磁阻随机存取存储器中的写入效率的制作方法

文档序号:26009763发布日期:2021-07-23 21:29阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种方法,所述方法包括:

由与存储器设备相关联的存储器控制器确定要存储在所述存储器设备中的b位字的多个位的写入脉冲的参数的值,其中所述参数的所述值基于所述b位字中的所述多个位的位位置对涉及所述b位字的机器学习或信号处理任务的执行的相对重要性、保真性度量和资源度量;以及

由所述存储器控制器使用基于针对所述多个位中的特定一个位所确定的所述参数的所述值而生成的所述写入脉冲来将所述b位字的所述多个位中的每个位写入所述存储器设备的不同子阵列中。

2.根据权利要求1所述的方法,其中确定所述写入脉冲的所述参数的所述值以在满足所述资源度量的同时最小化所述保真性度量。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述写入脉冲的所述参数包括写入电流、脉冲宽度或写入电压中的至少一者。

4.根据任一前述权利要求所述的方法,所述方法进一步包括由所述存储器控制器确定所述写入脉冲的所述参数的所述值以满足粒度。

5.根据任一前述权利要求所述的方法,所述方法进一步包括在确定所述写入脉冲的所述参数的所述值之前,由所述存储器控制器识别所述多个位中的每个位的所述位位置的所述相对重要性。

6.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述b位字的最高有效位比所述b位字的最低有效位更重要。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述最高有效位的所述写入脉冲的所述参数的所述值大于所述最低有效位的所述写入脉冲的所述参数的所述值。

8.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述参数是写入电流或脉冲宽度,并且其中与相对重要性较小的所述位位置相比,相对重要性较大的所述位位置被分配更大的写入电流和/或更长的脉冲宽度。

9.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述存储器设备包括磁阻随机存取存储器设备。

10.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述保真性度量包括均方误差或峰值信噪比中的至少一者。

11.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述资源度量包括写入能量。

12.根据任一前述权利要求所述的方法,所述方法进一步包括在接收到新的保真性度量或新的资源度量时,由所述存储器控制器动态地更新所述多个位的所述位位置的所述写入脉冲的所述参数的所述值。

13.根据任一前述权利要求所述的方法,其中确定所述写入脉冲的所述参数的所述值包括将所述保真性度量或所述资源度量输入到查找表中以及接收所述写入脉冲的所述参数的所述值作为来自所述查找表的输出。

14.根据任一前述权利要求所述的方法,所述方法进一步包括由所述存储器控制器执行损耗均衡操作,其中当前被指定用于存储特定位位置的所述子阵列被指定用于在满足预定条件时存储不同的位位置。

15.一种系统,所述系统包括:

存储器设备,所述存储器设备包括多个子阵列,其中所述多个子阵列中的每个子阵列存储b位字的一位;和

存储器控制器,所述存储器控制器与所述多个子阵列中的每个子阵列操作地关联,其中所述存储器控制器包括用于以下操作的编程指令:

确定所述b位字的最高有效位的第一写入脉冲和所述b位字的最低有效位的第二写入脉冲,其中所述第一写入脉冲的参数的值大于所述第二写入脉冲的所述参数的所述值,并且其中确定所述第一写入脉冲和所述第二写入脉冲的所述参数的所述值以最小化保真性度量并满足资源度量,并且反映所述最高有效位和所述最低有效位对涉及所述b位字的机器学习或信号处理任务的执行的相对重要性;以及

基于所述第一写入脉冲将所述最高有效位存储在所述多个子阵列的第一子阵列中,并且基于所述第二写入脉冲将所述最低有效位存储在所述多个子阵列的第二子阵列中。

16.根据权利要求15所述的系统,其中所述存储器设备包括磁阻随机存取存储器。

17.根据权利要求15所述的系统,其中所述参数包括写入电流、脉冲宽度或写入电压中的至少一者。

18.根据权利要求15所述的系统,其中所述多个子阵列中的每个子阵列专用于存储所述b位字的指定位位置。

19.根据权利要求15所述的系统,其中所述存储器控制器进一步包括编程指令,以在接收到新的保真度度量或新的资源度量时动态地更新所述第一写入脉冲的所述参数和所述第二写入脉冲的所述参数。


技术总结
一种系统和方法包括由与存储器设备相关联的存储器控制器确定要存储在该存储器设备中的B位字的多个位的写入脉冲的参数的值。该参数的值基于该B位字中的多个位的位位置对涉及该B位字的机器学习或信号处理任务的执行的相对重要性、保真性度量和资源度量。该系统和方法还包括使用基于针对该多个位中的特定一个位所确定的该参数的值而生成的该写入脉冲来将该B位字的多个位中的每个位写入该存储器设备的不同子阵列中。

技术研发人员:金永俊;全柳恩;崔元浩;C·盖约特;Y·卡苏托
受保护的技术使用者:西部数据技术公司
技术研发日:2020.03.23
技术公布日:2021.07.23
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