电流垂直平面式磁阻读取传感器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及电流垂直平面式磁阻读取传感器，其中堆叠层沿堆叠方向延伸；平行于堆叠方向的堆叠的边缘表面还平行于读取传感器的支承面并形成其至少一部分，支承面设计成在操作中面向记录介质，堆叠层包括：第一触点层；铁磁性的自由层，其在第一触点层的上方；在铁磁性层上方的非磁性层；铁磁性的自旋注入层，在非磁性层上方；以及在自旋注入层上方的第二触点层，使得电流能够在第二触点层和第一触点层之间沿电流垂直于平面的方向、平行于堆叠方向流动，堆叠层还包括一系列结构，每个结构在第一触点层和自由层两者中形成，每个结构的边缘表面与堆叠的边缘表面齐平；该系列结构沿平行于支承面且垂直于堆叠方向的方向延伸。还涉及读取传感器的制造方法。
【专利说明】电流垂直平面式磁阻读取传感器
【技术领域】
[0001]本发明一般地涉及磁阻读取传感器领域及其制造方法。
【背景技术】
[0002]磁阻读取传感器是已知的。图1示出了现有技术的电流垂直平面式(或CPP)磁阻读取传感器I’的简化表示的2D横截面视图。该传感器I’包括堆叠层11-15，其沿着堆叠方向z延伸。堆叠的边缘表面S(平行于堆叠方向z)还平行于该读取传感器的支承面S并形成其至少一部分。支承面设计成在操作中面向记录介质。更详细地，该堆叠层包括:
[0003]-第一触点层15;
[0004]-铁磁性的自由层14，如已知的，自由层14的磁性取向根据所施加的磁场而变化。该自由层在第一触点层15的上方；
[0005]-非磁性层13，在铁磁性层的上方；
[0006]-铁磁性的自旋注入层12，在非磁性层的上方；以及
[0007]-在自旋注入层的上方的第二触点层11，使得电流能够在第二触点层11和第一触点层15之间沿着电流垂直于平面的方向，即平行于堆叠方向z流动。
[0008]为了启用诸如相邻轨道记录和/或电子伺服的应用，非常期望减少诸如在图1中所绘的例如在多通道带式驱动器中相邻读取器之间的间距。迄今为止，由于制造的挑战性，相邻读取转换器之间可实现的最小间距是有限的。
[0009]因此，存在对克服这些制造挑战的磁阻读取传感器的新设计和制造方法的需求。
【发明内容】
[0010]根据第一方面，本发明体现为包括堆叠层的电流垂直平面式(或CPP)磁阻读取传感器，其中:
[0011]所述堆叠层沿着堆叠的堆叠方向延伸；以及
[0012]平行于堆叠方向的堆叠的边缘表面还平行于读取传感器的支承面并形成其至少一部分，该支承面设计成在操作中面向记录介质，
[0013]并且其中所述堆叠层包括:
[0014]第一触点层；
[0015]铁磁性的自由层，其磁性取向根据所施加的磁场变化，该自由层在第一触点层的上方；
[0016]在铁磁性层的上方的非磁性层；
[0017]铁磁性的自旋注入层，在非磁性层的上方；以及
[0018]在自旋注入层的上方的第二触点层，使得电流能够在第二触点层和第一触点层之间沿着电流垂直于平面的方向、平行于堆叠方向流动，
[0019]并且其中该堆叠层还包括一系列结构，其中:
[0020]该系列结构中的每一个都在第一触点层和自由层两者中形成，该结构中每一个的边缘表面都与堆叠的所述边缘表面齐平；并且该系列结构沿着平行于支承面且垂直于堆叠方向的方向延伸。
[0021]在实施例中，自由层和第一触点层的结构通过沟槽限定，每一个都具有主延伸方向，该主延伸方向:垂直于堆叠方向；并且横向于支承面，优选地垂直于支承面。
[0022]优选地，沟槽穿过第一触点层和自由层两者至少到非磁性层来形成，由此该结构中每一个都包括触点层的一部分和自由层的一部分。
[0023]在优选的实施例中，沟槽的深度延伸穿过第一触点层和自由层两者，至少部分地进入非磁性层。
[0024]在实施例中，传感器是CPP隧道磁致电阻读取传感器，以及非磁性层是电绝缘的隧道势垒层。
[0025]在其它实施例中，传感器是CPP巨磁致电阻读取传感器，以及非磁性层是导电的。
[0026]在实施例中，读取传感器是带式读取传感器，支承面是带式支承面。
[0027]在其它实施例中，读取传感器是硬盘驱动器读取传感器，支承面是气垫面(airbearing surface)。
[0028]优选地，读取传感器还包括与所述堆叠的各层相邻或平行的附加层，包括至少两个屏蔽层，屏蔽层中的至少一个在所述堆叠层的每一侧上并且与其平行。
[0029]在实施例中，所述堆叠层是第一堆叠层，读取传感器还包括:第二堆叠层，具有类似于第一堆叠层结构的结构；以及至少三个屏蔽层，其中，第一堆叠层和第二堆叠层是叠加的，第一堆叠的结构相对于第二堆叠的结构沿着平行于支承面且垂直于堆叠方向的所述方向偏移，屏蔽层中的至少一个在第一堆叠和第二堆叠中每一个的每一侧上并且与其平行。
[0030]优选地，读取传感器在第一堆叠和第二堆叠之间只包括一个屏蔽层。
[0031]在优选的实施例中，读取传感器包括数个堆叠层，每一个都如所述堆叠层那样构造，所述数个堆叠布置成堆叠层的线性阵列或优选地，布置成堆叠层的两个叠加的线性阵列，线性阵列中第一个的结构相对于这两个阵列中第二个的结构沿着平行于支承面且垂直于堆叠方向的所述方向偏移。
[0032]根据另一个方面，本发明体现为一种制造根据以上实施例中任何一种的读取传感器的方法，该方法包括:
[0033]提供堆叠层，其中:
[0034]所述堆叠层沿着堆叠的堆叠方向延伸；以及
[0035]平行于堆叠方向的堆叠的边缘表面还平行于该读取传感器的支承面并形成其至少一部分，该支承面设计成在操作中面向记录介质，
[0036]并且其中所述堆叠层包括:
[0037]第一触点层；
[0038]铁磁性的自由层，其磁性取向根据所施加的磁场变化，该自由层在第一触点层的上方；
[0039]在铁磁性层的上方的非磁性层；
[0040]铁磁性的自旋注入层，在非磁性层的上方；以及
[0041]在自旋注入层的上方的第二触点层，使得电流能够在第二触点层和第一触点层之间沿着电流垂直于平面的方向、平行于堆叠方向流动；以及
[0042]形成沿着平行于支承面且垂直于堆叠方向的方向延伸的一系列结构，其中所述结构中的每一个都至少在第一触点层和自由层中形成，使得所述结构中每一个的边缘表面都与堆叠的所述边缘表面齐平。
[0043]在实施例中，形成该结构包括形成沟槽，每一个沟槽都具有垂直于支承面和堆叠方向两者的主延伸方向，其中沟槽优选地穿过第一触点层和自由层两者来形成，沟槽的深度至少延伸到非磁性层，该结构中的每一个都包括触点层的一部分和自由层的一部分。优选地，沟槽被形成为具有至少部分延伸到非磁性层中的深度。
[0044]现在将利用非限定性的例子并参考附图，描述具体化本发明的设备、装置和方法。附图中所描绘的技术特征不一定是按比例的。
【专利附图】
【附图说明】
[0045]图1是现有技术的电流垂直平面式(或CPP)磁阻读取传感器的简化表示的2D横截面视图；
[0046]图2是根据实施例的CPP磁阻读取传感器设备的简化表示的2D横截面视图；
[0047]图3是如实施例中所涉及的、图2设备的自旋注入层的简化表示的2D横截面视图；
[0048]图4是根据实施例的图2设备的简化表示的3D视图；
[0049]图5是根据实施例的诸如在图4中绘出的设备的更完整表示的3D视图；
[0050]图6和7每一个都是根据实施例的设备的简化表示的3D视图，其中数个结构化的堆叠层布置成线性阵列(图6)或布置成叠加的阵列(图7);以及
[0051]图8、9和10是根据本发明实施例的设备的可能交错配置的2D横截面视图。
【具体实施方式】
[0052]参考图2至10，首先描述了本发明的一个方面，其关于电流垂直平面式(或CPP)磁阻读取传感器I。
[0053]与图1中的设备一样，所建议的传感器I包括堆叠层11 - 15，其沿着堆叠方向z延伸。边缘表面S(平行于堆叠方向Z)还平行于支承面S并形成其至少一部分。支承面S设计成在操作中面向记录介质。如在图1中所示，该堆叠层包括:
[0054]-第一触点层15;
[0055]-铁磁性的自由层14，在第一触点层15的上方；
[0056]-非磁性层13，在铁磁性层的上方；
[0057]-铁磁性的自旋注入层12，在非磁性层的上方；以及
[0058]-在自旋注入层上方的第二触点层11。这里同样，电流能够在第二触点层11和第一触点层15之间沿着电流垂直于平面的方向，即平行于堆叠方向z流动。
[0059]如在【背景技术】中所提到的，由于制造的挑战性，减少诸如图1中的相邻读取器之间的间距仍然困难。为了解决这个问题，建议设计读取传感器，使得堆叠层进一步包括一系列结构30。即，如在图2或4中更好看到的，结构30中每一个都在第一触点层15和自由层14两者中形成。该结构中每一个的边缘表面(即，在图2中所绘出的单个边缘表面)都与堆叠的边缘表面S齐平(与图2的平面重合)。该系列结构沿着方向X延伸，方向X平行于支承面S且垂直于堆叠方向z。
[0060]换句话说，以上解决方案在提供在平面内(该系列结构垂直于堆叠方向z延伸)制造的结构30的同时，使用CPP设计(在“电流垂直于平面”中所指的平面是这些层的平面)，其中堆叠的边缘表面S平行于支承面。由于该结构可以通过机械加工进入堆叠层(例如通过把表面开槽)来形成，因此这种设计就制造工艺而言是非常有利的。用这种配置，就能够利用许多现有的表面微机械加工技术来在平面内形成结构，并进而减小结构之间的间距。
[0061]单个结构在(x，y)平面中的宽度应该优选地在20和100nm之间。该宽度是可以随着每一代新产品缩放的参数。例如，对于带式读取传感器:在2013年，优选的宽度可能是?800nm,两年后它可能是400nm,再后来200,100,等等。对于驱动器读取传感器应用，优选的宽度目前会是在20 - 50nm的范围内。现在考虑结构30的高度:层14的优选高度是在3 - 5nm的范围内，以及对于层15是在2和5nm之间，从而结构30的总高度优选地在5至1nm的范围内。层15的高度没有层14的高度重要，并且实际上可能大于5nm。
[0062]同时，以上解决方案因而是有利的，因为它需要较少的触点:参见例如图2，上部触点层11用作所绘出的5个触点结构30中每一个的公共触点。传感器I原则上可以包括任意数量的结构30，例如，从2到32的范围。还有，该传感器可以包括多个分段的堆叠阵列，如在图6和7中所绘出的。
[0063]如技术人员的读者可以认识到的，由于可以获得精确的在平面内微加工技术，因此无论是在共享硬偏磁结构方面，或是潜在地改善公差方面，本文所述实施例还具有许多的优点。
[0064]在带式读取传感器的情况下，支承面是带式支承面，或者在硬盘驱动器读取传感器的情况下，支承面是气垫面。在所有的情况下，它是磁记录介质支承面。支承面平行于所述边缘表面S并且实际上可能与其重合。仍然，由于可能存在一些附加的涂层以防止磨损、促进带式支承等，因此边缘表面不需要完全地平行于支承面。还有，为了本描述的目的，考虑边缘表面形成支承面的活动部分(堆叠层11-15提供读取传感器的活动功能)。因此，边缘表面和支承面两者在本文中都由相同的标号S表不。
[0065]“一系列结构”指多个接连出现的结构，即沿着方向x(即沿着并平行于支承面)且垂直于堆叠方向z的一系列结构。该结构中的每一个都在第一触点层15和自由层14两者中形成。根据以上说明，每一个结构30包括触点层15的一部分和自由层14的一部分。
[0066]在以上定义中，在(X，y)平面中具有第一层，其在第二层的“上方”，即，在第二层的上面，第二层本身在第三层的“上方”，等等。这定义了一连串的层，这些层是平行的，但由于可能包括中间层，因此这些层不必是紧密相邻的。此外，无论是否出于保护的目的，在(X，z)平面中还可以提供附加的层以覆盖支承面。
[0067]用于所涉及的各种层的适当的厚度通常如下:
[0068]-层11、15:?5nm ；
[0069]-层12:?1nm ；
[0070]-层13:1 - 3nm ;以及
[0071]-层14:3.5 - 5nm ；
[0072]如在图3中所说明的，自旋注入层12通常分解成数个子层。用于HDD读取头的自旋注入层TMR可以例如包括(利用常用的表示法):
[0073]-层121:固定层；
[0074]-层122:Ru 层;
[0075]-层123:FM (CO-Re)层；以及
[0076]-层124:用于交换偏置的AF层(Pt-Mn或Ir-Mn)
[0077]在实施例中，自由层14和第一触点层15的结构通过沟槽35来限定。以这种方式，就能用很少的处理开销最简单地获得结构30。每一个沟槽35都具有主延伸方向y，其垂直于堆叠方向z且横向于支承面S。最实际的是提供具有垂直于支承面S的主延伸方向y的沟槽。形成沟槽的好处是减少了间距。通过最小化形成沟槽的深度，能够最小化沟槽的宽度并从而实现彼此非常接近的读取器。
[0078]沟槽可以是U形的、V形的等。注意，代替沟槽，还可以利用沟道和/或空隙等，或利用沟槽、沟道和空隙的组合来获得适当的结构30。该结构可以利用以下技术中的一种或多种形成:湿蚀刻、干蚀刻、离子研磨、或剥离(lift-off)技术。
[0079]现在更具体地参照图2和4，在实施例中，沟槽35穿过第一触点层15和自由层14两者至少到非磁性层13来形成。因此，结构30中的每一个都包括触点层的一部分和自由层的一部分。取决于沟槽35有多深，尽管双层结构30是经非磁性层13或者甚至经自旋注入层12连接，但是得到在结构上是彼此独立的独立双层结构。这至少在某种程度上允许该特征件彼此绝缘。
[0080]确保沟槽深度完全穿过最开始两层14，15的最容易的方法是到达第三层13，即，超过自由层14。因此，沟槽的深度可以延伸穿过第一触点层15和自由层14两者并且至少稍微进入到非磁性层，例如最多两纳米，并且当制造工艺允许时，优选地在一纳米和二纳米之间。有限的情况是使沟槽延伸直到自旋注入层12。但是这将导致所需的蚀刻时间增加并且可能还增加沟槽的宽度，因此这不是优选的。沟槽的优选宽度是在5nm和50nm之间，更优选地在5nm和25nm之间，甚至再更优选地在5nm到1nm的范围。从功能的角度上看,较窄的范围是优选的，但从制造的角度上看，较大的宽度越容易获得。
[0081]如之前所提到的，传感器I可以是CPP隧道磁致电阻读取传感器的一部分。在这种情况下，非磁性层是隧道势垒层，即电绝缘的。传感器I还可以是CPP巨磁致电阻读取传感器的一部分，在这种情况下，非磁性层13是导电的。
[0082]读取传感器I优选地体现为带式读取传感器(在这种情况下，支承面S是带式支承面)。仍然，值得注意的是，在读取传感器I体现为硬盘驱动器读取传感器的情况下，支承面S是气垫面。
[0083]现在参考图5和8至10，读取传感器I通常包括附加层21-23，51-59，全部的堆叠层11-15。这些层与以上讨论的层11-15邻接或者平行。如在图5中可见的，所述附加层中的一个附加层55可以例如被构造为使其与所述结构30相互交错。附加层应该尤其包括至少两个屏蔽层(或屏蔽)21 -23，屏蔽层21，22中的至少一个在所述堆叠层11 - 15的每一侧上并且与其平行。如在图8中所说明的，屏蔽层之间的间距通常在60nm和10nm之间，且优选地?80nm。屏蔽之间的距离是可以预期随着每个新一代产品缩放到较小尺寸的参数。对于带式读取传感器来说，它可以是例如在80nm到10nm的范围内，对于未来年代的产品缩放到更小的值。对于硬盘驱动器来说，它可以是在50nm到60nm的范围内。
[0084]为了完整性:层51和59分别表示封盖和基板(例如，两者都是AlTiC);屏蔽21，22通常由坡莫合金制成；层52，54和56-58是电绝缘体(例如，A1203);触点11，15优选地是金属(例如，Ta)。
[0085]图9，10示出了可以在TMR读取器中有利地使用的相互交错的多通道分段堆叠。如所看见的，读取传感器还可以包括附加的堆叠层，具有类似于以上讨论的第一堆叠层的结构30的结构30a。假设存在两个堆叠(如在图9或10中)，那么需要提供至少三个屏蔽21-23。第一堆叠层和第二堆叠层是叠加的，并且第一堆叠层的结构30相对于第二堆叠层的结构30a偏移(沿方向X偏移)。如图所示，该偏移优选地对应于沿轴X的间距的一半。这有利地允许读取不同的轨道或轨道的不同部分。在第一和第二堆叠(中的每一个)的每一侧上提供与其平行的至少一个屏蔽。
[0086]能够认识到，有利的是，代替叠加屏蔽-传感器-屏蔽的结构(如在图9中所示的)，在第一堆叠和第二堆叠之间可以只需要一个屏蔽22，其充当共同的中间屏蔽，如在图10中所绘出的。
[0087]如之前所述，单个堆叠可被构造成通常包括2和32之间数量的结构，这已经允许减小间距并减少所需触点的数量。现在，参考图6和7，一种增加结构化触点30的数量的方法是布置诸如上述的数个结构化的堆叠层11 - 15，作为堆叠层的线性阵列，如在图6中所示出的。同理，在图9 - 10中，还可以把结构化的堆叠层布置成堆叠的叠加阵列，其中第一阵列的结构相对于相邻阵列的结构沿方向x(即，平行于支承面且垂直于堆叠方向)偏移。
[0088]根据另一方面，本发明可以体现为制造诸如以上描述的读取传感器的方法。基本上，这种方法包括(参照图2、4或5):
[0089]-提供(或获得)堆叠层11-15，诸如在图1中所绘出的，即，还没有结构化的；以及
[0090]-形成沿方向X延伸的一系列结构30，其中结构中每一个都在(至少)第一触点层15和自由层14中形成，使得该结构的边缘表面与堆叠的边缘表面(即，支承面的功能表面)齐平。
[0091]与前面所描述的读取传感器的实施例一致，结构30的形成优选地包括沟槽35的形成。沟槽优选地穿过第一触点层15和自由层14两者来形成，S卩，沟槽的深度至少延伸到非磁性层12，或者可能部分地进入到非磁性层12。
[0092]以上实施例已经参考附图进行了简要描述，并且可以适应多种变体。以上特征的几种组合是可以预期的。
[0093]本文所描述的一些方法可以在读取传感器的制造中使用。所得到的传感器可以由制造商以原始的形式或包装的形式分发。在任何情况下，传感器然后可以与其它传感器、分立的电路元件、和/或其它信号处理设备集成，作为(a)中间产品或(b)最终产品的一部分。
[0094]虽然本发明已参考有限数量的实施例、变体和附图进行了描述，但是本领域技术人员应当理解，在不背离本发明范围的情况下，可以进行各种改变并且可以用等价物替换。特别地，在不背离本发明范围的情况下，在给定实施例、变体中说明的或者在图中示出的(类似设备的或类似方法的)特征可以代替其它实施例、变体或图中的其它特征或与其组合。因此，可以预期关于任何以上实施例或变体描述的特征的各种组合，其保持在所附权利要求的范围之内。此外，在不背离本发明范围的情况下，可以进行许多小的修改以使特定的情形或材料适于本发明的指导。因此，本发明不是要限制到所公开的特定实施例，而是本发明将包括属于所附权利要求范围内的所有实施例。此外，可以预期除以上明确触及之外的许多其它变体。例如，可以预期除那些本文明确引用之外的其它材料，例如，AF层可以包括MnIr或PtMn，固定层可以包括:CoFe、CoFeB、和/或NiFe，隧道势垒可以包括MgO，非磁性隔片可以包括Cu，基板可以包括Si等。
[0095]参考列表
[0096]ICPP磁阻读取传感器
[0097]11-15 堆叠层(读取传感器的功能上活动部分)
[0098]11第二触点层
[0099]12自旋注入层
[0100]121 固定层
[0101]122 Ru 层
[0102]123 FM 层
[0103]124 用于交换偏置的AF层
[0104]13非磁性层
[0105]14自由层
[0106]15第一触点层
[0107]21-23 屏蔽层
[0108]30结构
[0109]30a附加(叠加)的结构
[0110]35沟槽
[0111]51-59 附加的堆叠层
[0112]S边缘表面(支承面)
[0113]z堆叠方向
【权利要求】
1.一种电流垂直平面式(或CPP)磁阻读取传感器(I)，包括堆叠层(11-15)，其中: 所述堆叠层沿着堆叠的堆叠方向(Z)延伸；以及 平行于所述堆叠方向的堆叠的边缘表面(S)还平行于所述读取传感器的支承面并形成其至少一部分，所述支承面设计成在操作中面向记录介质， 并且其中所述堆叠层包括: 第一触点层(15)； 铁磁性的自由层(14)，其磁性取向根据所施加的磁场变化，所述自由层在所述第一触点层的上方； 在铁磁性层的上方的非磁性层(13)； 铁磁性的自旋注入层(12)，在非磁性层的上方；以及 在自旋注入层的上方的第二触点层(11)，使得电流能够在第二触点层和第一触点层之间沿着电流垂直于平面的方向(z)、平行于所述堆叠方向流动， 并且其中堆叠层还包括一系列结构(30)，其中: 所述系列结构中每一个都在第一触点层(15)和自由层(14)两者中形成，所述结构中每一个的边缘表面与堆叠的所述边缘表面齐平；以及 所述系列结构沿着平行于支承面且垂直于堆叠方向的方向(X)延伸。
2.如权利要求1所述的传感器，其中自由层和第一触点层的结构通过沟槽(35)限定，其中每一个结构具有主延伸方向(y)，所述主延伸方向:垂直于堆叠方向(z);并且横向于支承面，优选地垂直于支承面。
3.如权利要求2所述的传感器，其中所述沟槽(35)穿过第一触点层(15)和自由层(14)两者至少到非磁性层(13)来形成，由此所述结构中每一个都包括触点层的一部分和自由层的一部分。
4.如权利要求3所述的传感器，其中所述沟槽的深度延伸穿过第一触点层和自由层两者，至少部分地进入非磁性层(13)。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的传感器，其中: 传感器(I)是CPP隧道磁致电阻读取传感器，以及 非磁性层是电绝缘的隧道势垒层。
6.如权利要求1中任意一项所述的传感器，其中: 传感器(I)是CPP巨磁致电阻读取传感器；以及 非磁性层是导电的。
7.如权利要求1至6中任意一项所述的读取传感器，其中所述读取传感器是带式读取传感器，所述支承面(S)是带式支承面。
8.如权利要求1至6中任意一项所述的读取传感器，其中所述读取传感器是硬盘驱动器读取传感器，所述支承面(S)是气垫面。
9.如权利要求1至8中任意一项所述的读取传感器，还包括与所述堆叠的各层相邻或平行的附加层(21 - 23,51 - 59)，包括至少两个屏蔽层(21 - 23)，屏蔽层中的至少一个(21，22)在所述堆叠层的每一侧上并且与其平行。
10.如权利要求1至9中任意一项所述的读取传感器，其中所述堆叠层是第一堆叠层，所述读取传感器还包括: 第二堆叠层，具有类似于第一堆叠层结构(30)的结构(30a);以及 至少三个屏蔽层(21-23)， 并且其中第一堆叠层和第二堆叠层是叠加的，第一堆叠的结构(30)相对于第二堆叠的结构(30a)沿着平行于支承面且垂直于堆叠方向的所述方向(X)偏移，屏蔽层中的至少一个在第一堆叠和第二堆叠中的每一个的每一侧上并且与其平行。
11.如权利要求10所述的读取传感器，在第一堆叠和第二堆叠之间只包括一个屏蔽层(22)。
12.根据权利要求1至9中任意一项所述的读取传感器，包括数个堆叠层，每一个都如所述堆叠层(11 - 15)那样构造，所述数个堆叠布置成堆叠层的线性阵列，或者优选地，布置成堆叠层的两个叠加的线性阵列，线性阵列中第一个的结构相对于两个阵列中第二个的结构沿着平行于所述支承面且垂直于所述堆叠方向的所述方向(X)偏移。
13.—种制造如权利要求1至12中任意一项所述的读取传感器的方法，所述方法包括: 提供堆叠层(11 - 15)，其中: 所述堆叠层沿着堆叠的堆叠方向延伸；以及 平行于所述堆叠方向的堆叠的边缘表面还平行于所述读取传感器的支承面(S)并形成其至少一部分，所述支承面设计成在操作中面向记录介质， 并且其中所述堆叠层包括: 第一触点层； 铁磁性的自由层，其磁性取向根据所施加的磁场变化，所述自由层在所述第一触点层的上方； 在铁磁性层的上方的非磁性层； 铁磁性的自旋注入层，在非磁性层的上方；以及 在自旋注入层的上方的第二触点层，使得电流能够在第二触点层和第一触点层之间沿着电流垂直于平面的方向、平行于所述堆叠方向流动；以及 形成沿着平行于支承面(S)且垂直于堆叠方向(Z)的方向(X)延伸的一系列结构(30)，其中所述结构中的每一个都至少在第一触点层(15)和自由层(14)中形成，使得所述结构中每一个的边缘表面保持与堆叠的所述边缘表面齐平。
14.如权利要求13所述的方法，其中形成结构(30)包括形成沟槽(35)，每一个沟槽都具有垂直于支承面和堆叠方向(z)两者的主延伸方向(y)，其中沟槽优选地穿过第一触点层和自由层两者形成，所述沟槽的深度至少延伸到非磁性层，所述结构中的每一个都包括触点层的一部分和自由层的一部分。
15.如权利要求14所述的方法，其中在形成沟槽(35)处，沟槽被形成为具有至少部分延伸到非磁性层中的深度。
【文档编号】G11B5/84GK104240723SQ201410247902
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年6月6日 优先权日:2013年6月6日
【发明者】M·A·兰茨, S·傅勒, J·杰里托, G·谢吕比尼 申请人:国际商业机器公司