技术特征：
1.一种分布式位线补偿数模混合存内计算阵列，其特征在于，包括：存内计算模块、输出模块、主控模块和输入驱动模块；所述主控模块分别与所述输出模块和所述输入驱动模块连接；所述存内计算模块包括4簇存内计算子模块，每簇所述存内计算子模块均包括4组存内计算单元；每组所述存内计算单元包括32行
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8列个阵列分布的存储计算电路；每行所述存储计算电路并联连接后与所述输入驱动模块连接；每列所述存储计算电路串联连接，且每列所述存储计算电路均串联一个电流镜补偿器，每列所述存储计算电路通过一个耦合电容与所述输出模块连接。2.根据权利要求1所述的分布式位线补偿数模混合存内计算阵列，其特征在于，所述存储计算电路包括6t-sram、第一三极管和第二三极管；所述第一三极管和所述第二三极管组成计算电路；所述6t-sram对权重值进行存储；所述第一三极管的栅极与所述输入驱动模块连接，所述第一三极管的源极接电源线，所述第一三极管的漏极与所述第二三极管的漏极连接；所述第二三极管的栅极与所述6t-sram连接，所述第二三极管的源极分别与所述耦合电容和所述电流镜补偿器连接。3.根据权利要求2所述的分布式位线补偿数模混合存内计算阵列，其特征在于，所述6t-sram包括第三三极管、第四三极管、第一非门和第二非门；所述第三三极管的栅极和所述第四三极管的栅极均与字线wl连接；所述第三三极管的源极与位线bl连接，所述第四三极管的漏极与位线blb连接；所述第三三极管的漏极、所述第一非门的第一端和所述第二非门的第二端之间相连接；所述第一非门的第二端、所述第二非门的第一端和所述第四三极管的源极均与所述第二三极管的栅极连接。4.根据权利要求3所述的分布式位线补偿数模混合存内计算阵列，其特征在于，所述电流镜补偿器包括第五三极管、第六三极管、第七三极管和第八三极管；所述第五三极管的源极和所述第八三极管的源极均与电源线连接；所述第五三极管的栅极、所述第八三极管的栅极、所述第六三极管的漏极和所述第五三极管的漏极之间相连接；所述第六三极管的源极与所述第七三极管的漏极连接；所述第六三极管的栅极与所述第八三极管的漏极通过读位线rbl分别与所述耦合电容和所述第二三极管的源极连接；所述第七三极管的源极接地，所述第七三极管的的栅极用于输入反信号。5.根据权利要求4所述的分布式位线补偿数模混合存内计算阵列，其特征在于，所述第一三极管、所述第五三极管和所述第八三极管均为pmos管，所述第二三极管、所述第三三极管、所述第四三极管、所述第六三极管和所述第七三极管均为nmos管。6.根据权利要求1所述的分布式位线补偿数模混合存内计算阵列，其特征在于，4簇所述存内计算子模块和4组所述存内计算单元均为分布式结构。
技术总结
本发明涉及存内计算技术领域，特别是涉及一种分布式位线补偿数模混合存内计算阵列，包括：存内计算模块、输出模块、主控模块和输入驱动模块；主控模块分别与输出模块和输入驱动模块连接；存内计算模块包括4簇存内计算子模块，每簇存内计算子模块均包括4组存内计算单元；每组存内计算单元包括32行
技术研发人员：乔树山 史万武 尚德龙 周玉梅
受保护的技术使用者：中科南京智能技术研究院
技术研发日：2022.04.25
技术公布日：2022/5/25