执行封装后修整的设备及方法与流程

技术特征：

技术总结
存储器裸片可经堆叠以形成三维集成电路。举例来说，穿硅通孔TSV可允许信号垂直地穿过所述三维集成电路。本文中揭示执行存储器裸片的封装后修整的设备及方法，其在所述存储器裸片经堆叠之后有利地允许所述存储器裸片被修整，使得测试及修整特性相对接近实际上将遇到的情况。

技术研发人员：艾伦·J·威尔逊;杰佛里·P·莱特
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2015.11.09
技术公布日：2017.09.08