技术特征：
1.一种磁性随机存储器，其特征在于，所述磁性随机存储器包括：主要由多个存储单元排列成的存储阵列，所述存储阵列由多条字线、多条位线以及多条源线控制，每个存储单元均具有磁性隧道结；所述磁性随机存储器在进行读或写操作时，所述存储阵列中与需要读或写的存储单元相邻的非读写存储单元所连接的位线和源线等电位。2.如权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，与所述需要读或写的存储单元相邻的非读写存储单元包括：与所述需要读或写的存储单元共享同一字线的存储单元。3.如权利要求2所述的磁性随机存储器，其特征在于，一部分所述非读写存储单元的位线和源线等电位且与所述需要读或写的存储单元的位线的电位相等；另一部分所述非读写存储单元的位线和源线等电位且与所述需要读或写的存储单元的源线的电位相等。4.如权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述磁性随机存储器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中设置有呈条状且沿第一方向和第二方向排列的多个有源区，每个所述有源区沿第三方向延伸，所述第二方向和所述第一方向垂直，所述第三方向与所述第一方向和第二方向均相交；所有的所述字线沿第一方向排布在所述半导体衬底上，且每条所述字线沿第二方向延伸并跨设在多个所述有源区上，每条所述字线将相应的所述有源区分为源极区和漏极区；每条所述源线通过第一金属层形成并连接相应的所述源极区；每个所述磁性隧道结底部通过相应的第二金属层连接相应的所述漏极区，顶部连接第三金属层，所述第三金属层用于形成相应的所述位线；其中，每个所述有源区和设置在所述有源区上方的所述字线形成相应的mos管，所述有源区处形成的相应的mos管和所述漏极区上方相应的所述磁性隧道结组成一个存储单元。5.如权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述磁性随机存储器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中设置有多个沿第一方向延伸呈条状并沿第二方向排列的有源区；所有的所述字线沿第一方向排布在所述半导体衬底上，且每条所述字线沿第二方向延伸并跨设在多个所述有源区上，每条所述字线将相应的所述有源区分为源极区和漏极区；每条所述源线通过第一金属层形成并连接相应的所述源极区；每个所述磁性隧道结底部通过相应的第二金属层连接相应的所述漏极区，顶部连接第三金属层，所述第三金属层用于形成相应的位线；其中，每个所述有源区和设置在所述有源区上方的所述字线形成相应的mos管，所述有源区处形成的相应的mos管和所述漏极区上方相应的所述磁性隧道结组成一个存储单元。6.如权利要求4或5所述的磁性随机存储器，其特征在于，每个所述存储单元最少仅具有一个mos管。7.如权利要求6所述的磁性随机存储器，其特征在于，除所述磁性随机存储器的阵列边界上所述存储单元以外的每个存储单元的mos管的源极区和漏极区与周围相邻的存储单元共享，每个所述存储单元的面积为4f2，其中，f是特征尺寸。8.如权利要求4所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述第一方向和所述第三方向的夹角包括但不仅限于45度。9.如权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述磁性随机存储器还包括：一字线解码器，用以设定所述字线上的电位；一位线解码器，用以设定所述位线上的电位；一
源线解码器，用以设定所述源线上的电位。10.一种权利要求1～9中任一项所述的磁性随机存储器的读写方法，其特征在于，包括：分别设定需要读或写的存储单元所连接的所述字线、位线和源线上的电位；确定与所述需要读或写的存储单元相邻的非读写存储单元，并将所述非读写存储单元所连接的源线和位线设定为等电位；对所述需要读或写的存储单元进行读或者写操作。
技术总结
本发明提供一种磁性随机存储器及其读写方法，所述磁性随机存储器包括：主要由多个存储单元排列成的存储阵列，所述存储阵列由多条字线、多条位线以及多条源线控制，每个存储单元均具有磁性隧道结；所述磁性随机存储器在进行读或写操作时，所述存储阵列中与需要读或写的存储单元相邻的非读写存储单元所连接的位线和源线等电位。由此，就算相应的字线将与需要读或写的存储单元相邻的非读写存储单元的MOS管开启，由于非读写存储单元的MOS管的源极区与漏极区等电位，该MOS管也不会有电流流过，所以不会有误读与误写的问题。所以不会有误读与误写的问题。所以不会有误读与误写的问题。
技术研发人员：吴巍 徐征
受保护的技术使用者：徐征
技术研发日：2020.04.24
技术公布日：2021/10/26