一种增加TLCNand闪存使用周期的方法及其系统与流程

本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法及其系统。

背景技术：

Nand闪存作为一种低价、大容量的存储设备，在嵌入式系统中使用越来越广泛。SLC(Single-Level Cell)闪存为Nand闪存中的一种，SLC利用正、负两种电荷，一个浮动栅存储一个字节的信息，约10万次擦写寿命。TLC(Triple-LevelCell)闪存为目前市面上应用较为普遍的一种Nand闪存，TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个字节的信息，约500-1000次擦写寿命，对于TLC闪存来说，由于本身的擦写次数有限，频繁的大量写入数据是TLC闪存不能承受的。由此可见，如何提高TLC闪存的擦写寿命是亟待解决的问题。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是：提供一种可以增加TLC Nand闪存使用周期的方法及其系统，可以大大降低数码产品的成本。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法，包括：

判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

本发明采用的另一技术方案为：

一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统，包括：

判断模块，用于判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

设置模块，用于若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

本发明的有益效果在于：由于SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，所以将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式继续使用，可以增加TLC闪存的使用周期，大大降低数码产品的成本。

附图说明

图1为本发明的一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法的流程图；

图2为本发明实施例一的一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法的流程图；

图3为本发明的一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统的结构示意图；

图4为本发明实施例二的一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统的结构示意图；

标号说明：

1、判断模块；2、设置模块；3、创建模块；4、添加模块；5、新建模块；6、调用模块；11、读取单元；12、判断单元；13、判定单元。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本发明最关键的构思在于：将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式继续使用，可以延长TLC Nand闪存的使用寿命。

请参照图1，一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法，包括：

判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

从上述描述可知，本发明的有益效果在于：首先判断TLC Nand闪存中是否存在坏块，由于TLC Nand闪存可以操作在SLC存储模式，SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，所以可将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式继续使用，大大降低数码产品的成本。

进一步的，所述“将所述坏块设置为SLC存储模式”之后还包括：

创建坏块表；

将所述坏块添加至所述坏块表。

由上述描述可知，将坏块添加至坏块表方便对坏块进行记录和查找。

进一步的，所述“判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块”具体为：

若对TLC Nand闪存的块中的一块进行擦除操作，则读取所述一块的错误更正码；

判断所述错误更正码是否满足可进行错误更正的预设条件；

若否，则判定所述一块为坏块。

由上述描述可知，当通过错误更正码不能更正块的错误时，即判断所述块为坏块。

进一步的，所述“将所述坏块添加至所述坏块表”之后还包括：

新建SLC空块列表，并将所述坏块对应的SLC块添加至所述SLC空块列表中；

当需使用SLC空块时，调用所述SLC空块列表的SLC块。

由上述描述可知，SLC空块列表中可以显示哪些SLC块为空块，即哪些SLC块可以调用替代TLC坏块进行存储。

请参照图3，本发明涉及的另一技术方案为：

一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统，包括：

判断模块，用于判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；

设置模块，用于若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

进一步的，还包括：

创建模块，用于创建坏块表；

添加模块，用于将所述坏块添加至所述坏块表。

进一步的，所述判断模块包括：

读取单元，用于若对TLC Nand闪存的块中的一块进行擦除操作，则读取所述一块的错误更正码；

判断单元，用于判断所述错误更正码是否满足可进行错误更正的预设条件；

判定单元，用于若否，则判定所述一块为坏块。

进一步的，还包括：

新建模块，用于新建SLC空块列表，并将所述坏块对应的SLC块添加至所述SLC空块列表中；

调用模块，用于当需使用SLC空块时，调用所述SLC空块列表的SLC块。

实施例一

请参照图2，本发明的实施例一为：一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法，既可以延长TLC Nand闪存的使用寿命，又可以大大降低数码产品的生产成本。包括：

S1、判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块，若是，则执行步骤S2。由于Nand闪存的工艺不能保证Nand的Memory Array在其生命周期中保持性能可靠，因此，Nand闪存在生产和使用过程中都会产生坏块。在生产过程中产生的坏块成为固有坏块，在使用过程中产生的坏块成为使用坏块。如果在第一个块的某个Page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块，首先就要把其他号的page里面的内容备份到另一个空的好块里面，然后，将这个块标记为坏块，当然这可能会犯“错杀”的错误。本实施例中，判断某一块是否为坏块的具体过程为：若对TLC Nand闪存的块中的一块进行擦除操作，则读取所述一块的错误更正码；判断所述错误更正码是否满足可进行错误更正的预设条件；若否，则判定所述一块为坏块。所述错误更正码即为ECC(Error Checking andCorrecting，错误检查和纠正)码，ECC码是将信息进行8比特位的编码，采用这种方式可以恢复1比特的错误，每一次数据写入内存时，ECC码使用一种特殊的算法对数据进行计算，其结果成为校验位。ECC码可以从逻辑上分离错误并通知系统，当只出现单比特错误的时候，ECC码才可以把错误改正过来，且不影响系统运行，此时ECC码满足可进行错误更正的预设条件。当ECC码不能对块的错误进行更正时，即判断所述块为坏块。

S2、将所述坏块设置为SLC存储模式。即，将坏块的存储模式设置为SLC模式继续使用，由于SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，所以可以延长TLCNand闪存的使用寿命。

S3、创建坏块表。若TLC Nand闪存在出厂时自带坏块表，那么可以省略该步骤。

S4、将所述坏块添加至所述坏块表。

S5、新建SLC空块列表，并将所述坏块对应的SLC块添加至所述SLC空块列表中。即，所述SLC空块列表用于将已经替代了TLC存储模式的SLC块记录下来。

S6、当需使用SLC空块时，调用所述SLC空块列表的SLC块。SLC空块列表中由于记录了已经使用了的SLC块，所以可以显示哪些SLC块为空块，即哪些SLC块可以调用出来替代TLC坏块进行存储。

本实施例中，当TLC Nand闪存的坏块比率达到预设值时，就停止进行步骤S2，例如，当坏块比率达到50％时，停止将坏块设置为SLC存储模式的步骤，TLC Nand闪存就视为报废。

本实施例中，由于SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，所以将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式，可以延长TLC Nand闪存的使用寿命，降低数码产品的生产成本。

实施例二

请参照图4，本发明的实施例二与实施例一中的方法相对应，为一种增加TLC Nand闪存使用周期的系统，包括：

判断模块1，用于判断TLC Nand闪存的块中是否存在坏块；所述判断模块包括：读取单元11，用于若对TLC Nand闪存的块中的一块进行擦除操作，则读取所述一块的错误更正码；判断单元12，用于判断所述错误更正码是否满足可进行错误更正的预设条件；判定单元13，用于若否，则判定所述一块为坏块；

设置模块2，用于若是，则将所述坏块设置为SLC存储模式。

创建模块3，用于创建坏块表；

添加模块4，用于将所述坏块添加至所述坏块表。

新建模块5，用于新建SLC空块列表，并将所述坏块对应的SLC块添加至所述SLC空块列表中；

调用模块6，用于当需使用SLC空块时，调用所述SLC空块列表的SLC块。

综上所述，本发明提供的一种增加TLC Nand闪存使用周期的方法及其系统，由于SLC闪存的擦写寿命大于TLC闪存，将TLC Nand闪存中的坏块设置为SLC存储模式，可以延长TLC Nand闪存的使用寿命，降低数码产品的生产成本。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。