相变存储器的数据写入方法及装置的制作方法

文档序号:6741569阅读:136来源:国知局
专利名称:相变存储器的数据写入方法及装置的制作方法
技术领域
本发明涉及存储器件领域,特别涉及相变存储器的数据写入方法及装置。
背景技术
相变存储器PCM (Phase Change Memory)是以硫系化合物(典型材料为Ge2Sb2Te5, GST)为基础的半导体存储器。PCM按位为单位进行操作,利用硫系化合物在低阻的晶态(SET态)和高阻的非晶态(RESET态)之间的电阻阻值的差来表征和存储二进制数据“I”和“O”。所谓相指的是物质系统中具有相同物理性质的均匀物质部分,它和其它部分之间用一定的分界面隔离开来。例如,在由水和冰组成的系统中,冰是一个相,水是另一个相。冰变为水过程即为一个相变过程。
PCM因为其存取速度快、非易失性、工艺简单和高容量被视为闪存和DRAM(动态随机存储器)的接班者。
同时,PCM也存在一定的不足,那就是在写入PCM数据时的能量损耗比较大。因此,减小写入PCM数据时的能量损耗成为当下的研究热门。发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供相变存储器的数据写入方法及装置,来减小PCM写入数据时的能量损耗。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
—种相变存储器的数据写入方法,包括:
将将要写入相变存储器的目标地址中的一组数据作为源数据,采用多种不同的预处理方式对所述源数据进行预处理,获得多组备选数据,其中,每一组备选数据的位数与所述源数据的位数N相等,所述N为自然数;
计算所述每一组备选数据存储至所述目标地址的能量损耗值,得到多个能量损耗值;
令所述目标地址存储所述多个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据。
优选的,在所述多种不同的预处理方式中,其中一种预处理方式为不进行任何处理,其他预处理方式包括按位取反、与给定数据按位异或、与给定数据按位同或和循环移位方式中的任意一种或任意组合。
优选的,所述计算所述每一组备选数据存储至所述目标地址的能量损耗值,得到多个能量损耗值的过程包括:
针对任一备选数据,将备选数据在第i位上的取值与所述目标地址当前存储数据在第i位上的取值进行比较,得到取值相同或取值不同的比较结果,所述i为自然数,取值介于I至N之间,并且包括I和N ;
将所述比较结果中取值不同的比较结果所对应的位作为目标位,确定出X个目标位,所述X为自然数,取值介于I至N之间,并且包括I和N ;
计算将所述备选数据在所有目标位上的取值写入所述目标地址相应位置的能量损耗值。
优选的,所述将备选数据在第i位上的取值与所述目标地址当前存储数据在第i位上的取值进行比较的过程包括:
将所述目标地址当前存储数据和所述备选数据按位异或得到异或结果,在第i位上的异或结果作为第i位的比较结果。
优选的,任一备选数据在每一目标位上的取值为O或1,所述计算将所述备选数据在所有目标位上的取值写入所述目标地址相应位置的能量损耗值的过程包括:
设置写入O的能量损耗值和写入I的能量损耗值的比例系数为a:b;
统计在所述X个目标位中取值为O的目标位的个数,记为numO ;
统计在所述X个目标位中取值为I的目标位的个数,记为numl ;
根据公式a*nUmO+b*nUml计算出将备选数据在每一目标位上的取值写入所述目标地址相应位置的能量损耗值。
优选的,所述方法还包括:
保存取值最小的能量损耗值所对应的备选数据的还原方式,以便在读取时,根据保存的还原方式将存储在所述目标地址中的、取值最小的能量损耗值所对应的备选数据还原成所述源数据。
一种相变存储器的数据写入装置,包括:数据预处理模块、数据计算模块和数据存储丰吴块;
数据预处理模块用于,将将要写入相变存储器的目标地址中的一组数据作为源数据,采用多种不同的预处理方式对所述源数据进行预处理,获得多组备选数据,其中,每一组备选数据的位数与所述源数据的位数N相等,所述N为自然数;
数据计算模块用于,计算所述每一组备选数据存储至所述目标地址的能量损耗值,得到多个能量损耗值;
数据存储模块用于,令所述目标地址存储所述多个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据。
优选的,所述数据计算模块包括数据比较单元、目标位生成单元和计算单元;
所述数据比较单元用于,针对任一备选数据,将备选数据在第i位上的取值与所述目标地址当前存储数据在第i位上的取值进行比较,得到取值相同或取值不同的比较结果,所述i为自然数,取值介于I至N之间,并且包括I和N ;
目标位生成单元用于,将所述比较结果中取值不同的比较结果所对应的位作为目标位,确定出X个目标位,所述X为自然数,取值介于I至N之间,并且包括I和N ;
所述计算单元用于,计算将所述备选数据在所有目标位上的取值写入所述目标地址相应位置的能量损耗值。
优选的,任一备选数据在每一目标位上的取值为O或1,所述计算单元包括设置子单元、第一统计子单元、第二统计子单元和能量损耗值计算子单元;
所述设置子单元用于,设置写入O的能量损耗值和写入I的能量损耗值的比例系数为a:b;
所述第一统计子单元用于,统计在所述X个目标位中取值为O的目标位的个数,并记为numO ;
所述第二统计子单元用于,统计在所述X个目标位中取值为I的目标位的个数,并记为numl ;
所述能量损耗值计算子单元用于,根据公式atumO+l/numl计算出将备选数据在每一目标位上的取值写入所述目标地址相应位置的能量损耗值。
优选的,所述装置还包括还原模块,所述还原模块用于保存最小的能量损耗值所对应的备选数据的还原方式,以便在读取时,根据保存的还原方式将存储在所述目标地址中的、取值最小的能量损耗值所对应的备选数据还原成所述源数据。
从上述的技术方案可以看出,在本发明实施例中,通过将将要写入PCM的目标地址中的一组数据作为源数据,对源数据进行多种预处理,得到多组备选数据,分别计算多组备选数据存储至目标地址的能量损耗值,得到多个能量损耗值。最后令目标地址存储多个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据,从而减小了 PCM写入数据时的能量损耗。


为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的相变存储器的数据写入方法流程图2是本发明实施例提供的相变存储器的数据写入方法的又一流程图3是本发明实施例提供的相变存储器的数据写入装置结构图4是本发明实施例提供的相变存储器的数据写入装置的又一结构图5是本发明实施例提供的相变存储器的数据写入装置的另一结构图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明公开了一种相变存储器PCM (Phase Change Memory)的数据写入方法,如图1所示,该方法至少包括以下步骤:
S1:将将要写入PCM的目标地址中的一组数据作为源数据,采用多种不同的预处理方式对源数据进行预处理,获得多组备选数据,其中,每一组备选数据的位数与源数据的位数N相等,其中N为自然数;
更具体的,可将源数据记作writedata[N],可将多种不同的预处理方式记作M+1种不同的预处理方式。针对对writedata[N]进行M+1种预处理而得到的M+1组备选数据,可为这M+1组备选数据分配M+1个寄存器,这样,后续可对M+1组备选数据进行并行处理,从而提高了处理速度。
在上述M+1种预处理方式中,其中的“I”表示为不对writedata[N]进行任何处理,其他的“M”种预处理方式可包括按位取反、与给定数据按位异或、与给定数据按位同或和循环移位方式等中的任意一种或任意组合。
例如,当M=I时,对writedata[N]进行两种预处理,一种为不对writedata[N]进行任何处理,也即,令writedata[N]直接作为备选数据。另一预处理方式可为按位取反、与给定数据按位异或、与给定数据按位同或和循环移位方式。
当然,也可将按位取反、与给定数据按位异或、与给定数据按位同或和循环移位方式任意组合得到的处理方式,作为上述另一预处理方式。比如,对writedata[N]按位取反得到writedatalXT1(上标-1表示按位取反),再将writedataliNr1与给定数据按位异或得到writedata[N]_lx°K (上标XOR表示按位异或),将writedata[N]_lx°K作为备选数据。
当M=2时,除令writedata[N]直接作为备选数据外,对writedata[N]进行另两种预处理一预处理A和预处理B,预处理A可为按位取反、与给定数据按位异或、与给定数据按位同或和循环移位方式等中的任意一种,或者,也可为由按位取反、与给定数据按位异或、与给定数据按位同或和循环移位方式进行任意组合所得到的预处理方式;而预处理B同样可为按位取反、与给定数据按位异或、与给定数据按位同或和循环移位方式等中的任意一种,或者,也可为由按位取反、与给定数据按位异或、与给定数据按位同或和循环移位方式进行任意组合所得到的预处理方式。只要保证预处理A不同于预处理B即可。
以此类推,可衍生出很多种预处理方式,只要保证各预处理方式彼此不相同即可。
S2:计算每一组备选数据存储至目标地址的能量损耗值,得到多个能量损耗值;
S3:令目标地址存储多个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据。
由上可见,在本发明实施例中,通过将将要写入PCM的目标地址中的一组数据作为源数据,对源数据进行多种预处理,得到多组备选数据,分别计算多组备选数据存储至目标地址的能量损耗值,得到多个能量损耗值。最后令目标地址存储多个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据,从而减小了 PCM写入数据时的能量损耗。
在本发明其它实施例中,上述所有实施例中步骤S2具体可有多种实现方式。其中一种实现方式可为:针对第j组备选数据(j为自然数,取值介于I至M+1之间,并且包括I和M+1),计算其能量损耗值具体为:
设置写入O的能量损耗值和写入I的能量损耗值的比例系数为a:b;
统计第j组备选数据中取值为O的个数,记为n0;
统计第j组备选数据中取值为I的个数,记为nl;
根据公Sa*n0+b*nl计算出将第j组备选数据中的N位数据全部写入目标地址的能量损耗值。
与之相对应,步骤S3可细化为:将能量损耗值最小的备选数据的N位数据全部写入目标地址中。
上述步骤S2的另一实现方式可为:
—、预先从目标地址中读出当前存储数据readdata[N];
二、计算每一组备选数据写入目标地址的能量损耗值;
针对第j组备选数据(j为自然数,取值介于I至M+1之间,并且包括I和M+1),其写入目标地址的能量损耗值可通过下述步骤计算(将j从I至
M+1依次取值,即可得到M+1个能量损耗值):
步骤A,将第j组备选数据在第i位上的取值与所述目标地址当前存储数据在第i位上的取值进行比较,得到取值相同或取值不同的比较结果,i为自然数,取值介于I至N之间,并且包括I和N ;
具体的,可将第j组备选数据记作Wj [N],可将第j组备选数据的第i位记作Wj [i],可将第j组备选数据在第i位上的取值Wj[i]与目标地址当前存储数据在第i位上的取值readdata[i]是否相同的比较结果记作Bj [i]。
将readdata[N]中在第i位取值readdata[i]与Wj[i]相比较,得到第j组备选数据与readdata [N]在第i位上的取值是否相同的比较结果B ji] (i为自然数,取值介于I至N之间),并且Bj[i]的取值可为c或d, c与d的取值不相同,当取值为c时表示readdata[i]与W」[i]取值相同,当取值为d时表示readdata[i]与Wj[i]取值不相同。
在本发明其它实施例中,上述步骤A可进一步细化为:
将目标地址当前存储数据和备选数据按位异或得到异或结果,在第i位上的异或结果作为第i位的比较结果;具体的,将readdata[N]和第j组备选数据进行按位异或,也SP,将readdata[i]与Wji]进行异或运算,得到异或结果(每一位均对应一个异或结果),将第i位上的异或结果作为上述比较 结果Bji],此时,上述c具体取值为O而上述d具体取值为I (O代表第j组备选数据在第i位的取值与目标地址当前存储数据在第i位的取值相同,I代表第j组备选数据在第i位的取值与目标地址当前存储数据在第i位的取值不相同)。
举例来讲,假设N = 8, readdata[N]各位具体取值分别为:11110000,而第I组备选数据各位具体取值分别为:01000111。则进行按位异或所得的异或结果也即比较结果为:10110111,也即 B1Ll] = 1,B1 [2] = 0,B1 [3] = 1,B1 [4] = 1,B1 [5] = 0,B1 [6] = 1,B1 [7]=1,B1M = I。
此外,也可将readdata[N]和第I组备选数据进行按位同或,将第i位上的同或结果作为上述比较结果B」[i],此时,上述c具体取值为I而上述d具体取值为O (I代表第j组备选数据在第i位的取值与目标地址当前存储数据在第i位的取值相同,O代表第j组备选数据在第i位的取值与目标地址当前存储数据在第i位的取值不相同)。
步骤B,将比较结果中取值不同的比较结果所对应的位作为目标位,确定出X个目标位,X为自然数,取值介于I至N之间,并且包括I和N ;
具体的,将B』l]至BjN]中每一取值为d的比较结果所对应的位作为目标位,确定出X个目标位(X为自然数,取值介于I至N之间);
沿用前述所举例子,根据比较结果10110111,可确定出B1 [I] 'B1 [3] 'B1 [4] 'B1 [6]、B1 [7], B1 [8]所对应的6位为目标位,此时X = 6。
步骤C,计算将第j组备选数据在所有目标位上的取值写入目标地址相应位置的能量损耗值。
更具体的,因为源数据的每一位取值为O或1,而预处理都为二进制变换,所以由预处理得到的任一备选数据在每一目标位上的取值为O或1,参见图2,上述步骤C具体可包括如下步骤:
S201:设置写入O的能量损耗值和写入I的能量损耗值的比例系数为a:b;
具体的,a: b的值由PCM的具体参数决定,可以从PCM供应商和学术文献中得到。例如:A Low Power Phase Change Random Access Memory Using a Data-Comparison WriteScheme中写入0的能量损耗值为12nJ/bit,写入I的能量损耗值为为64nJ/bit,因此a:b可以近似为1:5。
S202:统计在X个目标位中取值为O的目标位的个数,记为numO ;
S203:统计在X个目标位中取值为I的目标位的个数,记为numl ;
S204:根据公式a*nUmO+b*nUml计算出将第j组备选数据在所有目标位上的取值写入目标地址相应位置的能量损耗值。
仍沿用前述所举例子,前已述及,B1 [I] 'B1 [3] 'B1 [4] 'B1 [6] 'B1 [7] 'B1 [8]所对应的6位为目标位。则在步骤S202中,将统计第I鉬各诜数据01000111在第1、3、4、6、7、8 (1、3、4、6、7、8为6个目标位)位上取值为I的个数。则可知,取值为I的个数为3。同理,在步骤S203中,可统计出01000111在第1、3、4、6、7、8位上取值为O的个数为3。然后,根据公式a*nUm0+b*nUml可计算出第I组备选数据在所有目标位上的取值写入目标地址相应位置的能量损耗值为3a+3b。
与之相应,步骤S3可细化为:确定M+1个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据,同时将确定出的备选数据的X个目标位上的取值写入目标地址的相应位。
仍沿用前述所举例子,如最后确定第I组备选数据对应的能量损耗值最小,则利用第I组在第1、3、4、6、7、8位上的取值替换readdata[N]在第1、3、4、6、7、8位上的取值,也即,将readdata[l]替换为0,将readdata[3]替换为0,将readdata[4]替换为0,将readdata[6]替换为 1,将 readdata[7]替换为 1,将 readdata[8]替换为 I。
替换完成后,目标地址中存储的即为M+1个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据。
在本发明其它实施例中,上述所有实施例的方法还可包括:
保存取值最小的能量损耗值所对应的备选数据的还原方式,以便在读取时,根据保存的还原方式将存储在目标地址中的数据还原成源数据writedata[N]。
每一种预处理方式都对应一种反预处理方式,例如,假设,采用第I种预处理方式将源数据11011100处理成10001110,而根据第I种预处理方式对应的反预处理方式,可将10001110 再还原成 11011100。
有鉴于此,上述保存取值最小的能量损耗值所对应的备选数据的还原方式可以包括:
为M+1种预处理方式进行编号;
记录能量损耗值最小的备选数据所对应预处理方式的编号。
相应的,“根据保存的还原方式将存储在目标地址中的数据还原成源数据”可具体包括:
在读取存储数据时,根据所记录的编号对写入目标地址中的数据进行反预处理,将其还原为源数据writedata[N]。
当然,也可为M+1种反预处理方式进行编号,并记录能量损耗值最小的备选数据所对应反预处理方式的编号。而在读取存储数据时,根据所记录的编号对写入目标地址中的数据进行反预处理,将其还原为源数据writedata[N]。
与上述方法相对应,本发明实施例还公开了相变存储器的数据写入装置,参见图3,其可包括数据预处理模块31、数据计算模块32和数据存储模块33,其中:
数据预处理模块31用于,将将要写入相变存储器的目标地址中的一组数据作为源数据,采用多种不同的预处理方式对源数据进行预处理,获得多组备选数据,其中,每一组备选数据的位数与源数据的位数N相等,N为自然数;
数据计算模块32用于,计算每一组备选数据存储至目标地址的能量损耗值,得到多个能量损耗值;
具体的,如图4所示,数据计算模块32可包括数据比较单元321、目标位生成单元322和计算单元323 ;
数据比较单元321用于,针对任一备选数据,将备选数据在第i位上的取值与目标地址当前存储数据在第i位上的取值进行比较,得到取值相同或取值不同的比较结果,其中i为自然数,取值介于I至N之间,并且包括I和N ;
目标位生成单元322用于,将比较结果中取值不同的比较结果所对应的位作为目标位,确定出X个目标位,其中X为自然数,取值介于I至N之间,并且包括I和N ;
计算单元323用于,计算将备选数据在所有目标位上的取值写入目标地址相应位置的能量损耗值。
更具体的,任一备选数据在每一目标位上的取值为O或I。如图5所示,计算单元可包括设置子单元3231、第一统计子单元3232、第二统计子单元3233和计算能量损耗值子单元3234 ;
其中,设置子单元3231用于,设置写入O的能量损耗值和写入I的能量损耗值的比例系数为a:b;
第一统计子单元3232用于,统计在X个目标位中取值为O的目标位的个数,并记为 numO ;
第二统计子单元3233用于,统计在X个目标位中取值为I的目标位的个数,并记为 numl ;
计算能量损耗值子单元3234用于,根据公式a*numO+b*numl计算出将备选数据在每一目标位上的取值写入目标地址相应位置的能量损耗值。
数据存储模块33用于,令目标地址存储多个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据。
数据预处理模块31、数据计算模块32和数据存储模块33的各细化功能可参见上述方法的相关记载,在此不作赘述。
在本发明其它实施例中,仍参见图3,上述所有实施例中的装置还可包括还原模块34,还原模块34用于保存最小的能量损耗值所对应的备选数据的还原方式,以便在读取时,根据保存的还原方式将存储在目标地址中的、取值最小的能量损耗值所对应的备选数据还原成源数据。还原模块34的各细化功能可参见上述方法的相关记载,在此不作赘述。
需要说明的是,上述数据预处理模块31、数据计算模块32和还原模块34的功能可以由PCM内的硬件电路实现。而数据存储模块33的功能由PCM内的存储单元实现。
由上可见,在本发明实施例中,数据预处理模块31用于,将将要写入PCM的目标地址中的一组数据作为源数据,对源数据进行多种预处理,得到多组备选数据;数据计算单元32用于,分别计算多组备选数据存储至目标地址的能量损耗值,得到多个能量损耗值。最后数据存储模块33用于,令目标地址存储多个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据,从而减小了 PCM写入数据时的能量损耗。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
权利要求
1.一种相变存储器的数据写入方法,其特征在于,包括: 将将要写入相变存储器的目标地址中的一组数据作为源数据,采用多种不同的预处理方式对所述源数据进行预处理,获得多组备选数据,其中,每一组备选数据的位数与所述源数据的位数N相等,所述N为自然数; 计算所述每一组备选数据存储至所述目标地址的能量损耗值,得到多个能量损耗值; 令所述目标地址存储所述多个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述多种不同的预处理方式中,其中一种预处理方式为不进行任何处理,其他预处理方式包括按位取反、与给定数据按位异或、与给定数据按位同或和循环移位方式中的任意一种或任意组合。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述计算所述每一组备选数据存储至所述目标地址的能量损耗值,得到多个能量损耗值的过程包括: 针对任一备选数据,将备选数据在第i位上的取值与所述目标地址当前存储数据在第i位上的取值进行比较,得到取值相同或取值不同的比较结果,所述i为自然数,取值介于I至N之间,并且包括I和N; 将所述比较结果中取值不同的比较结果所对应的位作为目标位,确定出X个目标位,所述X为自然数,取值介于I至N之间,并且包括I和N ; 计算将所述备选数据在所有目标位上的取值写入所述目标地址相应位置的能量损耗值。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述将备选数据在第i位上的取值与所述目标地址当前存储数据在第i位上的取值进行比较的过程包括: 将所述目标地址当前存储数据和所述备选数据按位异或得到异或结果,在第i位上的异或结果作为第i位的比较结果。
5.根据权利要求3或4所述的方法,其特征在于,任一备选数据在每一目标位上的取值为O或1,所述计算将所述备选数据在所有目标位上的取值写入所述目标地址相应位置的能量损耗值的过程包括: 设置写入O的能量损耗值和写入I的能量损耗值的比例系数为a:b; 统计在所述X个目标位中取值为O的目标位的个数,记为numO ; 统计在所述X个目标位中取值为I的目标位的个数,记为numl ; 根据公式a*num0+b*numl计算出将备选数据在每一目标位上的取值写入所述目标地址相应位置的能量损耗值。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括: 保存取值最小的能量损耗值所对应的备选数据的还原方式,以便在读取时,根据保存的还原方式将存储在所述目标地址中的、取值最小的能量损耗值所对应的备选数据还原成所述源数据。
7.—种相变存储器的数据写入装置,其特征在于,包括:数据预处理模块、数据计算模块和数据存储模块; 数据预处理模块用于,将将要写入相变存储器的目标地址中的一组数据作为源数据,采用多种不同的预处理方式对所述源数据进行预处理,获得多组备选数据,其中,每一组备选数据的位数与所述源数据的位数N相等,所述N为自然数; 数据计算模块用于,计算所述每一组备选数据存储至所述目标地址的能量损耗值,得到多个能量损耗值; 数据存储模块用于,令所述目标地址存储所述多个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述数据计算模块包括数据比较单元、目标位生成单元和计算单元; 所述数据比较单元用于,针对任一备选数据,将备选数据在第i位上的取值与所述目标地址当前存储数据在第i位上的取值进行比较,得到取值相同或取值不同的比较结果,所述i为自然数,取值介于I至N之间,并且包括I和N ; 目标位生成单元用于,将所述比较结果中取值不同的比较结果所对应的位作为目标位,确定出X个目标位,所述X为自然数,取值介于I至N之间,并且包括I和N ; 所述计算单元用于,计算将所述备选数据在所有目标位上的取值写入所述目标地址相应位置的能量损耗值。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,任一备选数据在每一目标位上的取值为O或1,所述计算单元包括设置子单元、第一统计子单元、第二统计子单元和能量损耗值计算子单元; 所述设置子单元用于,设置写入O的能量损耗值和写入I的能量损耗值的比例系数为a:b; 所述第一统计子单元用于,统计在所述X个目标位中取值为O的目标位的个数,并记为numO ; 所述第二统计子单元用于,统计在所述X个目标位中取值为I的目标位的个数,并记为numl ; 所述能量损耗值计算子单元用于,根据公式aYumO+l/numl计算出将备选数据在每一目标位上的取值写入所述目标地址相应位置的能量损耗值。
10.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括还原模块,所述还原模块用于保存最小的能量损耗值所对应的备选数据的还原方式,以便在读取时,根据保存的还原方式将存储在所述目标地址中的、 取值最小的能量损耗值所对应的备选数据还原成所述源数据。
全文摘要
本发明公开了一种相变存储器的数据写入方法及装置,包括将将要写入相变存储器的目标地址中的一组数据作为源数据,采用多种不同的预处理方式对源数据进行预处理,获得多组备选数据,其中,每一组备选数据的位数与源数据的位数N相等,N为自然数;计算每一组备选数据存储至目标地址的能量损耗值,得到多个能量损耗值;令目标地址存储多个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据,采用上述方法,可以减小相变存储器写入数据时的能量损耗。
文档编号G11C11/56GK103151072SQ20131010540
公开日2013年6月12日 申请日期2013年3月28日 优先权日2013年3月28日
发明者孙健, 陈岚, 郝晓冉 申请人:中国科学院微电子研究所
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