专利名称：改进的磁畴扩展读取的磁光记录的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于记录信息的方法、装置以及记录介质，其中，把信息按记录道上的标记和空白的模式加以记录。具体地讲，本发明涉及针对磁畴扩展系统(例如，磁放大磁光系统(MAMMOS))的记录技术。
在磁光存储系统中，衍射极限，即聚焦透镜的数值孔径(NA)和激光波长决定了记录标记的最小宽度。宽度的减小通常基于较短波长的激光和较高NA的聚焦光学装置。在磁光记录期间，通过使用激光脉冲磁场调制(LP-MFM)，可以把最小比特长度减小到光衍射极限之下。在LP-MFM中，通过场的切换确定比特转变，并通过激光的切换感应温度梯度。为了读出以这一方式记录的小月牙形标记，必须使用磁超分辨率(MSR)或磁畴扩展(DomEX)方法。这些技术基于具有多磁静态或交换耦合的RE-TM层的记录介质。根据MSR，配置磁光盘上的一个读出层，以在读取期间仅在读出部位的一个小区域中从存储层拷贝一个标记，并屏蔽相邻比特，然而，根据磁畴扩展，则要扩展一个部位的中心处的一个磁畴。因为磁畴扩展技术优于MSR，所以可以使用一个相似于具有可比于衍射极限部位的大小的比特的信噪比(SNR)来检测长度在衍射极限之下的比特。MAMMOS是一种基于磁静态耦合存储和读出层的磁畴扩展方法，其中，可以把一个磁场调制用于读出层中被扩展磁畴的扩展和崩溃。
然而，当在一个MAMMOS介质中书写长的游程长度时，相应于长游程长度的磁畴中心处的磁杂散场弱于其边界处(沿切线方向)。在一个特定的“临界长度”上，游程长度中心处的磁杂散场变得不够强，不足以在该区生成一个MAMMOS信号，即不足以获得读出层中的一个被拷贝磁畴。这导致了一个错误比特流。可以通过提高激光的读取功率解决这一问题，但这样会提高整个温度，并因而提高了存储层的局部磁杂散场，与此同时降低了读出层的矫顽力。如果磁杂散场的增加和矫顽力的降低是充分的，那么将会生成先前丢失的MAMMOS信号。然而，这一过程增大了热拷贝窗口，热拷贝窗口确定了读出的分辨率，以至于由于重叠效应，可以生成额外的错误的MAMMOS信号。
文献JP-A-2000-260079建议了一个MAMMOS记录系统，其中，把一个比特的二进制信息分配给一个磁区段模式，这一磁区段模式由两个磁区段的一个组合构成，这两个磁区段拥有相反方向的磁化，以至于可以按一系列具有相反磁化的磁区段模式，把延续两或两个以上比特的记录信息形成在记录层上。于是，获得了一个均匀的杂散场，而不管一个相应读出磁畴的位置如何，即使是其位于一个连续记录信息的中心。因此，能够可靠地把记录信息的每一单元传送到重放层。特别是，按一系列拥有一个长度L1的子标记区域和一个拥有一个长度L2的相继短子空白区域，记录一个标记区域。建议子空白区域的长度与子标记区域的长度之比L2/L1在0.1～0.9的范围内。然而，使用所引用的现有技术文献中所建议的记录技术，针对高密度存储的短通道比特长度仍会导致短游程长度的杂散场和长游程长度中心处最小杂散场之间的一个相当大的差。因此，尽管可以获得所有长游程长度的MAMMOS信号，但降低了分辨率。
因此，本发明的一个目的是，提供一种用于在一个磁光介质上记录的方法、装置、以及介质，其中磁光介质使MAMMOS读取分辨率能够得以改进，同时还能够可靠地检测长游程长度。
通过如权利要求1中的一种记录方法、如权利要求10中的一种记录装置、以及如权利要求13中的一种记录介质，可以实现这一目的。
因此，把标记区域的子标记部分的长度设置成小于或等于标记区域的子空白部分的长度。因而，可以获得一个合适的分辨率，甚至是对于短通道比特长度，以至能够进一步改进记录密度。
另外，使用子空白长度与子标记长度的一个大的比率，即使用一个与子空白长度相比短的子标记长度，提供了另一个好处减小了游程长度的有效长度。需要加以注意的是把一个标记通道比特写成一个子标记后面跟随一个子空白，这样做在其端点减少了每一游程长度。作为一种选择，把这样的一个标记通道比特写成一个子空白后面跟随一个子标记，也能够得以运作，这样做在前端减少了长度。因此，两种方案均导致了分辨率的同样的改进，只要对场计时进行正确同步化即可。因而，进一步改进了分辨率与/或剩余功率，因为抑制了具有矫顽力分布曲线(profile)的杂散场的不希望的重叠。
较佳的做法是，把第二部分(子空白部分)的长度与第一部分(子标记部分)的长度比设置成小于或等于4。在这一情况中，可以针对一个100nm的总通道比特长度(总标记区域的长度)写20nm的子标记长度。因而能够以高记录密度提供足够稳定的子标记区域。特别是，可以依据标记区域的长度设置这一比率。从而，在小通道比特长度的情况下，可以减小比率L2/L1，以确保足够的热稳定性和杂散场所需的一个最小自标记长度。场线圈及其驱动器的有限的带宽可以是限制L2/L1的进一步的原因。
较佳的做法是，应该针对一个长游程长度的每一第一和最后标记区域增大比率L2/L1。因而，可纠正否则长游程长度的第一和最后比特的过大的杂散场。其效果将依赖于两种情况中的通道比特长度b。
基于一个给定的或最小的子标记长度L1，可以根据下列方程设置标记区域的长度(即通道比特长度)bb≥(w+L1+exp)/2其中，w表示一个用于通过一种磁畴扩展技术把标记拷贝到一个读出层上的拷贝窗口的空间长度，L1表示第一部分的长度，exp表示磁畴扩展过程的扩展时间乘以记录速度。这一方程可确保以最佳分辨率和/或剩余功率获得最佳密度。
可以在关断记录激光脉冲之前，通过把磁记录场的方向从第一方向切换到第二方向，实现对子空白区域的记录。标记游程长度内部的子空白区域的记录，也可以通过从第一方向到第二方向的磁记录场的适当的切换，与激光的，即与LP-MFM的一个足够快的脉冲相结合，加以实现。
较佳的做法是，可以使用L2/L1的一个整数值。通过反转一个磁记录场和以相应于长度L1的频率的脉冲激光，以相等的距离局部地加热介质，以至于可以在大体相同的热条件下形成磁畴，这对于被记录磁畴的质量有益。特别是，一个为1值有利于场切换，因为此后在写以及在读取期间可以使用相同的频率。从而，达到了易于实现的目的。
关于记录装置，可以对设置设备加以配置，以把第二部分的长度与第一部分的长度设置成1和4之间的范围内的比率。
而且，该记录装置可以为针对磁光盘的通过一种磁畴扩展技术(例如MAMMOS)读取的任何盘播放器。
从属权利要求限定了其它有利的扩展。
通过参照以下所描述的实施方案，本发明的这些和其它方面将会变得十分明显，并参照以下所描述的实施方案，对本发明加以说明。
在这些附图中
图1是根据该优选实施方案的一个MANMOS盘播放器的结构图。
图2A描述了一个针对短和长游程长度相对一个道方向垂直于盘的杂散场部件，以及所要求的矫顽力场分布曲线；图2B描述了针对短和长游程长度和不同比率L2/L1的相对道方向的杂散场；图3描述了一个作为比率L2/L1的函数的I1载体和一个I5载体的最小的量之间的杂散场差；以及图4～4D描述了针对不同比特长度的一个I4载体和一个I1载体的杂散场。
现在，将根据如图1中所示的一个MAMMOS盘播放机描述该优选实施方案。
图1示意性地描述了该盘播放器的结构。该盘播放器包括一个拥有一个激光辐射部分的光拾取单元30，用于磁光记录介质10(例如一个磁光盘)的辐射，其中，在记录期间，光已经切换成具有一个与代码数据同步的周期的脉冲；并且还包括一个具有一个磁头12的磁场施加部分，在记录时，磁场施加部分以一种受控的方式施加一个磁场，在重放期间，如果需要的话，还在磁光记录介质10上施加一个磁场。在光拾取单元30中，把一个激光器连接于一个激光驱动电路，激光驱动电路从一个记录脉冲调整单元32接收记录脉冲，以便控制脉冲辐度和光拾取单元30的激光计时。记录脉冲调整电路32从一个时钟发生器26接收一个时钟信号，时钟发生器26可以包括一个PLL(相位锁定回路)电路。
应该加以注意的是，如果使用了零场MAMMOS，重放可以不要求一个磁场。
而且，还应该加以注意的是，为了简单起见，把磁头12和光拾取单元30描述于图1中的盘10的相反的侧上。然而，根据该优选实施方案，应把它们配置在盘10的相同的一侧。
把磁头12连接于一个头驱动器单元14，并在记录时，接收经由一个计时调整电路(例如一个相位调整电路18)和一个子标记调整单元22、来自一个调制器24的经过代码切换的数据。调制器24把输入记录数据切换成一个被描述的代码，子标记调整单元22把被描述的代码的每一个标记区域切换成一个子标记部分或区域以及一个子空白区域，同时，设置子标记部分和子空白部分的一个预确定的长度比率。应该加以注意的是，也可以把子标记调整电路22配置在调制器24之中。
在重放时，头驱动器14经由一个重放调整电路20从时钟发生器26接收一个时钟信号，重放调整电路20生成一个同步信号，用于调整施加于磁头12计时和脉冲幅度。提供了一个记录/重放切换器16，以在记录期间和在重放期间，切换或选择将提供于头驱动器14的相应的信号。然而，在重放期间，因为是在不必施加磁场的情况下，所以这一切换不要求零场MAMMOS。
此外，光拾取单元30还包括一个检测器，用于检测从磁光记录介质10所反射的激光，并用于生成一个施加于译码器28的相应的读取信号，其中把译码器28配置成可对读取信号进行译码，以便生成输出数据。另外，还把由光拾取单元30所生成的读取信号施加于一个时钟发生器26，在时钟发生器26中从磁光记录介质10的被凸印的时钟标记中抽取一个时钟信号，而且它把这些时钟信号用于同步记录脉冲调整电路32、重放调整电路20、子标记调整电路22、以及调制器24。特别是，可以在时钟发生器26的PLL电路中生成一个数据通道时钟。
为了进行记录，可以使用MFM，但较佳的做法是使用LP-MFM。然后，针对每一子标记，脉冲发射一次激光，针对每一个子空白，(至少)脉冲发射一次激光。一个实际的方案可以是使用于空白/子标记长度比率的一个整数值，并以相应于子标记长度而不是相应于通道比特长度的一个频率脉冲激光。在任何情况中，应对激光的工作周期(脉冲短于子标记长度)和计时(磁场和激光脉冲之间的相位)加以优化。
在LP-MFM数据记录的情况下，使用相应于数据通道时钟的周期的一半的一个固定的频率，调制光拾取单元30的激光，并以相等的距离局部地加热旋转的磁光记录介质10的数据记录区或部位。应该加以注意的是，当使用一个相应于子标记部分的长度(也是相等间隔的局部加热)的一个频率时，可以改进记录。这将把长度比率限制为整数值，以便保持激光脉冲与数据通道时钟的同步。另一种选择将是使用一个被优化的相位，以相应于标记区域的子标记和子空白长度的距离脉冲激光。另外，由时钟发生器26所输出的数据通道时钟也控制调制器24和子标记调整电路22，以生成具有标准时钟周期的一个数据信号。调制器24调制记录数据，并对记录数据进行代码切换，以获得相应于记录数据的信息的二进制游程长度信息。在子标记调整电路时间20中，把一个相应于记录信息的一个通道比特的标记区域转换成一个子标记部分和一个子空白部分，同时维持一个相应于一个通道比特的空白区域。因而，把一个由一系列直接互相相继的标记区域组成的代码游程长度转换成一系列拥有一个预确定的长度比率的相继的子标记和子空白区域。把来自子标记调整电路22的代码数据的子标记和子空白部分的模式转发到相位调整电路18，在相位调整之后，经由记录/重放切换器16，将其转发到驱动器14。
以这样的一种方式配置相位调整电路18以调整相位减少一系列子相继的标记部分的一个最初标记区域的一个子标记部分的长度L1，同时维持游程长度的相继的标记区域。
磁光记录介质10的结构可以对应于JP-A-2000-260079中所描述的结构。
根据该优选实施方案，把子标记调整电路22配置成能够把子标记部分的长度L1设置成小于或等于子空白区域。因而，每一个标记区域包括一个短子标记部分，后跟一个拥有一个大于或等于子标记部分的子空白部分。根据MAMMOS磁畴扩展技术，与光拾取单元30的脉冲发射的激光的热效应相结合，由磁头12所生成的小月牙形磁记录区段可以从磁光记录介质10的记录层传送到读出层并加以放大，同时施加一个重放磁场和激光。例如，在N.Takagi，等人的“MAMMOS Read-Outwith Magnetic Field Modulation”(“Proceedings of Magneto-Optical Recording International Symposium”，J.Magn.Soc.Jpn，vol.23，Suplement，No.S1(1999年)，第161～164页)中公开了MAMMOS读出的细节。
引入子空白，鉴于这样的事实在磁光记录介质10的记录道上各种磁畴长度之间的杂散场中存在着差别。另外，已开发了适合于小通道比特长度的子空白与子标记的一个长度比率范围。这一范围拥有另一个好处还能够通过每一游程长度的有效减少对分辨率和/或剩余功率进一步加以改进。对于MAMMOS读出，由磁头14生成的外部磁场和由存储层中的比特模式或磁畴模式所生成的杂散场的总和，应该大于读出层的矫顽力场。因为随着温度的增高，杂散场增强和矫顽力场减弱(正比于激光功率)，所以为实现这一条件要求一个最低温度(或激光功率)。另一方面，如果激光功率变得过大，则其中温度高于这一最低温度的区的维度也是相当大的，以至于将出现与相邻比特的重叠。这将导致失败、附加的尖峰，从而导致一系列针对长标记游程长度的错误的尖峰，同时将不能检测小空白。因此，能够以这样的一种方式对光拾取单元30的激光功率加以控制在部位中心的温度刚好在最低温度之上。
杂散场还依赖于被写磁畴的长度及其周边。图2A描述了针对100nm通道比特长度(即一个1比特的标记区域的长度)的相对道方向的一个杂散场。虚线相应于一个I1载体，而实线代表一个I1载体中的一个I5。总体上讲，对于大于100nm的比特长度，杂散场减小，特别是在磁畴的中心附近。这意味着当针对比特长度b＝100nm优化了读出条件时，较大磁畴的内部区将不显示任何MANMOS信号。当使用较高读取功率或较大外部场改进读出条件时，仅来自该大磁畴的中心处的MAMMOS尖峰将会丢失。然而，可以不再分辨小空白。
在图2A中，第一情况相应于读出层的矫顽力场和外部场之间的差恰好低于27kA/m的情况，如图2A中由曲线所指出的。在这一情况中，仅把热分布曲线(曲线1)的顶端用于短磁畴，而具有较弱矫顽力场的较长磁畴不能由MAMMOS读出加以检测。在第二种情况中，在激光所辐射的部位的最热部分中，读出层的矫顽力场和外部场之间的差为12kA/m，这导致了图2A中的曲线2。在这一情况中，能够检测较长磁畴，但不能观察较小空白(例如I1空白)，因为矫顽力场分布曲线或热分布曲线(曲线2)总是与源于相邻标记的杂散场相重叠。因此，总体上讲，对于具有最佳分辨率和最大剩余功率的最佳MAMMOS读出来说，游程长度(磁畴长度)的所有组合中的杂散场的最大值和最小值之间的差，应当尽可能地小。
在重放期间，通过改变磁头14的激光功率或场强，可以实现图2A中所指出的不同的热分布曲线。应该加以注意的是，图2A中所示的例子涉及未引入任何如由子标记调整单元22所生成的中间子空白部分的一个连续的标记区域。
根据该优选实施方案，每一个标记通道比特(长度b)包括两个部分，即一个具有一个标记磁化方向和长度L1的子标记部分，以及一个具有一个非标记(即空白)磁化和长度L2的子空白部分。因而，通道比特长度b＝L1+L2。
图2B描述了针对这样的可选标记的、针对不同比率L2/L1的相对道方向的杂散场。虚阈值线表示针对每一所选比率的磁畴(I1载体)的最大杂散场水平。那些没有任何标记符号的线代表图2A中所示的连续磁畴(即I5载体)。特别是，下三角符号表示比率L2/L1＝0.33，上三角符号表示比率L2/L1＝1，环形符号表示比率L2/L1＝3。从图2B可以看到这一点，为了把大游程长度的杂散场增加到I1载体的水平，较大的L2/L1的比率是较为有效的。但是，比率L2/L1不应该过大。对于适当的MAMMOS读出，如果子标记长度L1变得大小，那么杂散场将减少得过多。而且，磁畴边缘的粗糙度和热磁畴的稳定性将变成重要的问题。可以看出，可以写20nm的磁畴长度，并且是足够稳定的。因此，对于100nm的通道比特长度b来说，最高达4的L2/L1比率将是可行的。
图3指出了I1载体(相应于一个比特长度的磁畴长度)和一个I5载体的最小尖峰(相应于5个通道比特长度的磁畴长度)之间的作为100nm的通道比特长度的比率L2/L1的一个函数的杂散场中的差。从图3的图中可看出这一点，杂散场的差的减小是明显的，最高可达1的一个比率L2/L1，然后变得平缓。因而，较佳的做法是令L2/L1应该在大于或等于1的范围内加以选择，即子标记区域的长度应小于或等于子空白区域的长度。在这一情况中，杂散场差在相当大的程度上独立于比率L2/L1。对于在MAMMOS中的实际应用，即，例如可与先进的相位改变技术相比的极高的存储密度，要求100nm和更小的通道比特长度。因此，在大约20nm的最小子标记长度L1的情况下，比率L2/L1的范围应在4(对于b＝100nm)和1(对于b＝40nm)的范围之间加以选择。
使用一个大的L2/L1比率的另一个好处是由于长的子空白长度，一个游程长度在其端点的有效长度减小。在这一方式中，分辨率和/或读取剩余功率进一步得以改进，因为抑制了具有矫顽力分布曲线的杂散场的不希望的重叠(在非标记/空白读出期间)。
图4A～4D描述了针对不同比特长度b的一个I4游程长度(相应于4个通道比特长度的磁畴长度)和一个I1载体(虚线的)的一个交替隔离的磁畴，在所有情况中，比率L2/L1已经被设置为1。在图4A中，通道比特长度b等于400nm。在图4B中，通道比特长度b等于200nm。在图4C中，通道比特长度b等于100nm。在图4D中，通道比特长度b等于40nm。从图4A和4B中可以看出这一点，对于b＝200nm和b＝400nm，写方案是非常有效的。对于一个长游程长度中的每一第一比特来说，在I4游程长度左侧的第一比特的杂散场偏大的现象，可通过使用略大一些的L2/L1比率(较短的子标记部分)加以纠正。在相位调整电路18中或在子标记调整电路22中，可以进行这一调整。即使是在小通道比特长度(例如40nm)的情况下，也能够得到一个足够的杂散场差，以确保既能检测I4也能检测I1载体。
应该加以注意的是，作为以上各图的计算的基础，假设磁光记录介质10的盘结构拥有一个50nm厚的存储层、一个20nm厚的读出层，由5nm的SiNx层加以分隔。对于两个磁光层，补偿温度大约为室温，而对于读出层和存储层，居里温度分别为320℃和270℃。
以下给出了用于优化通道比特长度b和子标记部分长度L1的尺寸分布的一个规则。
拷贝窗口的空间尺寸w确定了读出的分辨率，其中，拷贝窗口空间尺寸w相应于其中温度足够高以至于可使磁畴扩展拷贝过程得以运行的区的长度。因此，拷贝窗口的尺寸w依赖于激光功率和外部磁场。为了得到I1载体的一个适合的分辨率，拷贝窗口的尺寸w应小于或等于通道比特长度b的一半。把这一规则施用于一个具有非对称子标记的写战略，其中L1+L2＝b，由Wmax＝b+L2-exp＝2b-L1-exp给出最大所允许的窗口，其中，exp表示磁畴扩展效应的扩展时间(乘以磁光记录介质10的速度，以便得到一个相应的长度)。具体地说，扩展时间相应于这样的时间在这一时间期间，可以集结来自记录层的一个比特，并将其扩展于读出层中。根据以上的方程，如果给定了子标记长度L1，可以计算一个最小通道比特长度或最大记录密度，或根据下列方程反之
bmin＝(w+L1+exp)/2。
从这一方程可以清楚地看出对于一个最佳分辨率和/或剩余功率来说，子标记部分L1以及扩展时间exp应尽可能地小。然而，如以上所指出的，已确定了一个20nm的最小子标记长度L1。
例如，在拷贝窗口w＝55nm(这一窗口是在当使用数字光圈NA＝0.60、660nm的激光、1m/s的盘速度、子标记长度L1＝25nm、扩展时间exp＝10ns×1m/s＝10nm时获得的)的情况下，可以实现一个45nm的最小通道比特长度。
如已经提到的那样，可以在图1中所示的调制器24中或在独立的子标记调整电路22中设置比率L2/L1。可以通过模拟的或数字的计时器电路或脉冲发生器的任何切换操作，实现基于一个连续标记区域的子标记部分和子空白部分的生成。特别是，既可以把一个标记区域记录为一个子标记后跟一个子空白，也可以把一个标记区域记录为一个子空白后跟一个子标记。
应该加以注意的是，本发明并不局限于以上所描述的优选实施方案，而是能够适用于任何磁光记录过程，以便减小杂散场变化，并提高读出分辨率。
权利要求
1.一种用于把信息按磁光记录介质的记录道上的标记和空白的模式加以记录的方法，所述方法包括下列步骤a)写标记，即通过把所述磁光记录介质的一个标记区域的子标记部分沿基本上垂直于所述记录介质的记录表面的一个第一方向加以磁化，以及通过把所述标记区域的一个相邻子空白部分沿与所述第一方向相反的一个第二方向加以磁化，实现这一步骤；以及b)设置所述标记区域的所述子标记部分的长度(L1)，以便使其小于或等于沿所述记录道的方向的所述标记区域的所述相邻子空白部分的长度(L2)。
2.如权利要求1中所要求的一种方法，该方法还包括把所述标记区域的所述子空白部分的长度(L2)与所述子标记部分的长度(L1)的比率设置成小于或等于4的步骤。
3.如权利要求2中所要求的一种方法，其中，把所述子空白部分的长度(L2)与所述子标记部分的长度(L1)的所述比率设置成1。
4.如权利要求2或3中所要求的一种方法，其中，依据所述标记区域的长度(b)设置所述比率。
5.如权利要求2～4中任何一个权利要求所要求的一种方法，其中，针对一个长游程长度的每一第一或最后标记区域增加所述比率。
6.如先前权利要求中任何一个权利要求所要求的一种方法，其中，根据下列方程确定所述标记区域的长度b≥(w+L1+exp)/2其中，w表示一个用于通过一种磁畴扩展技术把所述标记拷贝到一个读出层上的拷贝窗口的空间长度，L1表示所述子标记部分的长度，ex p表示时间乘以记录速度，其中时间这样的一个时间在这一时间期间，可以集结来自记录层的一个比特，并将其扩展于所述读出层中。
7.如权利要求6中所要求的一种方法，其中，所述磁畴扩展技术为MAMMOS技术。
8.如先前权利要求中任何一个权利要求所要求的一种方法，该方法还包括在关断记录激光脉冲之前，把磁记录场的方向从所述第一方向切换到所述第二方向的步骤。
9.如权利要求1～7中任何一个权利要求所要求的一种方法，该方法还包括把磁记录场的方向从所述第一方向切换到所述第二方向，以及根据相应于所述子标记部分的长度的一个频率脉冲记录激光的步骤。
10.一种用于把信息按磁光记录介质(10)的一个记录道上的标记和空白的一种模式加以记录的记录装置，所述装置包括a)写设备(12)，用于写标记，即通过把所述磁光记录介质(10)的一个标记区域的子标记部分沿基本上垂直于所述记录介质的记录表面的一个第一方向加以磁化，以及通过把所述标记区域的一个相邻子空白部分沿与所述第一方向相反的一个第二方向加以磁化，实现这一写功能；以及b)设置设备(22)，用于设置所述标记区域的所述子标记部分的长度(L1)，以便使其小于或等于沿所述记录道的方向的所述标记区域的所述子空白部分的长度(L2)。
11.如权利要求10中所要求的一种记录装置，其中，对所述设置设备(22)加以配置，以把所述子空白部分的长度(L2)与所述子标记部分的长度(L1)的比率设置在1和4之间的范围内。
12.如权利要求10或11中所要求的一种装置，其中，所述记录装置为一个针对磁光盘(10)的盘播放器，其中，通过一种磁畴扩展技术读取磁光盘(10)。
13.一种磁光记录介质，在这一介质上，把信息按标记和空白的一种模式记录在记录道上，其中，一个标记区域包括一个沿基本上垂直于所述记录介质(10)的记录表面的一个第一方向加以磁化的一个子标记部分，以及一个沿与所述第一方向相反的一个第二方向加以磁化的子空白部分，且其中所述子标记部分的长度(L1)小于或等于沿所述记录道的所述子空白部分的长度。
14.如权利要求13中所要求的一种记录介质，其中，所述磁光记录介质为一个磁光盘，其中，通过一种磁畴扩展技术读取磁光盘。
全文摘要
本发明涉及一种磁光记录技术，根据这一技术，实现了改进的磁畴扩展读取。把一个标记按子标记部分和一个相邻的子空白部分加以记录，其中，把子标记部分的长度设置为小于或等于子空白部分的长度。因而，可以量化由于记录数据的不同的游程长度所引发的杂散场的变化，甚至是对于短通道比特长度，同时改进了分辨率和/或剩余功率。
文档编号G11B11/105GK1526135SQ02812153
公开日2004年9月1日 申请日期2002年6月11日 优先权日2001年6月18日
发明者C·A·维尔舒伦, B·范罗姆佩伊, P·W·M·布洛姆, J·J·L·霍里克斯, H·W·范凯斯特伦, C A 维尔舒伦, L 霍里克斯, M 布洛姆, 弈放逡, 范凯斯特伦 申请人:皇家菲利浦电子有限公司