专利名称：小型记忆卡的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种记忆卡，尤其是一种可采用TSOP封装形式FLASH的记忆卡。
背景技术：
小型记忆卡，英文名称为Mini SD，是一种小型移动存储设备。它的一种结构形式是由壳体和贴有电子元器件的线路板组合而成，线路板上贴装一个控制器，一个或多个FLASH，以及若干电容和电阻。在这种小型记忆卡的线路板上，FLASH的排版采用FLASH的长边与小型记忆卡的短边平行的方向，当小型记忆卡按照长边方向为水平方向的方式放置时，控制器和FLASH在线路板上的位置关系为左右排列关系。
小型记忆卡尺寸规格的行业标准为21.5mm*20mm，这也是小型记忆卡壳体的外形尺寸，因此装设在壳体中的长方形线路板的尺寸应小于该尺寸标准，即线路板的短边长度是小于20mm的。以TSOP封装形式封装的FLASH的外形尺寸为20mm*12.4mm，上述现有技术小型记忆卡FLASH的排版方式(FLASH的长边与线路板的短边平行)决定了这种小型记忆卡不能采用以TSOP封装形式封装的FLASH。通常情况下，这种小型记忆卡采用的是封装外形尺寸为15.4mm*12.4mm的以WSOP封装形式封装的FLASH。小型记忆卡的储存容量取决于FLASH的容量，而FLASH的容量又在一定程度上受限于FLASH的尺寸。TSOP封装形式的FLASH的最大存储容量比WSOP的大，现有技术这种小型记忆卡不能采用以TSOP封装形式封装的FLASH，因而限制了记忆卡的储存容量。另外，以WSOP封装形式封装的FLASH比以TSOP封装形式封装的FLASH成本高。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种可采用TSOP封装形式FLASH的记忆卡。
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种小型记忆卡，包括线路板和通讯端口；线路板的一面上设有控制器和FLASH；FLASH的长边与小型记忆卡的长边平行；当小型记忆卡按照长边方向为水平方向的方式放置时，FLASH和控制器在线路板上的位置关系为上下排列关系。
FLASH在线路板上采用这样的排列方式，使得本实用新型小型记忆卡可采用TSOP封装形式封装的FLASH。这种排列方式不会影响小型记忆卡选用采用WSOP封装形式封装的FLASH。
采用TSOP封装形式FLASH的本实用新型小型记忆卡，存储容量比采用WSOP封装形式FLASH的现有技术小型记忆卡大。
作为本实用新型的改进，小型记忆卡可配置与线路板相适配的外壳。线路板被包覆在外壳中，外壳可起到标识、保护和方便使用的作用。同时，外壳也兼具外观装饰的作用。
外壳可包括与线路板相适配的外框，外框内缘的形状和尺寸与线路板的外形尺寸相适配，线路板可装设在外框上。
作为本实用新型的进一步改进，外框各边的内缘设有与线路板的相应边相适配的一级台阶。线路板可卡紧在外框的一级台阶上，也可以通过胶水、螺钉等固定方式固定在外框上。
外框相应边的内缘设有分别与线路板上的FLASH和控制器相适配的二级台阶。
当线路板装设在外框上时，线路板各边与外框相应边上的一级台阶相配合，线路板上的FLASH和控制器分别与外框相应边的二级台阶相配合。
还可在线路板设有控制器和FLASH的一面上设置电容和电阻，当线路板按照长边方向为水平方向的方式放置时，FLASH与电容和电阻的位置关系为上下排列关系。此时电容和电阻可以排布在控制器的一侧，也可以在控制器的两侧排布。
线路板的长宽尺寸可选择为20.5mm*18.5mm，采用TSOP封装形式封装的FLASH的长宽尺寸为20mm*12.4mm。
本实用新型小型记忆卡的通讯端口可以选用金手指，金手指布置在线路板的背向FLASH的一面上。
本实用新型小型记忆卡，可以采用TSOP封装形式封装的FLASH以提高小型记忆卡的最大存储容量，并且使小型记忆卡的成本降低；通过设置一级台阶和二级台阶，可以方便线路板在外框上的装配，使得整个小型记忆卡的结构更加紧凑，厚度变薄。
为了便于说明，本实用新型使用下述的较佳实施例及附图作以详细描述。
图1是本实用新型一种实施方式的立体示意图。
图2是图1的装配分解示意图。
图3是图1和图2中的线路板1的立体示意图。
图4是图3中的线路板1的另一个方向的立体示意图。
图5是图3中的线路板1的主视、侧视和后视示意图。
图6是图1和图2中的外框2的立体示意图。
图7是图1和图2中的外框2的另一个方向的立体示意图。
具体实施方式
图1-图7示出了本实用新型小型记忆卡的一种实施方式。为方便示意，该小型记忆卡的外壳在附图中只示出了外框2。
图1为该小型记忆卡的立体示意图，该小型记忆卡包括线路板1和外框2，线路板1卡设在外框2上。
线路板1的结构如图2、图3、图4和图5所示，线路板1的一面上贴装有控制器4和以TSOP封装形式封装的FLASH3，另一面上设有金手指5(通讯端口)。
图5的左图是线路板1的主视图，右图是线路板1的后视图，左、右图的中间是线路板1的右视图。FLASH3、控制器4和电容电阻6贴装在线路板1的一面(即主视图中线路板1的上表面，在主视图中虚线所示为贴装于主视图中线路板1下表面的金手指5)，金手指5贴装在线路板1的另一面(即后视图中线路板1的上表面，在后视图中虚线所示分别为贴装于后视图中线路板1下表面的FLASH3、控制器4和电容电阻6)。如右图(后视图)所示，a、b、c和d为线路板1的边，a和c之间的垂直距离为18.5mm，b和d之间的垂直距离为20.5mm。FLASH3的长宽尺寸为20mm*12.4mm，FLASH3的长边(20mm)与线路板1的长边(a和c)平行。图5中线路板1的长边(a和c)为水平方向，控制器4位于FLASH3的下方，在控制器4的两侧，线路板1上贴装有电容电阻6。
这种小型记忆卡，采用以TSOP封装形式封装的FLASH3，提高了小型记忆卡的最大存储容量，并且使小型记忆卡的成本降低。
图6和图7示出了该小型记忆卡的外框2，图6的左图是外框2的立体示意图，右图是图6中局部A的放大示意图；图7的左图是外框2另一个方向的立体示意图，右图是图7中局部B的放大示意图。图6所示的外框2的方向与图4中线路板1的方向相适配。图6和图7中，7、8、9和10为外框2上的一级台阶，7和9与图5中线路板1的边a和c对应，8和10与图5中线路板1的边b和d对应；11、12和13为外框2上的二级台阶，11和控制器4对应，12和13与FLASH3对应。
通过设置一级台阶和二级台阶，可以方便线路板在外框上的装配，使得整个小型记忆卡的结构更加紧凑，厚度变薄。
权利要求1.一种小型记忆卡，包括线路板和通讯端口；所述线路板的一面上设有控制器和FLASH；其特征在于所述FLASH的长边与该小型记忆卡的长边平行；当该小型记忆卡按照长边方向为水平方向的方式放置时，所述FLASH和所述控制器在所述线路板上的位置关系为上下排列关系。
2.根据权利要求1所述的小型记忆卡，其特征在于所述FLASH采用TSOP封装形式。
3.根据权利要求1或2所述的小型记忆卡，其特征在于该小型记忆卡包括与所述线路板相适配的外壳。
4.根据权利要求3所述的小型记忆卡，其特征在于所述外壳包括与所述线路板相适配的外框。
5.根据权利要求4所述的小型记忆卡，其特征在于所述外框各边的内缘设有所述线路板的相应边相适配的一级台阶。
6.根据权利要求5所述的小型记忆卡，其特征在于所述外框相应边的内缘设有分别与所述线路板上的所述FLASH和控制器相适配的二级台阶。
7.根据权利要求6所述的小型记忆卡，其特征在于所述线路板上设置控制器和FLASH的一面还设有电容和电阻，当所述线路板按照长边方向为水平方向的方式放置时，所述FLASH与所述电容和电阻的位置关系为上下排列关系。
8.根据权利要求7所述的小型记忆卡，其特征在于所述FLASH的长宽尺寸为20mm*12.4mm，所述线路板的长宽尺寸为20.5mm*18.5mm。
9.根据权利要求8所述的小型记忆卡，其特征在于所述通讯端口为设于所述线路板的背向所述FLASH的一面上的金手指。
专利摘要本实用新型提供了一种小型记忆卡，包括线路板和通讯端口，线路板的一面上设有FLASH，FLASH的长边与小型记忆卡的长边平行；当小型记忆卡按照长边方向为水平方向的方式放置时，FLASH和控制器在线路板上的位置关系为上下排列关系。小型记忆卡还包括外框，外框相应边的内缘设有一级台阶和二级台阶。这种记忆卡可以采用TSOP封装形式封装的FLASH以提高小型记忆卡的最大存储容量，成本降低，记忆卡结构更加紧凑。
文档编号G11C5/00GK2899038SQ200620013249
公开日2007年5月9日 申请日期2006年3月24日 优先权日2006年3月24日
发明者高小伟 申请人:比亚迪股份有限公司