半导体集成电路及包括该半导体集成电路的数据接口系统的制作方法_4

文档序号:9529243阅读:来源:国知局
以及自基准时间开始的延迟值等,因此内置存储器107可以是小容量存储器。而且,使用内置存储器107中的数据,能够对存在制造偏差的每一个半导体集成电路101计算出较佳的电压改变量。
[0118]接下来,对工艺判断电路117中的具体处理进行说明。例如,比较工艺监视电路116的监视结果与规定规格范围内的中心值,在IF电路105中的晶体管的电流能力高的情况下,使在出厂前检验中的修整中确定的一定量电压降低的信息被输出到电压控制电路108 中。
[0119]对于系统启动时的电压而言,将来自工艺判断电路117的表示使一定量电压降低的信息相加,从而对第二电源IC112的输出电压进行控制。然后,电压供向IF电路105和外部存储器102。
[0120]另一方面,在晶体管的电流能力低的情况下,将使一定量电压升高的信息作为上述的信息来输出即可。
[0121]如上所述,根据本实施方式,能够在考虑半导体集成电路101的各个制造偏差的情况下进行电压控制。
[0122](第四实施方式)
[0123]图6是具备第四实施方式所涉及的半导体集成电路的数据接口系统的结构图。在本实施方式中,主要针对与第一实施方式不同的部分进行说明。
[0124]图6的半导体集成电路101除了具有图1的半导体集成电路101的构成之外,还具有电压监视电路118。
[0125]电压监视电路118监视从第二电源IC112向IF电路105供给的电压,向电压控制电路108输出表示该电压的变化量在规定值以上或者该电压为规定值的信息。
[0126]对本实施方式所涉及的半导体集成电路101的具体工作情况进行说明。从系统启动后到进行实际动作为止的流程与第一实施方式相同(参照图3的S101?S108)。
[0127]在进入到实际动作后,电压监视电路118监视供向IF电路105的电压,并存储该电压的电压值。如果IF电路105与外部存储器102之间的数据收发负载发生变动,则供向IF电路105的电压发生变动,因此在该电压的变化量在规定值以上的情况下或者该电压为规定值的情况下,电压监视电路118向电压控制电路108发送用于对AC定时进行评价的通知。
[0128]电压控制电路108按照电压监视电路118的输出时刻,向测试电路110输出触发信号。由此,实施对AC定时的评价。
[0129]在本实施方式中,能够将第二电源IC112的输出电压的变动看作是在图2的S109和S117中示出的负载的变动。
[0130]如上所述,根据本实施方式,通过监视供向IF电路105的电压,能够检测外部存储器102与IF电路105之间的数据收发负载的变动,从而能够对AC定时进行再次评价以及能够对第二电源IC112的输出电压进行再次调整。因此,能够一边将AC定时的窗宽维持在恒定量,一边确保外部存储器102与IF电路105之间的数据收发稳定性。
[0131]需要说明的是,在本实施方式中,将外部存储器102与IF电路105之间的数据收发负载设为生成用于对AC定时实施再次评价的触发信号的条件,然而还可以为:通过对将发送给协调电路104的待发送指令(队列,queue)、IF电路105的数据触发率(data togglerate)、以及数据同时变化率等数据模式进行监视来判断IF电路105的负载,将该结果用作生成触发信号的条件。此外,还可以为:通过半导体集成电路101的用户程序监视IF电路105的负载,将该结果用作生成触发信号的条件。
[0132]此外,在上述各实施方式中,还可以为:在判断电路106中设置存储器等,从而能够生成基于AC定时的控制信息,在该情况下,还可以省略内置存储器107。
[0133]-产业实用性-
[0134]本公开所涉及的半导体集成电路既能够动态地控制电压,又能够稳定地收发数据,因此对于进行数据通信的各种系统的低功耗化有用。
[0135]-符号说明-
[0136]100 数据接口系统
[0137]101 半导体集成电路
[0138]102 外部存储器
[0139]103 第一电源 1C
[0140]104 协调电路
[0141]105 IF电路(接口电路)
[0142]106 判断电路
[0143]107 内置存储器(表电路)
[0144]108 电压控制电路
[0145]109标准电路
[0146]110测试电路
[0147]111温度探测部
[0148]112第二电源 1C
[0149]115工艺探测部
[0150]118电压监视电路
【主权项】
1.一种半导体集成电路,其特征在于:所述半导体集成电路利用从第一电源集成电路供给的电压而工作,并且与外部存储器之间收发数据,所述半导体集成电路具备: 接口电路,所述接口电路接收从不同于所述第一电源集成电路的第二电源集成电路供给的电压而工作,并访问所述外部存储器,以与所述外部存储器之间收发数据; 判断电路,所述判断电路基于所述接口电路的访问结果判断所述外部存储器与所述接口电路之间的交流定时,并基于该交流定时生成用于控制所述第二电源集成电路的输出电压的控制信息;以及 电压控制电路,所述电压控制电路根据所述控制信息控制所述第二电源集成电路的输出电压。2.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于: 在所述交流定时大于规定值的情况下,所述判断电路生成表示使所述第二电源集成电路的输出电压降低的所述控制信息,另一方面,在所述交流定时小于所述规定值的情况下,所述判断电路生成表示使所述第二电源集成电路的输出电压升高的所述控制信息。3.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于:具备: 测试电路,所述测试电路指示所述接口电路执行对所述外部存储器的访问测试; 标准电路,所述标准电路指示所述接口电路执行对所述外部存储器的通常访问;以及 协调电路,所述协调电路协调由所述测试电路发出的所述访问测试的指示和由所述标准电路发出的所述通常访问的指示; 所述电压控制电路指示所述测试电路开始所述访问测试, 所述判断电路基于根据所述访问测试的结果获得的所述交流定时而生成所述控制信息。4.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于: 所述半导体集成电路具备温度探测部,所述温度探测部探测所述接口电路的温度,并输出表示所述温度的变化量在规定值以上或者所述温度为规定值的信息, 所述电压控制电路基于来自所述温度探测部的输出时刻来控制所述第二电源集成电路的输出电压。5.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于: 所述半导体集成电路具备工艺探测部,所述工艺探测部探测所述接口电路的固有制造偏差,并基于所述制造偏差输出所述第二电源集成电路应该输出的电压的信息, 所述电压控制电路基于所述工艺探测部的输出来控制所述第二电源集成电路的输出电压。6.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于: 所述半导体集成电路具备电压监视电路,所述电压监视电路探测从所述第二电源集成电路供向所述接口电路的电压,并输出表示所述电压的变化量在规定值以上或者所述电压为规定值的信息, 所述电压控制电路基于来自所述电压监视电路的输出时刻来控制所述第二电源集成电路的输出电压。7.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于: 所述半导体集成电路具备表电路,所述表电路中存储有关于所述第二电源集成电路应该输出的电压的信息, 所述判断电路参照所述表电路来生成所述控制信息。8.根据权利要求7所述的半导体集成电路,其特征在于: 所述第二电源集成电路应该输出的电压值和交流定时以建立对应关系的方式存储在所述表电路中,其中,所述交流定时以所述接口电路以及所述外部存储器能够进行正常的数据收发的方式设定。9.根据权利要求8所述的半导体集成电路,其特征在于: 存储在所述表电路中的交流定时是以下述方式设定的,即: 所述第二电源集成电路的电压被所述电压控制电路改变后的交流定时的中间值落在所述第二电源集成电路的电压被改变前的交流定时的范围内。10.根据权利要求7至9中任一项所述的半导体集成电路,其特征在于: 存储在所述表电路中的数据是通过所述半导体集成电路的出厂前检验时的修整或者所述半导体集成电路启动时的校验来设定的。11.一种数据接口系统,其特征在于:具备: 权利要求1所述的半导体集成电路; 所述第一电源集成电路; 所述第二电源集成电路;以及 所述外部存储器,其中,电压从所述第二电源集成电路被供向所述外部存储器。
【专利摘要】利用由第一电源IC(103)供给的电压而工作且在与外部存储器之间收发数据的半导体集成电路(101)具备:接口电路(105),其接收由第二电源IC(112)供给的电压而工作且访问外部存储器以与外部存储器之间收发数据;判断电路(106),其基于接口电路的访问结果来判断外部存储器与接口电路之间的AC定时,并基于所述AC定时生成控制第二电源IC的输出电压的控制信息;以及电压控制电路(108),其按照控制信息控制第二电源IC的输出电压。
【IPC分类】G06F1/26, G06F12/00
【公开号】CN105283854
【申请号】CN201480030636
【发明人】久保浩纪, 沟端教彦, 平野诚, 铃木章宏, 武内昌弘
【申请人】株式会社索思未来
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2014年3月31日
【公告号】US20160091943, WO2014199545A1
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