一种测试方法及装置与流程

本申请涉及测试技术领域，特别是涉及一种测试方法及装置。

背景技术：

随着硬件技术的快速发展，以flash颗粒作为存储介质的存储设备得到了越来越广泛的应用。下面以ssd(solidstatedisk，固态硬盘)为例进行说明。

ssd是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储介质组成。ssd的接口规范和定义、功能及使用方法与普通硬盘完全相同，在产品外形和尺寸上也与普通硬盘一致。目前，ssd已被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空等领域。可以看出，ssd的应用范围已非常广泛，因此为保障使用ssd过程中，从ssd中所读取的数据准确，在生产过程中对ssd进行严格的测试。

鉴于上述情况，需要提供一种对以flash颗粒作为存储介质的存储设备进行测试的方法。

技术实现要素：

本申请实施例的目的在于提供一种测试方法及装置，以实现对以flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试。具体技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种测试方法，所述方法包括：

确定对以flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点，其中，所述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值；

按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行所述第一类参数所指示的操作，进而构建所述测试点对应的测试环境；

按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行所述第二类参数所指示的操作；

读取所述存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。

第二方面，本申请实施例提供了一种测试装置，所述装置包括：

测试点确定模块，用于确定对以flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点，其中，所述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值；

第一存储设备操作模块，用于按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行所述第一类参数所指示的操作，进而构建所述测试点对应的测试环境；

第二存储设备操作模块，用于按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行所述第二类参数所指示的操作；

电压读取模块，用于读取所述存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。

第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括处理器和机器可读存储介质，所述机器可读存储介质存储有能够被所述处理器执行的机器可执行指令，所述处理器被所述机器可执行指令促使：实现本申请实施例所述的方法步骤。

第四方面，本申请实施例提供了一种机器可读存储介质，存储有机器可执行指令，在被处理器调用和执行时，所述机器可执行指令促使所述处理器：实现本申请实施例所述的方法步骤。

由以上可见，本申请实施例提供的方案中，确定对以flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点后，按照用于构建测试环境的第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作，构建测试点对应的测试环境，按照用于描述测试目的的第二类参数的取值对存储设备进行第二类参数所指示的操作，然后读取存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，从而得到存储设备针对测试点的测试结果。可见，应用本申请实施例提供的方案能够实现对以flash颗粒为存储介质的存储设备的测试。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的第一种测试方法的流程示意图；

图2为本申请实施例提供的第二种测试方法的流程示意图；

图3为本申请实施例提供的第三种测试方法的流程示意图；

图4为本申请实施例提供的第一种测试装置的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的第二种测试装置的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的第三种测试装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

由于以flash颗粒为存储介质的存储设备应用范围越来越广，需要对上述存储设备进行严格的测试，为此本申请实施例提供了一种测试方法及装置。

下面先对本申请各个实施例的执行主体进行介绍。

本申请各个实施例的执行主体可以是任意一台电子设备，例如，服务器、台式计算机、笔记本计算机等等。

上述电子设备执行本申请实施例提供的方案对存储设备进行测试时，上述电子设备可以通过数据线直接连接，也可以通过交换机等中转设备间接连接，本申请并不对此进行限定。

下面先对本申请实施例提供的测试方法进行说明。

图1为本申请实施例提供的第一种测试方法的流程示意图，该方法包括：

s101：确定对以flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点。

其中，上述存储设备可以为以flash颗粒为存储介质的硬盘，例如，ssd等，还可以是以flash颗粒为存储介质的存储卡等，本申请并不对此进行限定。

上述flash颗粒是一种内存器件，具体可以是tlc颗粒、slc颗粒、mlc颗粒等。

一个存储设备可以包含至少一个flash颗粒，而一个flash颗粒又包括至少一个存储单元。

另外，上述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、第一类参数的取值和第二类参数的取值。

例如，上述第一参数可以是pe(programerase，擦除)次数、上述存储设备所处环境的温度等，上述第二参数可以是rd(readdisturb，读干扰)次数、dr(dataretention，数据保持)时长等等。

如，上述pe次数的取值可以为：500次、1000次、2000次等，存储设备所处环境温度的温度值可以为：25度、40度等，rd次数的取值可以为：2000次、5000次等，dr时长的取值可以为：1天、1星期、1个月等等。

基于上述举例，一个测试点包括的信息可以为：

第一参数包括：pe次数、存储设备所处环境的温度，其中，pe次数的取值为500，存储设备所处环境温度的温度值为25度；

第二参数包括：rd次数，rd次数的取值为500次。

对存储设备进行测试时，可以通过多个不同测试点进行测试。

不同测试点可以是第一类参数和第二类参数相同、但第一类参数的取值和/或第二类参数的取值不同的测试点，还可以是第一类参数和/或第二类参数不同的测试点。

s102：按照第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作，进而构建测试点对应的测试环境。

由于第一类参数是用于构建测试环境的参数，所以按照第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作后，即成功构建了测试点所要求的测试环境。

另外，按照第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作时，因参数的具体内容不同，对存储设备所进行的操作而不同。

例如，第一类参数为pe次数时，pe次数所指示的操作为pe操作，这样按照pe次数的取值对存储设备进行pe次数所指示的操作时，可以理解为对存储设备进行pe次数的取值次pe操作。

第一类参数为存储设备所处环境的温度时，存储设备所处环境的温度所指示的操作为改变存储设备所处环境的温度，这样按照存储设备所处环境温度的取值对存储设备进行存储设备所处环境的温度所指示的操作时，可以理解为改变存储设备所处环境的温度，使得环境温度的温度值与上述存储设备所处环境温度的取值一致，这样也会使得存储设备的温度变化至上述所处环境温度的取值。

s103：按照第二类参数的取值对存储设备进行第二类参数所指示的操作。

由于第二类参数是用于描述测试目的的参数，所以按照第二类参数的取值对存储设备进行第二类参数所指示的操作，即达到了对存储设备进行测试的目的。

另外，按照第二类参数的取值对存储设备进行第二类参数所指示的操作时，因参数的具体内容不同，对存储设备所进行的操作而不同。

例如，第二类参数为rd次数时，rd次数所指示的操作为rd操作，这样按照rd次数的取值对存储设备进行rd次数所指示的操作时，可以理解为对存储设备进行rd次数的取值次rd操作。

第二类参数为dr时长时，dr时长所指示的操作为dr操作，这样按照dr时长的取值对存储设备进行dr时长所指示的操作时，可以理解为关闭存储设备的电源对存储设备进行时长为dr时长的取值的dr操作。

s104：读取存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到存储设备针对测试点的测试结果。

本申请的一个实施例中，电子设备读取存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压时，电子设备确定阈值电压获取位置后，根据所确定的位置向存储设备发送数据读取命令，间隔预设等待时长后从存储设备进行数据读取状态查询，如果数据读取状态表征数据读取成功，获得从存储设备传输的已读取阈值电压。

具体的，读取各个存储单元的阈值电压时，可以以块为最小单位进行读取。

为防止数据丢失，本申请的一个实施例中，上述电子设备读取存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压时，可以预先申请预设大小的存储空间，然后存储设备向上述电子设备传输已读取的阈值电压时，可以采用预设大小的数据包进行传输，例如1kb。这样上述电子设备接收到存储设备传输回来的数据包后，将其存储至上述预先申请的空间内。

基于上述情况，电子设备可以定期检查是否存在未填充的存储空间，若存在未填充的存储空间则说明存在数据丢失的情况。又由于每次从存储设备读取阈值电压时，电子设备已确定了阈值电压获取位置，则可以认为电子设备每次预先申请的存储空间和阈值电压获取位置存在一一对应关系，所以确定未填充的存储空间后可以确定出丢失的阈值电压在存储设备中的位置，进而可以根据确定的位置重新向存储设备发送数据读取命令，重新从存储设备读取丢失的阈值电压。

由以上可见，本实施例提供的方案中，确定对以flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点后，按照用于构建测试环境的第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作，构建测试点对应的测试环境，按照用于描述测试目的的第二类参数的取值对存储设备进行第二类参数所指示的操作，然后读取存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，从而得到存储设备针对测试点的测试结果。可见，应用本实施例提供的方案能够实现对以flash颗粒为存储介质的存储设备的测试。

本申请的一个实施例中，在第一类参数包括pe次数和第一环境温度的情况下，

上述s102按照第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作，包括：

s102a：控制存储设备所处环境的温度，使得存储设备所处环境的温度值达到测试点中包括的第一环境温度的取值。

也就是说，上述第一环境温度用于表示：对存储设备进行pe操作时，存储设备所处环境的温度。

由于温度是逐渐改变的，所以在控制存储设备所处环境的温度的过程中，可以定时检测存储设备所处环境的温度，确定检测到的温度值是否达到了上述第一环境温度的取值。

当检测到的温度值达到第一环境温度的取值时，认为存储设备所处的环境温度已满足测试点对测试环境的温度要求，可以进行后续操作。

当检测到的温度值没有达到第一环境温度的取值时，认为存储设备所处的环境温度还不满足测试点对测试环境的温度要求，需要进一步对存储设备所处环境的温度进行控制。

s102b：控制存储设备进行pe操作，使得存储设备进行的pe操作的次数达到测试点中包括的pe次数的取值，进而构建测试点对应的测试环境。

在第一类参数包括pe次数和第一环境温度的情况下，本申请的另一个实施例中，参见图2，提供了第二种测试方法的流程示意图，本实施例中，在第一类参数还包括第二环境温度、第二类参数包括rd次数的情况下，

上述s103按照第二类参数的取值对存储设备进行第二类参数所指示的操作，包括：

s103a：控制存储设备所处环境的温度，使得存储设备所处环境的温度值达到测试点中包括的第二环境温度的取值。

也就是说，上述第二环境温度用于表示：对存储设备进行rd操作时，存储设备所处环境的温度。

与前述s102b中提及的可以定时检测存储设备所处环境的温度值是否达到第一环境温度的取值相似，也可以定时检测存储设备所处环境的温度值是否达到第二环境温度的取值。这里不再赘述。

s103b：控制存储设备进行rd操作，使得存储设备进行的rd操作的次数达到测试点中包括的rd次数的取值。

对存储设备进行测试时，为保证能够全面的对存储设备进行测试，可以采用不同的测试点对存储设备进行测试。而测试存储设备在rd方面的性能时，可以按照pe次数逐渐增加、rd次数也逐渐增加的思路进行测试，这样的话，在按照pe次数逐渐增加、rd次数逐渐增加设置各个不同的测试点，然后逐一进行测试。如下表1示出了各个测试点中pe次数与rd次数之间的对应关系。其中，数据1-数据40为针对各个测试点的测试结果。

表1

在第一类参数包括pe次数和第一环境温度的情况下，本申请的另一个实施例中，参见图3，提供了第三种测试方法的流程示意图，本实施例中，在第一类参数还包括第三环境温度和第四环境温度、第二类参数包括dr时长的情况下，

上述s103按照第二类参数的取值对存储设备进行第二类参数所指示的操作，包括：

s103c：控制存储设备所处环境的温度，使得存储设备所处环境的温度值达到测试点中包括的第三环境温度的取值。

也就是说，上述第三环境温度用于表示：对存储设备进行dr操作时，存储设备所处环境的温度。

与前述s102b中提及的可以定时检测存储设备所处环境的温度值是否达到第一环境温度的取值相似，也可以定时检测存储设备所处环境的温度值是否达到第三环境温度的取值。这里不再赘述。

s103d：关闭存储设备的电源对存储设备进行dr操作，直至电源关闭时长达到测试点中包括的dr时长的取值。

在上述基础上，图3所示实施例中，上述s104读取存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，包括：

s104a：控制存储设备所处环境的温度，使得存储设备所处环境的温度值达到测试点中包括的第四环境温度的取值。

也就是说，上述第四环境温度用于表示：在测试存储设备在dr方面的性能过程中，从存储设备读取flash颗粒中各个存储单元的阈值电压时，存储设备所处环境的温度。

上述第四环境温度的取值可以是常温，例如，26度、27度等等。

s104b：开启存储设备的电源，读取存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到存储设备针对测试点的测试结果。

对存储设备进行测试时，为保证能够全面的对存数设备进行测试，可以采用不同的测试点对存储设备进行测试。而测试存储设备在dr方面的性能时，可以按照pe次数逐渐增加、dr时长也逐渐增加的思路进行测试，这样的话，在按照pe次数逐渐增加、dr时长逐渐增加设置各个不同的测试点，然后逐一进行测试。

然而在pe次数固定的情况下，完成存储设备针对所有dr时长的测试需要的时间较长，这种情况下，再在其他pe次数下完成存储设备针对所有dr时长的测试，会使得测试过程过于漫长。为了缩短测试时间，可以是采用不同的存储设备并行测试，进而完成针对所有测试点的测试。各测试点中pe次数、dr时长以及针对各测试点进行测试的存储设备之间的对应关系如下表2所示。其中，数据1-数据40为针对各个测试点的测试结果。

表2

本申请的一个实施例中，上述测试方法还可以包括：获得存储设备针对各个测试点的测试结果后，对所获得测试结果进行分析，得到以下信息中的至少一种信息：

随着第一类参数、第二类参数的变化，存储设备的各个存储单元的数据读取参考电压的分布信息；

随着第一类参数、第二类参数的变化，存储设备的各个存储单元的裸误码分布信息。

其中，上述数据读取参考电压可以理解为：从存储设备中读取数据时各个存储单元的参考电压。

下面以tlc颗粒为例，对得到数据读取参考电压的分布信息的过程进行说明。

tlc颗粒中每个存储单元的参考电压范围为-128-127，共计256个调整范围，又由于tlc颗粒中采用3bit表示数据，所以tlc颗粒中存储单元的阈值电压有8个峰值，也就是，可以用8个波峰表示，而相邻两个波之间的交点对应的电压可以作为存储单元的数据读取参考电压。基于上述情况，得到各个测试结果后，分别利用每一测试结果中的数据绘制上述8个波，然后根据相邻波之间的交点对应的电压得到数据读取参考电压，从而得到上述数据读取参考电压的分布信息。

由于通过对测试结果进行分析可以得到数据读取参考电压的分布信息，则在使用存储设备的过程中可以依据上述数据读取参考电压分布信息调整存储设备的flash颗粒中各存储单元的数据读取参考电压，保证读取出来的数据准确。

同理，可以根据上述裸误码分布信息获知flash颗粒在各种情况下的裸误码情况，进而为后续使用存储设备提供指导信息，例如，在裸误码分布较高的情况下慎用flash颗粒等等。

由于存储设备可以包含一个以上flash颗粒，所以，本申请的一个实施例中，电子设备按照第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作时，可以通过多个线程向存储设备发送控制命令，然后间隔预设时长后判断是否接收到存储设备反馈的确认信息，若接收到确认信息，则开始按照第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作，若未接收到确认信息，则返回上述通过多个线程向存储设备发送控制命令的步骤，如此重复预设次数后若仍未接收到确认信息，则可以判定电子设备对存储设备的控制过程出现了问题。

与电子设备按照第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作相类似，电子设备也可以依照上述方式、按照第二类参数的取值对存储设备进行第二类参数所指示的操作，这里不再详述。

与上述测试方法相对应，本申请实施例还提供了一种测试装置。

图4提供了一种测试装置的结构示意图，该装置包括：

测试点确定模块401，用于确定对以flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点，其中，所述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值；

第一存储设备操作模块402，用于按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行第一类参数所指示的操作，进而构建所述测试点对应的测试环境；

第二存储设备操作模块403，用于按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行第二类参数所指示的操作；

电压读取模块404，用于读取所述存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。

本申请的一个实施例中，在所述第一类参数包括擦除pe次数和第一环境温度的情况下，

所述第一存储设备操作模块402，包括：

第一温度控制单元402a，用于控制所述存储设备所处环境的温度，使得所述存储设备所处环境的温度值达到所述测试点中包括的所述第一环境温度的取值；

pe操作单元402b，用于控制所述存储设备进行pe操作，使得所述存储设备进行的pe操作的次数达到所述测试点中包括的pe次数的取值，进而构建所述测试点对应的测试环境。

本申请的一个实施例中，参见图5，提供了第二种测试装置的结构示意图，在所述第一类参数还包括第二环境温度、所述第二类参数包括读干扰rd次数的情况下，

所述第二存储设备操作模块403，包括：

第二温度控制单元403a，用于控制所述存储设备所处环境的温度，使得所述存储设备所处环境的温度值达到所述测试点中包括的所述第二环境温度的取值；

rd操作单元403b，用于控制所述存储设备进行rd操作，使得所述存储设备进行的rd操作的次数达到所述测试点中包括的rd次数的取值。

本申请的一个实施例中，参见图6，提供了第三种测试装置的结构示意图，在所述第一类参数还包括第三环境温度和第四环境温度、所述第二类参数包括数据保持dr时长的情况下，

所述第二存储设备操作模块403，包括：

第三温度控制单元403c，用于控制所述存储设备所处环境的温度，使得所述存储设备所处环境的温度值达到所述测试点中包括的所述第三环境温度的取值；

dr操作单元403d，用于关闭所述存储设备的电源对所述存储设备进行dr操作，直至电源关闭时长达到所述测试点中包括的dr时长的取值；

所述电压读取模块404，包括：

第四温度控制单元404a，用于控制所述存储设备所处环境的温度，使得所述存储设备所处环境的温度值达到所述测试点中包括的所述第四环境温度的取值；

电压读取单元404b，用于开启所述存储设备的电源，读取所述存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。

本申请的一个实施例中，所述装置还包括：

结果分析模块，用于获得所述存储设备针对各个测试点的测试结果后，对所获得测试结果进行分析，得到以下信息中的至少一种信息：

随着所述第一类参数、第二类参数的变化，所述存储设备的各个存储单元的数据读取参考电压的分布信息；

随着所述第一类参数、第二类参数的变化，所述存储设备的各个存储单元的裸误码分布信息。

由以上可见，上述各个实施例提供的方案中，确定对以flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点后，按照用于构建测试环境的第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作，构建测试点对应的测试环境，按照用于描述测试目的的第二类参数的取值对存储设备进行第二类参数所指示的操作，然后读取存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，从而得到存储设备针对测试点的测试结果。可见，应用上述各个实施例提供的方案能够实现对以flash颗粒为存储介质的存储设备的测试。

与上述测试方法相对应，本申请实施例还提供了一种电子设备，包括：处理器和机器可读存储介质，所述机器可读存储介质存储有能够被所述处理器执行的机器可执行指令，所述处理器被所述机器可执行指令促使：实现本申请实施例所述的测试方法步骤。

本申请的一个实施例中，提供了一种测试方法，包括：

确定对以flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点，其中，所述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值；

按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行第一类参数所指示的操作，进而构建所述测试点对应的测试环境；

按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行第二类参数所指示的操作；

读取所述存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。

需要说明的是，上述处理器被机器可执行指令促使实现的测试方法的其他实施例，与前述方法实施例部分提及的实施例相同，这里不再赘述。

上述机器可读存储介质可以包括随机存取存储器(randomaccessmemory，ram)，也可以包括非易失性存储器(non-volatilememory，nvm)，例如至少一个磁盘存储器。可选的，上述机器可读存储介质还可以是至少一个位于远离前述处理器的存储装置。

上述的处理器可以是通用处理器，包括中央处理器(centralprocessingunit，cpu)、网络处理器(networkprocessor，np)等；还可以是数字信号处理器(digitalsignalprocessing，dsp)、专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)、现场可编程门阵列(field-programmablegatearray，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。

由以上可见，本实施例提供的电子设备确定对以flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点后，按照用于构建测试环境的第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作，构建测试点对应的测试环境，按照用于描述测试目的的第二类参数的取值对存储设备进行第二类参数所指示的操作，然后读取存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，从而得到存储设备针对测试点的测试结果。可见，应用本实施例提供的方案能够实现对以flash颗粒为存储介质的存储设备的测试。

与上述测试方法相对应，本申请实施例还提供了一种机器可读存储介质，存储有机器可执行指令，在被处理器调用和执行时，所述机器可执行指令促使所述处理器：实现

本申请实施例所述的测试方法步骤。

本申请的一个实施例中，提供了一种测试方法，包括：

确定对以flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点，其中，所述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值；

按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行第一类参数所指示的操作，进而构建所述测试点对应的测试环境；

按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行第二类参数所指示的操作；

读取所述存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。

需要说明的时，上述机器可执行执行促使处理器实现的测试方法的其他实施例，与前述方法实施例部分提及的实施例相同，这里不再赘述。

由以上可见，执行本实施例提供的机器可读存储介质中存储的机器可执行指令，确定对以flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点后，按照用于构建测试环境的第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作，构建测试点对应的测试环境，按照用于描述测试目的的第二类参数的取值对存储设备进行第二类参数所指示的操作，然后读取存储设备的flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，从而得到存储设备针对测试点的测试结果。可见，应用本实施例提供的方案能够实现对以flash颗粒为存储介质的存储设备的测试。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置、电子设备和机器可读存储介质实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并非用于限定本申请的保护范围。凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本申请的保护范围内。