的稳定性，提高IT0膜的透过率，同时消除部分光学上的偏振现象，减少光膜层之间的 光学干涉；其次，可以改变IT0膜表面的电阻；第三，可将IT0从非结晶状态转变为结晶状 态，提尚稳定性； 52、 涂布：在经步骤S1老化后的IT0膜表面涂敷液态光阻剂，所述液态光阻剂为苏州 瑞红电子化学品有限公司生产的型号为RZJ-2500正性光刻胶，涂敷液态光阻剂的厚度为4 um，并在KKTC下烘烤，使液态光阻剂固化，凝固在IT0表面形成光阻层；利用高温固化光阻 剂使其溶剂挥发，不影响光阻剂的效果； 53、 曝光：对涂敷在IT0膜表面上的光阻层进行曝光，采用光罩对涂敷有光阻层进行曝 光，在黄光环境下，用波长为200nm的紫外线从光罩面向光阻层的方向垂直照射，对光阻层 的曝光能量为200~300J/cm2; 54、 显影：将经步骤S3曝光后的ITO膜用碱性溶液进行显影，在黄光环境下，将曝光后 的IT0膜浸泡在温度为20°C，质量浓度为0.l%wt的氢氧化钠溶液中进行显影，显影时间为 30s，在光阻层上产生图案； 55、 蚀刻：将经步骤S4显影后的IT0膜用酸性溶液进行蚀刻，是将显影后IT0膜浸泡在 温度为30°C，质量浓度为18%wt的硝酸溶液中进行蚀刻，蚀刻时间为20s，在IT0膜上形成 图形； 56、 剥膜：将经步骤S5蚀刻后的IT0膜用碱性溶液去除IT0膜表面的光阻层，是将经过 蚀刻后的IT0膜浸泡在温度为35°C，质量浓度为1. 5%wt的氢氧化钠溶液中进行剥膜，剥膜 时间为30s; 57、 绝缘印刷：将经过步骤S6剥膜后的IT0膜置于涂敷透明绝缘油墨且有线路图形的 网板下，用刮胶刮动，将透明的绝缘油墨按照网板上的线路图形均匀的挤压印刷在IT0膜 上，并在紫外灯照射下烘烤固化，紫外光固化能量为1000mj/cm2,所述的绝缘油墨为日本 东洋纺绩株式会社的型号为FR-200C-4的绝缘油墨； 58、 银浆印刷：将经过步骤S7绝缘油墨印刷后的IT0膜置于涂敷导电银浆且有线路图 形的网板下，用刮胶刮动，将导电银浆按照网板上的线路图形均匀的挤压印刷在镀铜ITO膜上，所述导电银浆为日本东洋纺绩株式会社的型号为DW-440L-29C的导电银浆； S9、烘烤：将经过步骤S8后的IT0膜置于烘烤温度为138°C的烤箱中，烘烤20min，固 化导电银浆形成线路，得到所述纯IT0膜结构单层多点的电容式触摸屏成品。
[0020] 实施例2 本发明提供的一种纯IT0膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，请参阅图1所示， 依次包括以下步骤：裁切预定尺寸的IT0膜后，依次进行如下步骤； 51、 老化：对纯IT0膜进行高温老化，老化温度为140°C，利用高温老化可以改善IT0膜 基材的稳定性，提高IT0膜的透过率，同时消除部分光学上的偏振现象，减少光膜层之间的 光学干涉；其次，可以改变IT0膜表面的电阻；第三，可将IT0从非结晶状态转变为结晶状 态，提尚稳定性； 52、 涂布：在经步骤S1老化后的IT0膜表面涂敷液态光阻剂，所述液态光阻剂为苏州 瑞红电子化学品有限公司生产的型号为RZJ-2500正性光刻胶，涂敷液态光阻剂的厚度为5 um，并在120°C下烘烤，使液态光阻剂固化，凝固在IT0表面形成光阻层；利用高温固化光阻 剂使其溶剂挥发，不影响光阻剂的效果； 53、 曝光：对涂敷在IT0膜表面上的光阻层进行曝光，采用光罩对涂敷有光阻层进行曝 光，在黄光环境下，用波长为300nm的紫外线从光罩面向光阻层的方向垂直照射