专利名称：控制热飞行高度控制触地期间的接触位置的方法和系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及数据存储系统，更特别地，涉及控制磁盘中热飞行高度控制触地 (touchdown)期间的接触位置。
背景技术：
计算机的核心是磁盘驱动器，磁盘驱动器通常包括旋转磁盘、具有读头和写头 的滑块、旋转盘之上的悬臂和摆动悬臂以将读头和/或写头置于旋转盘上的选定环形道 (track)上方的致动臂。当盘不旋转时，悬臂将滑块偏置地接触盘的表面，但是当盘旋转时， 空气被与滑块的气垫面(ABS)相邻的旋转盘旋动，导致滑块骑在气垫上，距旋转盘的表面 一小的距离。当滑块骑在气垫上时，写头和读头用来写磁印到旋转盘和从旋转盘读取信号 磁场。读头和写头连接到根据计算机程序操作的处理电路从而实施写入和读取功能。
在一般的系统中，在研磨(la卯ing)和预碳蚀刻(pre-carbon etching)工艺之后 产生回縮(recession)。这在换能器与盘表面之间产生距离。热飞行高度控制(TFC)是改 变换能器与盘表面之间的该距离的方法，其加热读/写头的部件，引起材料的热膨胀，这导 致读/写头换能器突出得更接近硬盘的表面。换能器更接近盘表面地移动从而能够合适地 对道进行读写。 为了精确地控制头-盘间隙，可以校准TFC加热器的功率直到开始头_盘接触，记 下接触所需的加热功率，然后减小该功率以获得期望的间隙。提供功率到加热器直到头的 一部分突出且接触盘。该接触确立零间隔。然后减少热直到读传感器从盘回退预定量。读 头位置处的该间隔改变可以利用Wallace间隔法则通过读回信号的改变来测量，如本领域 普通技术人员公知的那样。该TFC突出校准会需要在盘驱动器的制造期间或者盘驱动器操 作期间的一系列头盘接触。不幸的是，现在一般用来控制头盘驱动器中的滑块_盘间距的 该常规TFC方法不提供读头距盘的绝对间距，因为接触位置可能远离读头。接触点和读头 位置之间的该飞行高度差异是不确定性的源头且应被最小化且不使读头本身成为接触点。
在现有技术的系统中，在TFC引起的触地(touchdown)期间，盘与AlTiC边缘或读 头之间接触的可能性高。AlTiC比盘硬得多，因此接触会导致对盘保护层或盘本身的损坏且 该损坏会产生盘侵蚀或缺陷位(defective site)，这会导致数据丢失或崩溃。此外，读头 或写头极尖与硬盘的接触会损坏读/写头且导致磁致伸縮引起的性能问题，或者会使器件 失灵或不正常运行。类似地，与读/写头接触会导致碳保护层磨损，可能引起头的侵蚀。因 此，需要一种确定什么时候极尖在适当的位置且没有损坏硬盘驱动器或磁头的有用部分的 风险的方法。
发明内容
根据一实施例的一种系统包括薄膜堆叠，具有磁换能器和接触垫；以及加热器， 在该薄膜堆叠中用于引起该薄膜堆叠的面向介质侧的热突出，其中该薄膜堆叠的特征在于 当该薄膜堆叠被该加热器加热时，所述接触垫突出得远于该磁换能器。
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根据另一实施例的一种系统包括薄膜堆叠，具有传感器、写元件以及位于该传感 器和该写元件之间的接触垫；以及加热器，在该薄膜堆叠中用于引起该薄膜堆叠的面向介 质侧的热突出，其中该薄膜堆叠的特征在于当该薄膜堆叠被该加热器加热时，该接触垫突 出得远于该磁换能器，其中该加热器位于该接触垫的相对于该薄膜堆叠的面向介质侧的后 方。
—种校准磁头的突出的方法，包括增大磁头的热突出从而引起头_介质接触；确
定头已经接触介质，其中头的接触介质的部分是接触垫或者接触垫的保护层；部分地基于
确定头已经接触介质而确定引起所需量的突出的参数；以及存储该参数。
—种校准磁头的突出的方法，包括增大磁头的热突出从而引起头_介质接触；确
定头已经接触介质，其中头的接触介质的部分是接触垫或者接触垫的保护层；以及在确定
头已接触介质后将热突出减小预定的量。 本发明的其他方面和优点将从下面的结合附图的详细描述变得显然，附图以示例 方式示出本发明的原理。
为了更充分地理解本发明的本质和优点以及优选使用模式，请结合附图参照下面
的详细说明。 图1是磁记录盘驱动系统的简化图； 图2A是使用纵向记录形式的记录介质的截面的示意图； 图2B是用于图2A的纵向记录的常规磁记录头和记录介质组合的示意图； 图2C是利用垂直记录形式的磁记录介质； 图2D是用于在一侧进行垂直记录的记录头和记录介质组合的示意图； 图2E是用于分别在介质两侧进行记录的记录装置的示意图； 图3A是合并式磁头的局部视图； 图3B是沿图3A的平面3B-3B取得的滑块的局部ABS视图，未按比例； 图4A是具有螺旋线圈的垂直磁头的一特定实施例的剖视图； 图4B是具有环形线圈的垂直磁头的一特定实施例的剖视图； 图4C是具有螺旋线圈的背负式磁头的一特定实施例的剖视图； 图4D是具有环形线圈的背负式磁头的一特定实施例的剖视图； 图5A示出根据一实施例在TFC加热之前的部分磁头的简化示意图； 图5B示出根据一实施例在TFC加热之后的部分磁头的简化示意图； 图6示出根据一实施例的方法； 图7示出根据另一实施例的方法。
具体实施例方式
下面的描述是用于说明本发明的基本原理而无意限制这里要求保护的发明概念。 此外，这里描述的特定特征能以各种可行的组合和置换形式与所描述的其他特征结合使 用。 除非这里另外具体定义，全部术语被赋予其最宽可行解释，包括说明书暗示的含CN 101727919 A
说明书
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义以及本领域技术人员所理解的和/或字典、论文等所定义的含义。 还必须注意，在说明书以及所附权利要求书中使用时，单数形式"一"、"一个"和 "该"也可包括复数个指代物，除非另外说明。 下面的描述公开了基于盘的存储系统和/或相关系统和方法以及其操作和/或组 元部件的若干优选实施方式。
在一个普通实施例中， 一种系统包括薄膜堆叠，具有磁换能器和接触垫；以及加
热器，在该薄膜堆叠中用于引发该薄膜堆叠的面向介质侧的热突出，其中该薄膜堆叠的特
征在于当该薄膜堆叠被该加热器加热时，所述接触垫比该磁换能器突出得更远。 在另一普通实施例中，一种系统包括薄膜堆叠，具有传感器、写元件以及位于该
传感器和该写元件之间的接触垫；以及加热器，在该薄膜堆叠中用于引起该薄膜堆叠的面
向介质侧的热突出，其中该薄膜堆叠的特征在于当该薄膜堆叠被该加热器加热时，该接触
垫比该磁换能器突出得更远，其中该加热器位于该接触垫的相对于该薄膜堆叠的面向介质
侧的后方。 在又一普通实施例中，一种校准磁头的突出的方法，包括增大磁头的热突出从而 引起头-介质接触；确定头已经接触介质，其中头的接触介质的部分是接触垫或者接触垫 的保护层；部分基于确定头已经接触介质而确定引起所需量的突出的参数；以及存储该参 数。 在又一普通实施例中，一种校准磁头的突出的方法，包括增大磁头的热突出从而 引起头介质接触；确定头已经接触介质，其中头的接触介质的部分是接触垫或者接触垫的 保护层；以及在确定头已接触介质后将热突出减小预定的量。 现在参照图l，示出根据本发明一实施例的盘驱动器100。如图1所示，至少一个 可旋转的磁盘112支承于主轴114上且被盘驱动马达118旋转。每个盘上的磁记录一般是 盘112上的同心数据道的环形图案(未示出)的形式。 至少一个滑块113位于盘112附近，每个滑块113支承一个或更多磁读/写头121。 盘旋转时，滑块113在盘表面122上方径向进出移动从而头121能访问盘的记录有所需数 据或者所需数据将要被写入的不同的道。每个滑块113通过悬臂115连接到致动器臂119。 悬臂115提供轻微的弹力，其将滑块113偏置得倚着盘表面122。每个致动器臂119连接到 致动器127。如图1所示的致动器127可以是音圈马达(VCM) 。 VCM包括可在固定磁场内移 动的线圈，线圈移动的方向和速度由控制器129提供的马达电流信号控制。
在盘存储系统的操作期间，盘112的旋转在滑块113和盘表面122之间产生气垫， 其对滑块施加向上的力或举力。因此在正常运行期间，气垫平衡悬臂115的轻微的弹力且 支承滑块113离开盘表面并以一小的、基本恒定的间距稍微位于盘表面上方。注意，在一些 实施例中，滑块113可以沿盘表面122滑行。 盘存储系统的各种组元在运行时由控制单元129产生的控制信号控制，例如存取 控制信号和内部时钟信号。通常，控制单元129包括逻辑控制电路、存储器(例如记忆体) 和微处理器。控制单元129产生控制信号以控制各种系统操作，例如线123上的驱动马达 控制信号和线128上的头定位和寻道控制信号。线128上的控制信号提供所需的电流曲线 (current profile)以优化地移动和定位滑块113到盘112上的期望的数据道。读和写信 号借助于记录通道125传输到读/写头121且从其传出。
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上面对普通磁盘存储系统的描述以及附图1仅用于示例。应显然的是，盘存储系统可包含多个盘和致动器，每个致动器可支承多个滑块。 还可提供接口 (interface)用于盘驱动器和主机(内式或外式)之间的通讯，从而发送和接收数据且用于控制盘驱动器的操作和将盘驱动器的状态传送到主机，这些都是本领域技术人员将理解的。 在一般的头中，感应写头包括嵌入在一个或更多绝缘层(绝缘堆叠)中的线圈层，该绝缘堆叠位于第一和第二极片层之间。在写头的气垫面(ABS)处间隙通过间隙层形成在第一和第二极片层之间。极片层可在背间隙处连接。电流流经线圈层，这在极片中产生磁场。磁场跨过ABS处的间隙弥散以用于写磁场信息位在移动介质上的道中，例如在旋转磁盘上的环形道中。 第二极片层具有从ABS延伸到展开点(flare point)的极尖部分和从展开点延伸到背间隙的轭部分。展开点是第二极片开始加宽(展开)以形成轭的位置。展开点的布置直接影响产生来在记录介质上写信息的磁场的大小。 图2A示意性示出常规记录介质，例如和磁盘记录系统比如图1所示的磁盘记录系统一起使用的记录介质。该介质用于记录在介质本身的平面内或者与介质本身的平面平行的磁脉冲。在该示例中为记录盘的该记录介质大体上包括合适的非磁材料例如玻璃构成的支承衬底200和上面的合适的常规磁层的涂层202。 图2B示出常规记录/回放头204(可优选为薄膜头)与常规记录介质例如图2A所示的介质之间的操作关系。 图2C示意性示出与磁盘记录系统例如图1所示的磁盘记录系统一起使用时与记录介质的表面基本垂直的磁脉冲取向。对于这样的垂直记录，介质一般包括具有高磁导率的材料的衬层212。该衬层212又设置有优选相对于衬层212具有高矫顽力的磁材料的上涂层214。 图2D示出垂直头218和记录介质之间的操作关系。图2D所示的记录介质包括上面关于图2C所述的高磁导率衬层212和磁材料上涂层214两者。然而，这些层212和214都示出为应用到合适的衬底216。通常，还有称为"交换中断"层或"中间层"的额外层(未示出)在层212和214之间。 在该结构中，延伸于垂直头218的极之间的磁通线闭合(loop)进出记录介质的上涂层214，记录介质的高磁导率的衬层212使磁通线沿基本垂直于介质表面的方向穿过上涂层214从而以磁脉冲的形式记录信息在相对于衬层212优选具有高矫顽力的磁材料的上涂层214中，所述磁脉冲具有基本垂直于介质表面的磁化轴。所述磁通以软磁衬层212为通道回到头218的返回层(Pl)。 图2E示出类似结构，其中衬底216在其两个相对侧的每个上承载着层212和214，合适的记录头218位于介质每侧的磁涂层214的外表面附近，允许对介质的每侧进行记录。
图3A是示例性合并式磁头300的侧横截面正视图，磁头300包括写头部分302和读头部分304，读头部分304采用自旋阀传感器306。图3B是图3A的ABS视图。自旋阀传感器306夹在非磁电绝缘第一和第二读间隙层308和310之间，读间隙层夹在铁磁第一和第二屏蔽层312和314之间。响应于外磁场，自旋阀传感器306的电阻改变。经传感器传导的检测电流(Is)使这些电阻改变表现为电势改变。然后，这些电势改变可被处理电路例如控制单元(图1的129)的处理电路处理为读回信号。 磁头300的写头部分302包括夹在第一和第二绝缘层316和318之间的线圈层 322。第三绝缘层320可用于平坦化该头以消除线圈层322导致的第二绝缘层中的波纹。第 一、第二和第三绝缘层在现有技术中称为"绝缘堆叠"。 线圈层322以及第一、第二和第三绝缘层316、318和320夹在第一和第二极片层 324和326之间。第一和第二极片层324和326在背间隙328处磁耦合且具有第一和第二 极尖330和332，其在ABS处通过写间隙层334分隔开。由于第二屏蔽层314和第一极片层 324是公共层，所以该头称为合并式头。在背负式头中，绝缘层位于第二屏蔽层和第一极片 层之间。第一和第二焊料连接(未示出)将来自自旋阀传感器306的引线连接到滑块(图 1的113)上的引线(未示出)，第三和第四焊料连接(未示出)将来自线圈322的引线(未 示出)连接到悬臂上的引线(未示出)。可存在加热器340以引起突出，如就在下面论述的 那样。加热器340的位置可基于设计参数例如期望突出的位置、周围层的热膨胀系数等改 变。 如上所述，滑块头设计可具有邻近读/写元件的小加热器340。如果电流施加到该 加热器340，则加热器340周围的区域会热膨胀，导致减小的头_盘间距。这通常称为热飞 行高度控制(TFC)。 图4A是垂直磁头的剖视图。在图4A中，螺旋线圈410和412用于在缝合极(stitch pole)408中产生磁通，缝合极408又将该磁通传递到主极406。线圈410表示从页面延伸 出的线圈，而线圈412表示延伸到页面中的线圈。缝合极408可以从ABS 418回縮。绝缘 体416围绕线圈且可以为一些元件提供支承。介质行进的方向，如结构右边的箭头所示，移 动介质首先经过下返回极414，然后经过缝合极418、主极406、拖尾屏蔽件404(其可以连接 到包绕屏蔽件(wr即around shield)(未示出))，最后经过上返回极402。这些组元中的 每个可具有与ABS 418接触的部分。ABS 418示为跨该结构的右侧。 通过迫使磁通经缝合极408到主极406中且然后到朝向ABS 418定位的盘的表 面，实现垂直写入。 图4B是一实施例的示意图，该实施例使用环形线圈410(有时称为扁平结构)，以 向缝合极408提供磁通。缝合极又将该磁通提供到主极406。在该实施例中，下返回极是可 选的。绝缘体416围绕线圈410，且可为缝合极408和主极406提供支承。缝合极可从ABS 418回縮。介质行进的方向，如结构右边的箭头所示，移动介质经过缝合极408、主极406、拖 尾屏蔽件404 (其可连接到包绕屏蔽件(未示出))，最后经过上返回极402 (其全部可以具 有或也可以不具有与ABS 418接触的部分)。ABS 418示为跨该结构的右侧。在一些实施 例中，拖尾屏蔽件404可以接触主极406。 图4C示出具有与图4A的头类似的结构的背负式磁头。两个屏蔽件404、414在缝 合极408和主极406的侧面。还示出传感器屏蔽件422、424。传感器426 —般位于传感器 屏蔽件422、424之间。 图4D示出另一类背负式磁头，具有与图4B的包括环形线圈410的头类似的特征。 还示出传感器屏蔽件422、424。传感器426 —般位于传感器屏蔽件422、424之间。
在图4C和4D中，可选的加热器示出为在磁头的非ABS侧附近。加热器还可包括 在图4A和4B所示的磁头中。该磁头的位置可以基于设计参数例如期望突出的位置、周围的层的热膨胀系数等而改变。 图5A和5B示出根据一实施例的头500的局部剖视图。图5A和5B示出的头500和下面的示例可通过常规工艺形成且由常规材料形成，除非另外说明。
在图5A中，头500可包括读元件503和写元件518，读元件503具有传感器510。此外，下屏蔽层(Sl)508和上屏蔽层(S2)512可以屏蔽传感器510免于磁干扰。可包括下极(Pl)514从而将线圈516产生的磁通传递到写元件518。这些元件中的每个使头500能读和写信息到介质，例如磁盘。盘表面520示为能用于记录来自磁头500的信息的表面的示例。可以包括加热元件或加热器506用于引起头500的元件的突出。可以增加这里没有描述的额外元件，加热器506可定位在其他位置，可以实施其他加热器506，等等。图5A示例性描绘部分磁头，不应以任何方式限制本发明，因为任何类型的头可以与本发明一起使用，包括图2-4D描述的那些。 加热器506产生的热使头500表现出热效应。热效应包括材料受热膨胀的自然趋势，通过热膨胀的温度系数量化，更常规地称为热膨胀系数。具有高系数的材料响应于给定的温度增加膨胀得更多。当具有不同热膨胀系数的材料连续且成一体时，受热时其不同的膨胀导致两种材料中的弹性形变和弹性恢复力。 因此，加热器506引起热膨胀。当加热器506被加电时，周围的材料受热，导致它们试图根据发送到加热器506的每单位功率的热膨胀系数膨胀。该膨胀导致头500的至少一部分ABS(朝向盘表面520的部分)的突出。图5B是头元件的热突出之后头500看上去的样子的示意图。 通过引发受控热膨胀或突出效应，这使得头设计以更高物理间距飞行，由此减小任何头-盘界面问题，同时减小原本由飞行高度变化导致的读和/或写信号变化。按需加热头以引起突出的优点在于它影响了头的磁间距。这又允许当加热器没有被加电时头以更高的物理间距飞行，而在读和/或写期间仍紧密靠近介质。因此，制造者可以设计头使得ABS与盘介质之间的间距在头热的时候是已知的，允许设计者选择性设计该间距且获得更佳性能。 继续参照图5A，为了准确地确定头盘间距而没有损坏头500或盘520的风险，头结构可引入专用接触垫526。该接触垫526可位于读元件503附近。可以控制加热器506的位置使得头_盘接触能仅在该垫处发生，或者与接触垫526本身接触，或者与施加到接触垫526的涂层接触。此外，接触垫526可以在读元件503和读元件503处的凹陷附近，接触垫526可被控制使得接触时读元件503和/或写元件518距盘520的间隙小于特定限制(例如小于约2nm，在一些方案中小于约0. 5nm)。在接触垫526处的优先接触还可以通过选择用于接触垫的材料具有比读元件材料稍高的热膨胀而得到确保。 接触垫526的材料可被选择从而它不损坏盘520且还使得如果其上的碳保护层从其表面磨损，它不会腐蚀。 该专用接触垫526可以使TFC接触校准更确定且基本消除在校准和TFC触地期间对头500或盘520的可能损坏。 在一个特定的优选实施例中，磁头系统包括薄膜堆叠，薄膜堆叠具有磁换能器(例如写元件518和/或读元件503)以及接触垫526。此外，可以包括薄膜堆叠中的加热器506以用于引发薄膜堆叠的面向介质侧(ABS侧)的热突出，其中薄膜堆叠的特征在于当薄膜堆叠被加热器506加热直到引起头_盘接触时，接触垫526突出得远于磁换能器。
在一个实施例中，加热器506可以位于接触垫526的相对于薄膜堆叠的面向介质侧的后方，即接触垫526后方的任何位置，与接触垫526对准或者不对准均可。此外，加热器可以位于接触垫526的沉积平面内。 在另一实施例中，换能器是传感器510，磁头系统还可包括写元件518，其中接触垫526位于传感器510与写元件518之间。此外，相比于传感器510，接触垫526可更靠近写元件518的极。 在又一实施例中，磁头系统还可包括磁盘(例如盘520)，换能器用于从盘读数据或者写数据到盘。 在该实施例或一些其他实施例中，接触垫526可以由耐腐蚀材料形成，例如含镍合金或含铝合金。 在该实施例或一些其他实施例中，接触垫526可以具有比换能器的最厚的层更高的热膨胀系数，换能器的最厚的层可能是读元件510的层或者是写元件518的极。例如，接触垫526的热膨胀系数可以比相比较的层高约1%到约50%，优选地高约1%到约15%。
在另一方案中，换能器可以是读元件的一部分，其还可包括磁屏蔽件，例如屏蔽件508或512，其中接触垫526具有比屏蔽件更高的热膨胀系数。 在另一优选实施例中，磁头系统包括薄膜堆叠，薄膜堆叠具有传感器510、写元件518、以及位于传感器510与写元件518之间的接触垫526。此外，包括薄膜堆叠中的加热器506以用于引发薄膜堆叠的面向介质侧的热突出，其中薄膜堆叠的特征在于当薄膜堆叠被加热器506加热时接触垫526突出得远于写元件(如图5B所示)，其中加热器506位于接触垫526相对于薄膜堆叠的面向介质侧的后方，即接触垫526后方的任何位置，与接触垫526对准或不对准均可。 在一优选实施例中，加热器506可以位于P1极514和写元件518之间。加热器506可以基本设置为距ABS若干微米远。接触垫526还可以置于ABS附近在加热器506的正下方。 接触垫526和加热器506的其他合适位置对于本领域普通技术人员而言是显然的。 在图6中，示出用于校准磁头的突出的方法600。本方法600可以以图1_5B所示
的功能为背景来使用。此外，本方法600可以在任何所需环境中使用。 继续参照图6，在操作602中，磁头的热突出可以增大以引起头_介质接触。该接
触可发生在头与磁盘或者能记录或承载数据的一些其他介质之间。 在操作604中，可以确定头已经接触了介质，其中头的接触介质的部分是接触垫或者接触垫上的保护层。例如，接触垫可以是耐腐蚀材料的接触垫，选择涂覆材料从而当进行接触时不伤害介质表面。此外，接触垫可以是任何材料，而接触垫保护层是耐腐蚀材料，从而接触垫材料不腐蚀。这些特征的任意组合是可行的。 在操作606，部分地基于头已经接触介质的确定性，例如用于导致接触的参数，与接触对应的"零"等，可以确定用于引起所需量的突出的参数，例如施加来产生距介质所需间隔的头突出的热量等。 在操作608，操作606中所确定的参数可被存储，至少短暂存储，优选地存储在存储器中用于将来使用。该存储器可以是控制头的系统的一部分，或者可以是使用该头系统(例如硬盘驱动器)的计算机系统的一部分。 在一些实施例中，接触垫可在头中不具有其他功能，除了接触介质或者使接触垫的保护层接触介质以外。因此，接触垫所受的任何损坏不会阻碍或负面影响头的其余组元或部件的操作。 在一些实施例中，接触可以仅在接触垫或接触垫的保护层与介质之间，因此消除了其他组元被介质接触损坏的任何可能性。 在一些实施例中，介质可以是磁盘。此外，系统还可包括应用所存储的参数以用于引起大约所需量的突出。例如，每次系统被校准时，所存储的参数可被取回从而头_介质接触不必重复，减小了损坏盘或头组元的机会。 在一些实施例中，接触垫可以位于头的读元件附近，从而当接触垫或者接触垫的保护层接触介质时，读元件和/或写元件离介质小于约2nm，在一些方案中小于约0. 5nm。
在图7中，示出用于校准磁头的突出的方法700。本方法700能以图l-5B所示的功能为背景使用。此外，本发明700可以在任何所需环境中使用。 继续参照图7，在操作702中，磁头的热突出可以增加以引起头介质接触。该接触可发生在磁头与磁盘或者能记录或承载数据的其他介质之间。 在操作704中，可以确定头已经接触了介质，其中头的接触介质的部分是接触垫或者接触垫上的保护层。例如，接触垫可以是耐腐蚀材料的接触垫，选择涂覆材料从而当进行接触时不伤害介质表面。此外，接触垫可以是任何材料，而接触垫保护层是耐腐蚀材料，从而接触垫材料不腐蚀。这些特征的任意组合是可行的。 在操作706中，在确定头已经接触介质后，热突出可以减小预定的量。 方法700可以按照根据方法600论述的若干实施例或者关于图l-5B论述的任何
合适的实施例来实施。 应注意，这里给出的用于各种实施例中的至少一些实施例的方法可以整体或部分地以计算机硬件、软件，通过手工，使用专门设备等或者其组合来实施。 虽然上面已经描述了各种实施例，但是应理解，它们仅以示例而不是限制的方式给出。因此，优选实施例的广度和范围不应局限于上述示范性实施例中的任何一个，而仅应根据下面的权利要求书及其等价物来确定。
1权利要求
一种系统，包括薄膜堆叠，具有磁换能器和接触垫；以及加热器，在该薄膜堆叠中，用于引发该薄膜堆叠的面向介质侧的热突出；其中该薄膜堆叠的特征在于当该薄膜堆叠被该加热器加热时，该接触垫突出得远于该磁换能器。
2. 如权利要求1所述的系统，其中所述加热器位于该接触垫的相对于该薄膜堆叠的面向介质侧的后方。
3. 如权利要求2所述的系统，其中该加热器位于该接触垫的沉积平面中。
4. 如权利要求1所述的系统，其中该磁换能器是传感器，且该系统还包括写元件，其中该接触垫位于该传感器与该写元件之间。
5. 如权利要求4所述的系统，其中与该传感器相比，该接触垫更靠近该写元件的极。
6. 如权利要求1所述的系统，还包括磁盘，该磁换能器用于从该磁盘读取数据或者写数据到该磁盘。
7. 如权利要求1所述的系统，其中该接触垫由耐腐蚀材料构成。
8. 如权利要求1所述的系统，其中该接触垫具有比该磁换能器的最厚的层更高的热膨胀系数。
9. 如权利要求1所述的系统，其中该磁换能器是传感器，且该系统还包括磁屏蔽件，其中该接触垫具有比该磁屏蔽件更高的热膨胀系数。
10. —种系统，包括薄膜堆叠，具有传感器、写元件、以及位于该传感器和该写元件之间的接触垫；以及加热器，在该薄膜堆叠中用于引起该薄膜堆叠的面向介质侧的热突出，其中该薄膜堆叠的特征在于当该薄膜堆叠被该加热器加热时，该接触垫突出得远于该写元件，其中该加热器位于该接触垫的相对于该薄膜堆叠的面向介质侧的后方。
11. 如权利要求io所述的系统，其中该薄膜堆叠包括磁屏蔽件，其中该接触垫具有比该磁屏蔽件更高的热膨胀系数。
12. 如权利要求IO所述的系统，其中该接触垫具有比该写元件的极更高的热膨胀系数。
13. —种校准磁头的突出的方法，包括增大磁头的热突出从而引起磁头_介质接触；确定该磁头已经接触所述介质，其中所述磁头的接触该介质的部分是接触垫或者接触垫的保护层；部分地基于确定该磁头已接触该介质，确定用于引起所需量的突出的参数；以及存储该参数。
14. 如权利要求13所述的方法，其中除了接触所述介质或使该接触垫的保护层接触该介质之外，该接触垫在该磁头中没有其他功能。
15. 如权利要求13所述的方法，其中仅该接触垫或该接触垫的保护层接触该介质。
16. 如权利要求13所述的方法，其中所述介质是磁盘。
17. 如权利要求13所述的方法，还包括应用所存储的参数以用于引起所需量的突出。
18. 如权利要求13所述的方法，其中所述接触垫位于所述磁头的读元件附近，使得当 该接触垫或者该接触垫的保护层接触该介质时，该读元件距该介质小于2nm。
19. 如权利要求13所述的方法，其中该接触垫位于该磁头的写元件附近，使得当该接 触垫或者该接触垫的保护层接触该介质时，该写元件距该介质小于2nm。
20. —种用于校准磁头的突出的方法，包括 增大磁头的热突出从而引起磁头-介质接触； 确定所述磁头已接触所述介质，其中该磁头的接触该介质的部分是接触垫或者接触垫 的保护层；以及在确定所述磁头已接触所述介质后，将所述热突出减小预定的量。
21. 如权利要求20所述的方法，其中除了接触所述介质或使该接触垫的保护层接触该 介质之外，该接触垫在该磁头中没有其他功能。
22. 如权利要求20所述的方法，其中仅该接触垫或该接触垫的保护层接触该介质。
23. 如权利要求20所述的方法，其中所述介质是磁盘。
24. 如权利要求20所述的方法，其中所述接触垫位于所述磁头的读元件附近，使得当 该接触垫或者该接触垫的保护层接触该介质时，该读元件距该介质小于2nm。
25. 如权利要求20所述的方法，其中该接触垫位于该磁头的写元件附近，使得当该接 触垫或者该接触垫的保护层接触该介质时，该写元件距该介质小于2nm。
全文摘要
本发明提供一种控制热飞行高度控制触地期间的接触位置的方法和系统。根据一实施例的一种系统包括薄膜堆叠，具有磁换能器和接触垫；以及加热器，在该薄膜堆叠中，用于引发该薄膜堆叠的面向介质侧的热突出；其中该薄膜堆叠的特征在于当该薄膜堆叠被该加热器加热时，该接触垫突出得远于该磁换能器。一种校准磁头的突出的方法包括增大磁头的热突出从而引起磁头-介质接触；确定该磁头已经接触所述介质，其中所述磁头的接触该介质的部分是接触垫或者接触垫的保护层；部分基于确定该磁头已接触该介质，确定用于引起所需量的突出的参数；以及存储该参数。
文档编号G11B5/60GK101727919SQ200910179779
公开日2010年6月9日 申请日期2009年10月19日 优先权日2008年10月17日
发明者古林德·P·辛格, 彼得·M·鲍姆加特, 江嘉扬 申请人:日立环球储存科技荷兰有限公司