采用分级字线方案的半导体器件的制作方法

文档序号:12179760阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体器件,包括:

第一存储单元区和第二存储单元区,被设置为沿第一方向彼此相邻,且适用于共享子字线驱动信号;以及

第一子字线驱动单元,设置在穿越区域中,所述穿越区域沿斜线方向设置在第一存储单元区与第二存储单元区之间,

其中,第一子字线驱动单元包括用于驱动第一存储单元区的第一子字线驱动器、用于驱动第二存储单元区的第二子字线驱动器以及沿第一方向延伸的用于传输子字线驱动信号的互连。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,第一存储单元区和第二存储单元区中的每个包括第一子字线区域和第二子字线区域,且子字线区域基于共享的子字线驱动信号来同时驱动。

3.如权利要求2所述的半导体器件,还包括:

第二子字线驱动单元,沿第一方向布置在第一子字线驱动单元之下,

其中,第二存储单元区的第二子字线区域连接至第二子字线驱动单元。

4.如权利要求3所述的半导体器件,还包括:

第三子字线驱动单元,沿第一方向布置在第一子字线驱动单元之上,

其中,第一存储单元区的第一子字线区域连接至第三子字线驱动单元。

5.如权利要求4所述的半导体器件,其中,第二子字线驱动单元和第三子字线驱动单元中的每个包括第一子字线驱动器和第二子字线驱动器,以及

第一子字线驱动单元中的第一子字线驱动器和第二子字线驱动器、第二子字线驱动单元中的第一子字线驱动器以及第三子字线驱动单元中的第二子字线驱动器基于同一子字线驱动信号来驱动。

6.如权利要求5所述的半导体器件,其中,第二子字线驱动单元中的第一子字线驱动器连接至第二存储单元区的第二子字线区域。

7.如权利要求6所述的半导体器件,其中,第三子字线驱动单元中的第二子字线驱动器连接至第一存储单元区的第一子字线区域。

8.如权利要求7所述的半导体器件,其中,第一子字线驱动单元至第三子字线驱动单元中的每个包括位于其第一子字线驱动器与第二子字线驱动器之间的空区域,用于传输子字线驱动信号的互连不在所述空区域中延伸。

9.如权利要求6所述的半导体器件,还包括:

用于传输互补子字线驱动信号的互连,所述互连布置在第一存储单元区和第二存储单元区中而沿第二方向延伸。

10.如权利要求6所述的半导体器件,还包括:

第三存储单元区,布置为沿第二方向面对第一存储单元区;以及

第四存储单元区,布置为沿第二方向面对第二存储单元区,

其中,包括在第三存储单元区和第四存储单元区中的子字线以与第一存储单元区和第二存储单元区中的子字线相同的方式来驱动。

11.如权利要求10所述的半导体器件,其中,第三存储单元区和第四存储单元区中的每个包括第一子字线区域和第二子字线区域,

第三存储单元区的第一子字线区域连接至第三子字线驱动单元中的第二子字线驱动器,以及第四存储单元区的第二子字线区域连接至第二子字线驱动单元的第一子字线驱动器。

12.如权利要求11所述的半导体器件,其中,第三存储单元区的第二子字线区域连接至第一子字线驱动单元中的第一子字线驱动器,以及第四存储单元区的第一子字线区域连接至第一子字线驱动单元中的第二子字线驱动器。

13.如权利要求11所述的半导体器件,其中,子字线包括偶数子字线和奇数子字线。

14.如权利要求11所述的半导体器件,还包括:

感测放大器单元,布置在沿第一方向彼此相邻的第一存储单元区与第二存储单元区之间或者布置在沿第一方向彼此相邻的第三存储单元区与第四存储单元区之间。

15.如权利要求2所述的半导体器件,其中,第一子字线区域和第二子字线区域包括连接至至少一个子字线的存储单元,以及

第一子字线驱动器和第二子字线驱动器对应于包括在第一子字线区域和第二子字线区域中的子字线。

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