专利名称：使用alpg测试仪进行dp sram测试的装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件的测试装置，尤其时一种使用ALPG测试仪进行DP SRAM测试的装置。
背景技术：
DualPort SRAM(简称DP SRAM)器件要实现高速的数据读写操作，因此一般对于同 一个存储空间会设置有两组地址系统，以便同时进行读写操作，提高存储器件的速度。对于 DP SRAM的测试主要是验证能否通过DP SRAM的两组地址系统实现对每个存储单元高速的 读写操作。由于DP SRAM测试的特殊性，需要同时对芯片的不同地址进行读写操作，对于常 规的Memory测试仪使用ALPG算法产生测试向量，测试速度快。但是由于不能同时对不同 地址进行操作，所以目前常规的测试方法是用logic pattern测试仪进行测试，测试向量相 对Memory测试仪ALPG测试向量十分复杂，测试时间相对很长。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种使用ALPG测试仪进行DP SRAM测试的装 置，能够提高测试效率，节约测试时间。为解决上述技术问题，本发明使用ALPG测试仪进行DP SRAM测试的装置的技术方 案是，所述DP SRAM器件有两组独立的地址系统对应同一个存储空间，其特征在于，除最高 位以外，所述两组独立的地址系统中其它对应的每个位都相互连接，两个最高位相互不连 接，并且有效时的电平状态相反，所述两组独立的地址系统都连接至ALPG测试仪相应的端口上。本发明避开了 ALPG测试系统在测试DP SRAM时的系统限制，最大程度发挥ALPG 测试系统在测试memory产品时的高效便利的特点，提高了测试效率，节省大量测试时间。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明附图为DP SRAM器件的示意图。
具体实施例方式附图所示为DP SRAM管脚图，其有两组独立的地址系统AA、AB。假设每组地址有8 根地址信号线，我们将AA，AB两组地址在探针卡端进行如下连接。AAl--ABl连接AA2——AB2连接AA3——AB3连接AA4——AB4连接AA5——AB5连接
AA6——AB6 连接；AA7——AB7 连接；AA8-AB8 不连接。假设DP SRAM—共有两组地址系统分别对应与A Port以及B Port，在ftx)be card 端将AA1-AA7分别与AB1-AB7连接。AA8与AB8不连接测试仪分别控制。这种情况下，AA8 与AB8设置不同的状态，保证可以在同时对不同的地址的进行读写操作。避免地址冲突的 问题。一次操作一半地址，用于对Dual Port的基本功能测试，同时bitmap也可以正常使 用。具体表现为对AA地址00000000-0111111时，AB地址为10000000-1111111。本发明公开了一种使用ALPG测试仪进行DP SRAM测试的装置，所述DPSRAM器件 有两组独立的地址系统对应同一个存储空间，除最高位以外，所述两组独立的地址系统中 其它对应的每个位都相互连接，两个最高位相互不连接，并且有效时的电平状态相反，所述 两组独立的地址系统都连接至ALPG测试仪相应的端口上。所述DP SRAM器件的结构如附图所示，其中AA和AB为DP SRAM器件的两组地址 系统的引脚。以8位地址为例，即图中m = 8，本发明中，将AAl AA7分别与ABl AB7相 连接，即AAl连接AB1，AA2连接AB2等等。当AA8置“0”，AB8置“ 1 ”，这样，对于DP SRAM 器件中的256个存储单元，前1 个存储单元就通过AA地址系统进行访问，后1 个存储 单元就通过AB地址系统进行访问。相反，当AA8置“1”，AB8置“0”，这样，对于DP SRAM器 件中的256个存储单元，前1 个存储单元就通过AB地址系统进行访问，后1 个存储单 元就通过AA地址系统进行访问。从而保证在同时对不同的地址进行读写操作，避免地址冲 突的问题。这样一次操作一半地址，用于对Dual Port的基本功能测试，同时bitmap也可 以正常使用。由于DP SRAM有两组地址，需要共享ALPG测试仪的一套地址，因此本发明在探针 卡基板端将DP SRAM的两组地址AA、AB按上述方式进行互连，目的是在测试仪提供地址给 AA的同时，AB组地址也能得到不同与AA组地址的测试向量，从而实现共享一套地址系统。 在测试仪Loadboard端将DPSRAM的两组地址A、B按一定的方式进行互连，实现相同的目 的。综上所述，本发明避开了 ALPG测试系统在测试DP SRAM时的系统限制，最大程度 发挥ALPG测试系统在测试memory产品时的高效便利的特点，提高了测试效率，节省大量测 试时间。
权利要求
1. 一种使用ALPG测试仪进行DP SRAM测试的装置，所述DP SRAM器件有两组独立的地 址系统对应同一个存储空间，其特征在于，除最高位以外，所述两组独立的地址系统中其它 对应的每个位都相互连接，两个最高位相互不连接，并且有效时的电平状态相反，所述两组 独立的地址系统都连接至ALPG测试仪相应的端口上。
全文摘要
本发明公开了一种使用ALPG测试仪进行DualPort SRAM测试的装置，所述DP SRAM器件有两组独立的地址系统对应同一个存储空间，测试时，除最高地址位以外，所述两组独立的地址系统中其它对应的每个地址位都相互连接，两个最高地址位相互不连接，并且有效时的最高地址位电平状态相反，所述两组独立的地址系统都连接至ALPG测试仪相应的端口上。本发明避开了ALPG测试系统在测试DP SRAM时的系统限制，最大程度发挥ALPG测试系统在测试memory产品时的高效便利的特点，提高了测试效率，节省大量测试时间。
文档编号G11C11/413GK102054536SQ20091020177
公开日2011年5月11日 申请日期2009年11月9日 优先权日2009年11月9日
发明者宋鋆鋆, 曾志敏 申请人:上海华虹Nec电子有限公司