一种激光头保护电路的制作方法

文档序号:6765853阅读:2121来源:国知局
一种激光头保护电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种激光头保护电路。所述电路包括激光头电流取样单元及执行单元。所述执行单元包括一MOS管及一三极管,所述MOS管漏极连接激光头工作电源输入端,源极连接电源,栅极通过限流电阻连接所述三极管集电极;所述三极管发射极接地,集电极通过限流电阻连接电源,基极通过限流电阻连接激光头内部控制芯片。所述取样单元包括串联接地的第一电阻及第二电阻,串联后另一端接激光头内发光二极管供电三极管电源输入端,第一电阻及第二电阻串联节点连接控制芯片。本实用新型电路简单,易实施推广,加入激光头电路中加入保护电路可有效保护激光头工作。
【专利说明】一种激光头保护电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及DVD/CD内部激光头电路保护方案。
【背景技术】
[0002]现有的DVD/CD的电子产品返修投诉率非常高,一般使用一段时间后就不能读碟,大多数不能读碟机的机器经过更换机芯(机芯内部包含激光头)后就可以正常工作读碟了。分析其原因大多数是因为机器在高温情况下长时间工作导致激光头二极管被烧坏。如图1为读碟激光头工作控制电路,当V(B)上后电解码IC Ul开始工作,Ul的P2脚控制三极管Q3导通,电流通过电感给激光头二极管供电发光,开始读碟。如果此机芯(机芯内部包含激光头)在高温环境下持续工作,激光头二极管的发光会慢慢减弱,光减弱激光头(Pick-UP)内部就会发出发光减弱的信号,当Ul解码IC的Pl脚接受到此光减弱信号,就会马上通过P2脚来调整加大三极管Q3的基极电流进而控制三极管Q3的饱和导通,增加集电极的电流,也就是增加激光头二极管D2的工作电流来增强发光的强度才可以读碟,但二极管D2的工作电流是有限的,如果高温下通过二极管D2电流继续增加,二极管D2就会被烧坏,后果就会导致无法读碟的情况。

【发明内容】

[0003]为解决上述问题,本实用新型提供一种激光头保护电路。
[0004]本实用新型所采取的技术方案是:一种激光头保护电路,包括激光头电流取样单元及执行单元。所述执行单元包括一 MOS管及一三极管,其中所述MOS管漏极连接激光头工作电源输入端,源极连接电源V(A),栅极通过限流电阻连接所述三极管集电极;所述三极管发射极接地,集电极通过限流电阻连接电源V(A),基极通过限流电阻连接激光头内部控制芯片U1,受控于该控制芯片U1。所述取样单元包括串联接地的第一电阻及第二电阻,串联后另一端接激光头内发光二极管供电三极管电源输入端,第一电阻及第二电阻串联节点连接控制芯片Ul,输入取样信号。
[0005]优选的,所述保护电路还包括与所述MOS管源极连接的滤波电容Cl。
[0006]本实用新型的有益效果在于:通过在激光头电路中加入保护电路可有效保护激光头工作,提高激光头使用寿命,保证产品质量;所述保护电路简单,易实施推广。
【专利附图】

【附图说明】
[0007]图1是现有激光头电路原理图;
[0008]图2是本实用新型实施例电路原理图。
【具体实施方式】
[0009]为方便本领域的技术人员了解本实用新型的技术内容,下面结合附图及实施例对本实用新型做进一步的详细说明。[0010]如图2所示,本实施例所述保护电路是在原激光头电路前端加入一个用于采样激光头二极管工作电流的取样单元及一个用于控制激光头供电端是否供电的执行单元。其中,执行单元包括MOS管Q2及三极管Ql,MOS管Q2漏极连接激光头工作电源输入端V (B),源极连接另一电源V(A),栅极通过限流电阻R3连接三极管Ql集电极;所述三极管Ql发射极接地,集电极通过限流电阻R2连接电源V(A),基极通过限流电阻Rl连接激光头内部控制芯片Ul的P4管脚,受控于该控制芯片U1。所述取样单元包括串联接地的电阻R6及电阻R5,串联后另一端接激光头内发光二极管D2的供电三极管Q3的电源输入端V(C)即Q3的发射极,电阻R6及电阻R5的串联节点连接控制芯片Ul的P3管脚,输入取样信号。电阻R5、R6的选值都是几十K ohm。所述MOS管源极连接的滤波电容Cl。
[0011]当激光头(Pick-up)内的二极管D2在高温下工作所耗的电流过大时,V(C)处的电压会降低,通过二极管D2的最大电流可以用I (D2) = [V (B) -V (C) ] /R4来表示,其中R4用几欧姆级别表示,V(B)值保持不变,当V (C)的电压降低到二极管D2所能承受的最大电流值时,电阻R5、R6可防止V(C)端漏电,发光二极管D2的供电三极管Q3的电源输入端V (C)端下的分压V(D)即电阻R5、R6的串联节点作为控制芯片Ul的电压侦测端连接Ul的P3脚,当V(D)的电压低到Ul P3脚的设定值,那么Ul的P4脚就会发出高电平指令,该信号通过电阻Rl使三极管Ql的基极为高电平,则Ql导通,Ql的集电极变为低电平,进而通过电阻R3把MOS管Q2的栅极拉低,MOS管Q2截止,此时V(B)、V(C)都变为0V。则二极管D2的电流I (D2) = [V⑶-V (C) ] /R4也为0mA,实现保护。当激光头(Pick-up)的内部温度、电流都降下来且稳定后,激光头(Pick-up)会发信号给给控制芯片U1,则V(A)、V(B)重新开始工作供电,激光头(Pick-up)再次读取碟片。通过本实用新型所述保护电路,整个机芯或者整个激光头(Pick-up)会受到绝对的保护。
[0012]上述实施例仅为本实用新型较优的实现方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些显而易见的替换形式均属于本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种激光头保护电路,其特征在于:包括激光头电流取样单元及执行单元; 所述执行单元包括一 MOS管及一三极管,其中所述MOS管漏极连接激光头工作电源输入端,源极连接电源V(A),栅极通过限流电阻连接所述三极管集电极;所述三极管发射极接地,集电极通过限流电阻连接电源V(A),基极通过限流电阻连接激光头内部控制芯片Ul,受控于该控制芯片Ul ; 所述取样单元包括串联接地的第一电阻及第二电阻,串联后另一端接激光头内发光二极管供电三极管电源输入端,第一电阻及第二电阻串联节点连接控制芯片U1,输入取样信号。
2.根据权利要求1所述的激光头保护电路,其特征在于:还包括与所述MOS管源极连接的滤波电容Cl。
【文档编号】G11B7/121GK203376965SQ201320517714
【公开日】2014年1月1日 申请日期:2013年8月23日 优先权日:2013年8月23日
【发明者】伍良浩 申请人:惠州市德赛西威汽车电子有限公司
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