专利名称：磁阻传感器、磁头、磁头折片组合及硬盘驱动器的制作方法
技术领域：
本发明涉及信息记录磁盘驱动单元，尤其涉及一种磁阻(magnetoresistive，MR) 传感器、磁头、磁头折片组合(head gimbal assembly, HGA)及硬盘驱动器。
背景技术：
包含多个旋转磁盘的硬盘驱动器被普遍用来将数据存储在其磁盘表面的磁性媒介上，而包含读传感器的可移动磁头用作从磁盘表面的磁轨上读取数据。当前，读传感器采用MR传感器，其相较薄膜诱导型磁头具有能够以更大磁轨和线性密度从磁盘表面上读取数据的能力，因而成为主流的读传感器。目前，不同类型的MR传感器已接二连三被磁盘驱动器开发商有效投入使用。其中一种传统的MR传感器为各向异性磁阻(anisotropic magnetoresistive, AMR)，其会使磁化方向与流经MR元件的感应电流方向之间的夹角发生改变，继而使MR元件的电阻和感应电流或电压发生相应的变化。另一种典型类型为巨磁电阻(giant magnetoresistive,GMR) 传感器，其表现为GMR效应。GMR效应是一种磁阻率在外部磁场下发生变化的现象。GMR传感器由两铁磁层和层压于该两铁磁层之间的非铁磁层组成。该非铁磁层的电阻会随两铁磁层的磁矩、载流电子及自旋相关散射而变化。再一种MR传感器类型为隧道磁电阻(tunnel magnetoresistive, TMR)传感器。由于其磁阻率的变化比GMR显著得多，故此TMR传感器能够取代AMR和GMR而成为当前的主流技术。如图Ia为一传统TMR传感器600从磁头的空气承载面31的视角看去的示意图。 如图所示，该TMR传感器600包括第一屏蔽层601、第二屏蔽层602、形成于第一屏蔽层601 和第二屏蔽层602之间的MR元件650，以及分别放置于MR元件650两侧的一对硬磁层603。 如图Ib所示，该TMR传感器600还包括层夹于两屏蔽层601、602之间的非磁绝缘层605，该非磁绝缘层605靠近MR元件650并远离空气承载面(air bearing surface，ABS) 31。该非磁绝缘层605使得第一屏蔽层601与第二屏蔽层602电性绝缘。请参考图Ia与图lb，一个来自磁性媒介(如硬盘驱动器的磁盘)的外部信号场被提供至MR元件650中，该信号场具有垂直于ABS 31的磁场方向10。硬磁层603向MR元件650提供一个纵向偏压磁场，用以稳定MR元件650的自由层，该纵向偏压磁场的磁场方向11与ABS 31平行。为众所知，自由层的形状各向异性效应会使外部磁场发生偏转，从而使得自由层的磁化方向自由地改变。而具有固定方向的纵向偏压磁场则能够在一定程度上稳定自由层，纵向偏压磁场越强，传感器则越稳定。然而，由于屏蔽层601、602具有磁性，而且，如图Ib所示，MR元件650和两屏蔽层 601,602之间没有任何距离或者材料上的阻隔，因此，当硬盘驱动器运行时，信号场会自由流向两屏蔽层601、602。为众所知，信号场的分流直接造成TMR传感器600的效率降低。再且，同样地，如图Ia所示，应磁层603提供的一部分的纵向偏压磁场会从两屏蔽层601、602处漏掉，这将削弱纵向偏压的程度。随之，自由层的磁化方向会因形状各向异性效应而上下波动、改变，这将直接带来噪声，从而影响MR传感器的性能。在此情况下，通常会通过降低磁阻高度(megnetoresistive height, MRH)来稳定自由层的磁化方向。然而， 在另一方面，MRH的降低会使传感器的总体面积减小，同样会直接削弱MR传感器的性能。为解决上述问题，专利号为No. 6，656，538的一个美国专利公开了一种改进的MR 传感器。如图2所示，磁头700的MR传感器710包括按顺序层叠的第一屏蔽层711、第一非磁传导层712、MR元件713、绝缘层714、第二非磁传导层715以及第二屏蔽层716。由于第一、第二非磁传导层712、715的存在，因此，MR元件713和两屏蔽层711、716之间的距离得到调整，即距离增大了。因此，可以防止信号场分流到第一、第二屏蔽层711、716中，从而使得更少的纵向偏压磁场被削弱。由此，MR传感器能够获得更多更强的纵向偏压磁场，从而降低自由层的形状各向异性效应的强度。因此，自由层的磁化方向变得稳定，从而提高MR传感器的性能。然而，随着磁盘表面的面密度逐渐增大，分辨能力成为MR传感器读性能的一个重要指标，而且分辨能力要求更高更强。为众所知，分辨能力的大小强度依赖于“读间隙”，该 “读间隙”定义为第一、第二屏蔽层之间的间隙，例如，图Ib中箭头20以及图2中箭头40所指的间隙。而读间隙的距离直接影响磁盘表面的位辨识度。更具体地，较宽的读间隙无法识别和检测到较窄的线密度，换言之，宽的读间隙使得MR传感器的读分辨能力降低，这将影响信噪比，甚至影响从磁盘读取数据的性能。上述图2中的MR传感器虽然可以防止信号场和纵向偏压场分流从而提高性能，但是由于增加的两个非磁传导层712、715使得读间隙变宽，因此带来低分辨能力以及其后续的问题。因此，亟待一种改进的MR传感器以克服上述缺陷。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种MR传感器，其具有较窄的读间隙，从而增强分辨能力并提高读性能；同时，其具有强的纵向偏压磁场，从而保持自身稳定性，增加总的感应面积，进而提高传感器的可靠性。本发明的另一目的在于提供一种具有MR传感器的磁头，其具有较窄的读间隙，从而增强分辨能力并提高读性能；同时，其具有强的纵向偏压磁场，从而保持自身稳定性，增加总的感应面积，进而提高传感器的可靠性。本发明的再一个目的在于提供一种具有MR传感器的磁头折片组合，其具有较窄的读间隙，从而增强分辨能力并提高读性能；同时，其具有强的纵向偏压磁场，从而保持自身稳定性，增加总的感应面积，进而提高传感器的可靠性。本发明的又一个目的在于提供一种具有MR传感器的磁盘驱动器，其具有较窄的读间隙，从而增强分辨能力并提高读性能；同时，其具有强的纵向偏压磁场，从而保持自身稳定性，增加总的感应面积，进而提高传感器的可靠性。为达到以上目的，本发明提供一种MR传感器，其包括第一屏蔽层，第二屏蔽层，形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边，以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧；其中还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。较佳地，包括形成于所述第二屏蔽层与所述磁阻元件之间的第二非磁传导层，所述第二非磁传导层嵌入所述第二屏蔽层，并与空气承载面相分离。可选地，所述第一非磁传导层和/或所述第二非磁传导层呈梯形。较佳地，所述非磁绝缘层的宽度至少与所述磁阻元件的高度一致。较佳地，所述磁阻元件包括形成于所述第二屏蔽层上的反铁磁层、形成于所述反铁磁层上的被钉扎层、形成于所述被钉扎层上的自由层，以及形成于所述被钉扎层与所述自由层之间的绝缘隧道势垒层。一种磁头，包括磁阻传感器以及形成于所述磁阻传感器上的写头。其中，所述磁阻传感器包括第一屏蔽层，第二屏蔽层，形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边，以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧；其中还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。一种磁头折片组合，包括具有磁阻传感器的磁头滑块以及用于支撑所述磁头滑块的悬臂件。其中，所述磁阻传感器包括第一屏蔽层，第二屏蔽层，形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边，以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧；其中还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。一种硬盘驱动器，包括具有磁头滑块的磁头折片组合、与所述磁头折片组合连接的驱动臂、可旋转的磁盘以及用于旋转所述磁盘的主轴马达。所述磁头滑块具有磁阻传感器，所述磁阻传感器包括第一屏蔽层，第二屏蔽层，形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边，以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧；其中还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。与现有技术的MR传感器相比，在第一屏蔽层和MR元件之间设置第一非磁传导层， 该第一非磁传导层嵌入在第一屏蔽层中并与空气承载面相分离，基于此设置，第一、第二屏蔽层之间的读间隙变窄，从而能识别和检测磁盘上的更窄的线密度的数据位，即，MR传感器的分辨能力增强，从而改善信噪比和读取性能。另一方面，由于第一非磁传导层形成在第一屏蔽层和MR元件之间，因此可以防止信号场和纵向偏压磁场分流或漏向第一屏蔽层中，这将提高MR传感器的效率，而且很少的纵向偏压磁场被削弱。因此，相对传统的设置，本发明的MR传感器能够利用更多更强的纵向偏压磁场，从而减弱自由层的形状各向异性的强度。因此，自由层235的磁化方向不会自由波动，进而提高MR传感器的稳定性能。在此情况下，磁阻高度可设置得更大来增大总的感应面积，从而改善磁头滑块的性能。如，由于感应面积增大，因此可获得更多的电阻区域，进而，穿过电阻区域的电流密度变小，最终改善MR传感器的静电放电性能及寿命阈值。 再且，更高的电阻区域能够提供更高的磁阻率和状态率，因此MR传感器的可靠性能得到改
通过以下的描述并结合附图，本发明将变得更加清晰，这些附图用于解释本发明的实施例。
图Ia为一传统TMR传感器从ABS面看去的示意图。图Ib为沿图Ia中A-A剖线剖开的TMR传感器的剖视图，其展示了信号场分流的状况。图Ic为TMR传感器沿图Ib的B-B剖线剖开后的剖视图，其展示了纵向偏压磁场的漏磁状况。图2为另一传统TMR传感器的示意图。图3为本发明磁头滑块的一个实施例的截面图。图4为本发明MR传感器的截面图，其展示了 MR传感器的层叠结构。图5为图3所示的磁头的MR传感器从ABS面看去的示意图。图6为图3中的MR传感器的局部细节图。图7a为MR传感器沿图6的C-C剖线剖开后的顶视图，其展示了纵向偏压磁场的漏磁状况。图7b展示了具有较高磁阻高度的自由层的稳定的磁化方向。图8为图3的MR传感器的简化及部分立体图，其展示了信号场的分流状况。图9为本发明MR传感器的第二实施例的示意图。图10为本发明MR传感器的第三实施例的示意图。图11为本发明磁头折片组合的一个实施例的立体图。图12为本发明磁盘驱动器的一个实施例的立体图。
具体实施例方式下面将参考附图阐述本发明几个不同的最佳实施例，其中不同图中相同的标号代表相同的部件。如上所述，本发明的实质在于提供一种用于磁头的MR传感器。该MR传感器包括形成在第一屏蔽层与MR元件之间的第一非磁传导层，该第一非磁传导层嵌入在第一屏蔽层中，并与ABS面相分离。基于此种设置，一方面，由于在第一、第二屏蔽层之间的读间隙相较现有技术变窄，因此，MR传感器的分辨能力增强，从而增强读取数据的能力。另一方面，信号场与纵向偏压磁场不会分流或漏向第二屏蔽层，从而提高MR传感器的效率，而且被削弱的纵向偏压磁场减少。以下将描述用于硬盘驱动器中磁头折片组合的磁头的MR传感器的一些实施例。 需要注意的是，该MR传感器适用于具有带以上优点的MR传感器的任一合适的磁头折片组合和/或硬盘驱动器。即，本发明可应用于任何工业上具有MR传感器的任一适用装置。传统的用于磁头滑块的磁头一般包括用于从磁盘读取数据的读头以及向磁盘写入数据的写头。读头通常由一个MR传感器构成，例如有电流垂直平面型(CPP)传感器、电流在平面内型(CIP)传感器、TMR传感器、GMR传感器或AMR传感器等。为便于理解，本发明只着重描述CPP-TMR传感器。显然，本领域技术人员在阅读本说明书后，能够理解本发明在应用于其他传感器的情况。以下将对具有本发明MR传感器的磁头的优选实施例进行描述。图3为本发明磁头滑块60的一个实施例的剖视图。该磁头滑块60的一面被研磨形成ABS 15，该ABS 15通过空气承载从旋转的磁盘表面分隔开。该磁头滑块60包括衬底 214以及形成在该衬底214上的磁头200，用以读写数据。具体地，该磁头200包括形成在衬底214上的MR传感器210以及形成于MR传感器上的写头220。更具体地，请参考图3及图5，该MR传感器210包括形成在衬底214上的第一屏蔽层211、第二屏蔽层212、层压在该第一屏蔽层211和第二屏蔽层212之间的MR元件230。 其中，一对硬磁层对0(参考图5)同样层压于第一、第二屏蔽层211、212之间，其分别放置于MR元件230的两侧。该MR传感器210还包括形成在MR元件230远离ABS 15的一边的非磁绝缘层215，该非磁绝缘层215使得第一屏蔽层211与第二屏蔽层212之间电性绝缘。 较佳地，在本实施例中，该非磁绝缘层215的宽度至少与MR元件230的宽度一样。可选地， 该非磁绝缘层215的宽度可设置得更大，从而嵌入至第一屏蔽层211或第二屏蔽层212中。写头220包括第一写极221、第二写极222以及层压在该两写极221、222之间的线圈223和第一间隙层224。上述元件的表面，即面向ABS 15的表面上，覆盖有一保护层 205，以防止或降低磁头受到侵蚀。在第二屏蔽层212和第一写极221之间形成第二间隙层 225。在进行写操作时，信号电流通过线圈223传导，并在第一及第二写极221，222上产生磁通量，磁通量在ABS 15上围绕着极尖流动。该种磁通量使得在进行写操作时将旋转磁盘 10的环形磁轨磁化。如图4所示，在本实施例中MR元件230具有层叠结构，其包括形成在第二屏蔽层 212上的AFM层231、形成在AFM层231上的被钉扎层233、形成在被钉扎层233上的自由层235、形成在被钉扎层233和自由层235之间的绝缘的隧道势垒层237，以及形成在自由层235和第一屏蔽层211之间的盖帽层239。其中，该被钉扎层233被固定，使得磁化方向在外部磁场下保持不变。被钉扎层233的磁化方向21的朝向大致垂直于ABS 15。自由层 235包含一种铁磁质，并具有一个由于形状各向异性效应而响应外部磁场而改变的磁化方向22。请参考图3、5及8，该MR传感器210还包括形成在第一屏蔽层211和MR元件230 之间的第一非磁传导层216。具体地，该第一非磁传导层216可由控制过程处理成梯形。在本实施例中，该梯形可经过一般的离子铣削处理得到，其他形状，如矩形同样可通过不同处理得到。另外，该第一非磁传导层216嵌进第一屏蔽层211中，该第一非磁传导层216将第一屏蔽层211与MR元件230之间阻隔了一段距离。为保持读间隙27的窄度，第一非磁传导层216与ABS 15相分离。由图6、8可见，第一非磁传导层216和ABS 15之间有一段距离。即，图6所示的读间隙27的宽度即为MR元件230的宽度。可见，虽然增加了第一非磁传导层216，但读间隙27并没有变宽。因此，相较现有技术的MR传感器，本发明的读间隙 27更窄，由此，其能识别和检测磁盘上的更窄的线密度的数据位，即，MR传感器的分辨能力增强，从而改善信噪比和读取性能。现对信号场的分流和纵向偏压磁场的漏磁情况进行描述。请参照图6，当具有磁头滑块60的硬盘驱动器在运行时，来自硬盘驱动器的磁盘的外部信号场向MR元件230提供信号，其具有一个垂直于ABS 15的磁性方向23。由于第一非磁传导层216形成在MR元件 230上并与磁性的第一屏蔽层211相分离，即，MR元件230和第一屏蔽层211之间的距离被调整得变远，因此，大部分的信号场都不会分流到第一屏蔽层211中去，如图6中的箭头23 所示。因此，更多更强的信号场被MR元件230利用，这将提高MR传感器210的效率。
另一方面，请参考图7a和图8，硬磁层240提供一个纵向偏压磁场，用以稳定MR元件230的自由层，其具有平行于ABS 15的磁性方向25。由于第一非磁传导层216形成在第一屏蔽层211和MR元件230之间，从而将其两者分隔一段距离，因此，大部分的纵向偏压磁场不会漏向第一屏蔽层211，S卩，很少的纵向偏压磁场被削弱。因此，相对传统的设置，本发明的MR传感器210能够利用更多更强的纵向偏压磁场，从而减弱自由层235的形状各向异性的强度。因此，自由层235的磁化方向不会自由波动，这有益于提高MR传感器210的稳定性能。在此情况下，即使将磁阻高度沈增加，自由层235的磁化方向也能够保持稳定，如图7b所示。具有优选方向的箭头观体现了在磁阻高度沈相对高的情况下，自由层235的稳定性。基于稳定的自由层235，相较传统的MR传感器，磁阻高度能够增加到渴望值，从而增加总的感应面积，进而改善磁头滑块60的性能。例如，由于感应面积增大，则可获得更多的电阻区域，进而，穿过电阻区域的电流密度变小，最终改善MR传感器的静电放电性能及寿命阈值。再且，更高的电阻区域能够提供更高的磁阻率和状态率，因此MR传感器的可靠性能得到改善。图9展示了本发明MR传感器310的第二实施例的示意图。本实施例的MR传感器 310的主要结构与第一实施例相同，不同之处在于，本实施例在第二屏蔽层212和MR元件 230之间增设第二非磁传导层217。如图9所示，该第二非磁传导层217呈梯形，其嵌进第二屏蔽层212中，该第二非磁传导层217将第二屏蔽层212与MR元件230之间阻隔了一段距离。为保持读间隙27的窄度，第二非磁传导层217同样与ABS 15相分离。相较现有技术的MR传感器，本发明的读间隙27更窄，由此，其能识别和检测磁盘上的更窄的线密度的数据位，即，MR传感器的分辨能力增强，从而改善信噪比和读取性能。再且，如第一个实施例所描述，第二非磁传导层217的功能与第一非磁传导层216 相一致。由于两非磁传导层216、217分别设在第一、第二屏蔽层211、212上，因此其能防止信号场分流到两屏蔽层211、212中，从而提高MR传感器的效率。同时，大部分的纵向偏压磁场不会漏向两屏蔽层211、212中去，因此MR传感器能够利用更多更强的纵向偏压磁场， 从而削弱自由层235的形状各向异性效应的强度。因此，自由层235的磁化方向不会自由波动，这有益于提高MR传感器310的稳定性能。在此情况下，可通过增加磁阻高度来增加总的感应面积，从而改善磁头滑块60的性能。图10展示了本发明MR传感器410的第三实施例的示意图。与第一实施例相类似， 第一非磁传导层416形成在第一屏蔽层211和MR元件230之间。具体地，该第一非磁传导层416呈梯形，并嵌入第一屏蔽层211中。非磁绝缘层415形成在第一、第二屏蔽层211、 212之间，其靠近MR元件230的远离ABS15的一端。具体地，本实施例的非磁绝缘层415的宽度相较第一实施例设置得更大，其埋植于第一屏蔽层211中。为保持读间隙27的窄度， 第一非磁传导层416与ABS 15相隔一段距离。相较现有技术的MR传感器，本发明的读间隙27更窄，由此，其能识别和检测磁盘上的更窄的线密度的数据位，即，MR传感器的分辨能力增强，从而改善信噪比和读取性能。此外，如第一实施例中所描述，本实施例的MR传感器同样能够防止信号场和纵向偏压磁场分流或漏磁。图11展示了本发明具有上述带MR传感器210的磁头滑块60的磁头折片组合20 的一个实施例。如图所示，该磁头折片组合20 —般包括上述磁头滑块60及支撑该磁头滑块60的悬臂件810。该悬臂件810包括基板802、枢接件807、挠性件803及负载杆804，以上元件均装配在一起。枢接件807通过自身与基板802装配。磁头滑块60由挠性件803 支承。由于磁头折片组合的悬臂件的结构和组装过程为本领域一般技术人员所熟知，所以在此省略关于其结构和组装的详细描述。图12展示了本发明包含上述磁头滑块60及磁头折片组合20的硬盘驱动器1的一个实施例。该硬盘驱动器1包括主轴马达30、安装于该主轴马达30上的一系列可旋转磁盘10、磁头折片组合20、与该磁头折片组合20相连的驱动臂50、设置于该驱动臂50远端并包括本发明MR传感器210的磁头滑块60，以及将上述元件装配一起的壳体70。如本领域技术人员所熟知，当硬盘驱动器100运作时，磁盘10由主轴马达30驱动旋转，而由此产生的气压会使磁头滑块60在磁盘10上方飞行，进而使得磁头滑块60上的MR传感器210在磁盘磁轨上存取数据。以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
权利要求
1.一种磁阻传感器，包括第一屏蔽层； 第二屏蔽层；形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边；以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧； 其特征在于还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层， 所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。
2.如权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于还包括形成于所述第二屏蔽层与所述磁阻元件之间的第二非磁传导层。
3.如权利要求2所述的磁阻传感器，其特征在于所述第二非磁传导层嵌入所述第二屏蔽层，并与空气承载面相分离。
4.如权利要求3所述的磁阻传感器，其特征在于所述第一非磁传导层和/或所述第二非磁传导层呈梯形。
5.如权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于所述非磁绝缘层的宽度至少与所述磁阻元件的高度一致。
6.如权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于所述磁阻元件包括形成于所述第二屏蔽层上的反铁磁层、形成于所述反铁磁层上的被钉扎层、形成于所述被钉扎层上的自由层，以及形成于所述被钉扎层与所述自由层之间的绝缘隧道势垒层。
7.一种磁头，包括 磁阻传感器；及形成于所述磁阻传感器上的写头； 其中，所述磁阻传感器包括第一屏蔽层； 第二屏蔽层；形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边；以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧； 其特征在于所述磁阻传感器还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。
8.如权利要求7所述的磁头，其特征在于所述磁阻传感器还包括形成于所述第二屏蔽层与所述磁阻元件之间的第二非磁传导层。
9.如权利要求8所述的磁头，其特征在于所述第二非磁传导层嵌入所述第二屏蔽层， 并与空气承载面相分离。
10.如权利要求9所述的磁头，其特征在于至少所述第一非磁传导层或所述第二非磁传导层呈梯形。
11.如权利要求7所述的磁头，其特征在于所述非磁绝缘层的宽度至少与所述磁阻元件的高度一致。
12.如权利要求7所述的磁头，其特征在于所述磁阻元件包括形成于所述第二屏蔽层上的反铁磁层、形成于所述反铁磁层上的被钉扎层、形成于所述被钉扎层上的自由层，以及形成于所述被钉扎层与所述自由层之间的绝缘隧道势垒层。
13.一种磁头折片组合，包括 具有磁阻传感器的磁头滑块；以及用于支撑所述磁头滑块的悬臂件； 所述磁阻传感器包括第一屏蔽层； 第二屏蔽层；形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边；以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧； 其特征在于所述磁阻传感器还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。
14.如权利要求13所述的磁头折片组合，其特征在于所述磁阻传感器还包括形成于所述第二屏蔽层与所述磁阻元件之间的第二非磁传导层。
15.如权利要求14所述的磁头折片组合，其特征在于所述第二非磁传导层嵌入所述第二屏蔽层，并与空气承载面相分离。
16.如权利要求15所述的磁头折片组合，其特征在于至少所述第一非磁传导层或所述第二非磁传导层呈梯形。
17.如权利要求13所述的磁头折片组合，其特征在于所述非磁绝缘层的宽度至少与所述磁阻元件的高度一致。
18.如权利要求13所述的磁头折片组合，其特征在于所述磁阻元件包括形成于所述第二屏蔽层上的反铁磁层、形成于所述反铁磁层上的被钉扎层、形成于所述被钉扎层上的自由层，以及形成于所述被钉扎层与所述自由层之间的绝缘隧道势垒层。
19.一种硬盘驱动器，包括具有磁头滑块的磁头折片组合；与所述磁头折片组合连接的驱动臂；可旋转的磁盘；以及用于旋转所述磁盘的主轴马达；所述磁头滑块具有磁阻传感器，所述磁阻传感器包括第一屏蔽层；第二屏蔽层；形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边；以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧； 其特征在于所述磁阻传感器还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。
全文摘要
本发明公开了一种磁阻传感器，该磁阻传感器包括第一屏蔽层，第二屏蔽层，形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边，以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧；其中还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。本发明的磁阻传感器具有较窄的读间隙，从而增强分辨能力并提高读性能；同时，其具有强的纵向偏压磁场，从而保持自身稳定性，增加总的感应面积，进而提高传感器的可靠性。
文档编号G11B5/48GK102456356SQ20101053942
公开日2012年5月16日 申请日期2010年10月26日 优先权日2010年10月26日
发明者丁菊仁, 佐藤一树, 倪荣光, 关韵妍, 小柳洋平, 梁卓荣, 梁钊明, 莫肇雯 申请人:Tdk株式会社, 新科实业有限公司