专利名称：单面读出型两层式光盘及再生磁头的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于实现高密度且单面读出的两层式光盘的结构、以及读出该光盘进行再生的再生磁头的焦点位置的设计。
近年来，作为数字视频光盘(DVD)的规格中一种的能从单侧再生两个信号面的两层式光盘，有希望成为今后的大容量媒体。
下面，对以往的单面读出型两层式光盘的结构进行叙述(a)信号层(信号面第二层)为第一层(读出激光入射侧)，(b)半透明膜为第二层，(c)用于分离两个信号层的中间层为第三层，(d)反射膜为第四层，(e)在第四层侧形成信号坑点的信号层为第五层。
再生这种单面读出型两层式光盘的场合，用配置在光盘的第一层一侧的再生磁头、使从再生磁头来的读出激光聚光并入射到光盘上，例如设置第一层信号面在其读出激光最集中的集点位置上，或者设计再生磁头的焦点位置、使激光在第一层信号面上最集中。
然而，在前述以往技术中，因从再生磁头读出激光的最集中的焦点位置在第一层(读出激光入射侧信号层)的信号面上，所以当读出另一方信号层的第五层的信号面，移动了激光的最集中的焦点位置时，产生由于中间层的厚度引起的(光路长变长)的象散，与第一层再生时相比、激光的集聚断面变大，其结果，与第一层的信号再生时相比，第五层信号再生时，前后左右的信号坑点也再生，再生信号的偏差(信号读进散乱率)变坏。
鉴于以往技术中存在的这种问题，本发明的目的是利用将读出激光的最集中的位置作为两个信号层的中间位置，提供能均匀再生信号的偏差的高密度单面读出型两层式光盘及再生磁头。
为达到前述目的，本发明中权利要求1所述的发明是一种单面读出型两层式光盘，这种光盘包括顺次形成第一信号层、半透明膜、中间层、反射膜和第二信号层、在所述第一信号层的所述半透明膜一侧形成信号坑点、同时在所述第二信号层的所述反射膜一侧形成信号坑点，其特征在于，从再生磁头靠所述第一信号层侧大致垂直地入射读出激光时，选定所述第一信号层的厚度，使读出激光最集中的焦点位置设定在所述中间层内，并大致均匀化再生所述第一和第二信号层中各信号坑点时的偏差。
权利要求2所述的发明其特征在于，将所述焦点位置设定在所述中间层中光轴方向的大致中央上。
权利要求3所述的发明，其特征在于，以仅为从所述第一信号层的所述读出激光入射面开始到所述焦点位置为止的距离的所述中间层厚度的约二分之一的薄的厚度，作为所述第一信号层的厚度。
权利要求4所述的发明，其特征在于，所述第二信号层的厚度与所述第一信号层的厚度相同。
权利要求5所述的发明，其特征在于，以在所述第一信号层的厚度上增加所述中间层的厚度的约二分之一的厚度作为第二信号层的厚度。
权利要求6所述的发明，其特征在于，所述第一信号层的厚度是0.56-0.58mm。
权利要求7所述的发明，其特征在于，所述半透明膜的反射率是20-40％。
权利要求8所述的发明，其特征在于，所述中间层的厚度是40-60μm。
权利要求9所述的发明，其特征在于，所述反射膜的反射率在70％以上。
权利要求10所述的发明，其特征在于，将所述焦点位置设定在所述中间层中光轴方向的大致中央和所述半透明膜之间，读出所述第一和第二信号层中各信号坑点时的返回光强度为(从所述半透明膜来的返回光强度)＜(从所述反射膜来的返回光强度)。
权利要求11所述的发明，其特征在于，将所述焦点位置设定在所述中间层中光轴方向的略中央和所述更射膜之间，读出所述第一和第二信号层中各信号坑点时的返回光强度为(从所述半透明膜来的返回光强度)＞(从所述反射膜来的返回光强度)。
权利要求12所述的发明是一种再生磁头，这种读出包括出射读出激光的光源、至少具有一个再生透镜、顺次形成第一信号层、半透明膜、中间层、反射膜和第二信号层的单面读出型两层式光盘的再生磁头，其特征在于，靠所述第一信号层大致垂直地入射所述读出激光时，选定所述读出激光的波长和所述再生透镜的数值孔径NA，使所述读出激光最集中的焦点位置设定在所述中间层内，并略均匀化再生所述第一和第二信号层中各信号坑点时的偏差。
权利要求13所述的发明，其特征在于，将所述焦点位置设定在所述中间层中光轴方向的略中央上。
权利要求14所述的发明，其特征在于，对于读出所述第一和第二信号层时的返回光强度为(从所述半透明膜来的返回光强度)＜(从所述反射膜来的返回光强度)的单面读出型两层式光盘，将所述焦点位置设定在所述中间层中光轴方向的略中央和所述半透明膜之间。
权利要求15所述的发明，其特征在于，对于读出所述第一和第二信号层时的返回光强度为(从所述半透明膜来的返回光强度)＞(从所述反射膜来的返回光强度)的单面读出型两层式光盘，将所述焦点位置设定在所述中间层中光轴方向的略中央和所述更射膜之间。
图1表示与本发明相关的单面读出型两层式光盘的剖视图。
图2表示与本发明相关的再生磁头的概略结构图。
图3表示从图2的再生磁头将读出激光最集中的焦点位置设定在单面读出型两层式光盘的中间层中光轴方向的略中央的场合的剖视图。
图4是表示图1的单面读出型两层式光盘的变形例的剖视图。
图5(a)表示用图1的单面读出型两层式光盘、将中间层厚度设定在约30μm的场合、进行偏差测定的结果。
图5(b)表示用图1的单面读出型两层式光盘、将中间层厚度设定在约40μm的场合、进行偏差测定的结果。
图5(c)表示用图1的单面读出型两层式光盘、将中间层厚度设定在约50μm的场合、进行偏差测定的结果。
图6(a)表示用图4的单面读出型两层式光盘、将中间层厚度设定在约30μm的场合、进行偏差测定的结果。
图6(b)表示用图4的单面读出型两层式光盘、将中间层厚度设定在约40μm的场合、进行偏差测定的结果。
图6(c)表示用图4的单面读出型两层式光盘、将中间层厚度设定在约50μm的场合、进行偏差测定的结果。
下面，参照附图对本发明的实施例进行说明。
实施例1以用聚碳酸酯为信号层的基板材料、用金(AU)为半透明膜、用UV硬化树脂为中间层的材料、用铝(Al)为反射膜、用约650nm为再生系统的激光波长和用0.6为再生磁头的物镜的数值孔径NA的场合为例，对实施例1进行说明。
图1表示与本发明相关的单面读出型两层式光盘的剖视图。
在图1中，2由对于读出激光几乎透明(几乎穿透)、折射率为1.45-1.65左右的读出激光入射侧的第一信号层、并利用树脂压缩成形等、在单面上螺旋状地形成信号坑点的厚度为0.56-0.58mm左右的圆板组成。4是用溅射等方法在第一信号层2的信号面上附膜，在使来自第一信号层2的激光入射的场合，对于其入射光量是具有20-40％左右反射率的半透明膜，并具有部分反射入射的激光、穿透残留部分的性质，也能用介质膜等光吸收率低的材料来实现。6是对于读出激光几乎是透明(几乎穿透)的折射率为1.35-1.75左右的中间层，从再生磁头读出设计成使激光最集中的焦点位置FP，对于光盘面大致垂直地放置在读出激光的光轴OA方向上分别持有20-30μm左右的厚度。8是在中间层6侧形成信号坑点并与第一信号层2有相同结构的第二信号层，由在单面上螺旋状地形成信号坑点的圆板组成。10是用溅射等方法在第二信号层8上附膜的反射率70％以上的反射膜。RA是光盘旋转时的旋转中心轴。
此外，前述反射率是用分光光度计测量的值，对于下面所述的反射率，同样也是用分光光度计测量的值。
对于前述结构的单面读出型两层式光盘，首先，在再生读出激光入射侧的第一信号面的场合，入射到再生磁头的透镜中的读出激光在以旋转中心轴RA为中心的用固定的线速度旋转的光盘信号面上，进行再生磁头的聚焦控制，使激光能量集中，接着，为了追踪信号序列，进行跟踪控制，用接收光检测器检测从信号面来的反射光，并以模拟信号读出。此外，在再生作为另一方的信号面的读出激光入射内侧的第二信号面之际，进行再生磁头的聚焦控制，使激光能在该信号面上最集中，接着，为了追踪信号序列，进行跟踪控制，与再生再生光入射侧的第一信号面时相同，进行信号的检测。
表1表示再生与本发明相关的单面读出型两层式光盘的两信号面时和再生以往的单面读出型两层式光盘的两信号面时的再生信号偏差(信号读出散乱率)。
表1 由表1可见，与本发明相关的单面读出型两层式光盘与以往的单面读出型两层式光盘相比，在各自信号面的再生信号偏差不变，能用几乎相同条件再生两信号面。
此外，也能用以往使用的基板厚度约0.6mm制作基板材料，作为读出激光入射内侧的第二信号层8，例如，也能为具有近于读出激光入射侧的第一信号层2的厚度加上中间层6的厚度的约二分之一厚度的信号层。此外，在实施例1中也能用替代所用材料的材料。
实施例2以使用与本发明相关的再生磁头读出以往的单面读出型两层式光盘的场合为例，对实施例2进行说明。此外，作为光盘的材料，与实施例1相同，用聚碳酸酯为信号层的基板材料、用金(Au)为半透明膜、用UV硬化树脂为中间层、用铝(Al)为反射膜。
如图2所示，与本发明相关的再生磁头H包括作为出射读出激光的激光光源的半导体激光器12、一方面穿透从该半导体激光器12出射的激光，另一方面90°横向反射从光盘来的反射光的分光器14、配置在分光器14的光盘例的1/4波长板16、再配置在1/4波长板16的光盘侧的至少一个再生透镜18、集中取入用分光器14反射的激光的集中取入透镜20和入射用集中取入透镜20集中取入的激光的接收光检测器22。
在前述结构的再生磁头H中，借助于适当选定半导体激光器12，与以往(约650um)相比，缩短出射的激光波长，或者借助于适当选定再生透镜18，与以往(约0.6)相比，增大其数值孔径NA，利用再生磁头H能使最集中的激光焦点位置位于激光入射侧的第1信号面和激光入射内侧的第二信号面之间，例如在约二分之一地分开中间层厚度的中心线上(参照图3)。
接着，使用该再生磁头，对再生以往的单面读出型两层式光盘的激光入射侧的第一信号面的方法进行说明。
在中心被固定的光盘靠主轴以固定的线速度旋转，在光盘有弯曲的场合，由于这种旋转动作，从静止状态的磁头的焦点位置见到的信号面上下摆动。这时，如图2所示，调整磁头或者光盘的高度，使信号面以焦点位置为中心作上下运动。在光盘没有弯曲的场合，调整磁头或者光盘的高度，使焦点位置到信号面上。
靠半导体激光器12出射的激光，穿透分光器14和1/4波长板16，由再生透镜18照射到光盘上。照射到光盘上的激光中，在第一信号面反射的激光，再入射到再生透镜18上，穿透1/4波长板16，用分光器14反射，用集中取入透镜20集中取入，并入射到接收光检测器22中。用接收光检测器22检测的激光，作为从激光的焦点位置到信号面为止的偏移量的聚焦误差信号，利用聚焦误差检测电路24检测，从光信号变换成电信号。将这种电信号输入到线圈驱动器26中，借助于使磁头上下驱动用的电流提供给上下驱动用线圈28，使焦点位置和信号面的偏移量抵消，进行磁头的聚焦控制。接着，用于追踪信号坑点列的跟踪误差信号，由跟踪误差检测电路30检测，与聚焦控制相同，从光信号变换成电信号。将这种电信号输入到线圈驱动器32，借助于使磁头左右驱动用的电流提供给左右驱动用线圈34，使从信号坑点到来的再生激光点偏移量抵消，进行跟踪控制，并以再生信号作为模拟信号读出。
另一方面，再生激光入射内侧的第二信号面的场合，对再生磁头H的聚焦进行控制，使激光在第二信号面上最集中，接着，进行用于追踪信号序列的跟踪控制，与再生再生光入射侧的第一信号面时相同，进行信号的检测。
图2表示用与本发明相关的再生磁头H再生单面读出型两层式光盘的两信号面时和用以往的再生磁头再生两信号面时的再生信号偏差(信号读出散乱率)。
表2 由表2可见，与本发明相关的再生磁头H与以往的再生磁头相比，再生单面读出型两层式光盘的各自的信号面时的再生信号偏差不变，能用几乎相同条件再生两信号面。
实施例3作为实施例3的单面读出型两层式光盘，与实施例1的单面读出型两层式光盘(图1)进行比较说明。
作为试验实施例1的单面读出型两层式光盘，用聚碳酸酯为信号层2、8的基板材料、同时用金(Au)为半透明膜4，从激光入射侧的第一信号层2入射激光，相对于其入射光量有约25％的反射率。用UV硬化树脂为中间层6，同时用铝(Al)为反射膜10，借助于使其反射率为70％以上，用反射膜10反射，返回到的再生磁头的光强度和半透明膜4的反射光强度大约相等。再生系统的激光波长用约650nm，再生磁头的物镜的数值孔径NA用约0.6(在信号层的基板材料及UV硬化树脂的厚度约0.6mm位置，象散为最小)在采用这种结构时，由再生磁头将再生光入射到光盘上，用反射膜10反射的再生光返回到再生磁头上时的光强度，能用下式表示。
(从反射膜来的返回光强度[％])＝(半透明膜的穿透率[％])×(树脂材料的穿透率[％])×(反射膜的反射率[％])作为试验实施例3的单面读出型两层式光盘，用聚碳酸酯为信号层的基板材料、同时用金(Au)为半透明膜，从激光入射侧的第一信号层入射激光，相对于其入射光量有约20％的反射率。用UV硬化树脂为中间层，同时用铝(Al)为反射膜，其更射率在70％以上。作为再生系统的激光波长及再生磁头的物镜数值孔径NA，选定与实施例1相同，分别用约650nm及约0.6。
在这种结构中，由再生磁头将再生光入射到光盘上，用更射膜反射的再生光再次返回到再生磁头时的光强度，在采用与实施例1相同的树脂材料作为基板材料时，通过提高半透明膜的穿透率，由反射膜反射，返回到再生磁头的光强度比半透明膜的反射光强度要大。
图4是实施例3的单面读出型两层式光盘的剖视图。
在图4中，42是由对读出激光几乎透明，利用树脂压缩成形等在单面上形成磁道间隔0.74μm左右，最短坑点长约0.44μm的螺旋状的信号坑点的读出激光入射侧的的第一信号层，折射率为1.45-1.65左右和厚度为0.56-0.58mm左右的圆板组成。44是用溅射法等方法在第一信号层42的信号面上附膜，从第一信号层42入射激光的场合，对于其入射光量，具有约20％-40％反射率的半透明膜，具有反射一部分入射的激光并穿透残留部分的特性。46是对于读出激光透明，在从再生磁头焦点位置FP，略垂直光盘面地设置读出激光的光轴OA方向上，分别具有各为20-30μm左右厚度的中间层。48在中间层46侧上形成信号坑点，是与第一信号层42相同结构的激光入射内侧的第二信号层。它由利用树脂压缩成形等在单面上形成磁道间隔0.74μm左右，最短坑点长约0.44μm的螺旋状的信号坑点，折射率为1.45-1.65左右和厚度为0.56-0.58mm左右的圆板组成。50是用溅射法等方法在第二信号层48的信号面上附膜的反射率为70％以上的反射膜。RA是光盘旋转时的中心轴。
对于前述结构的单面读出型两层式光盘，首先，在再生读出激光入射侧的第一信号面的场合，入射到再生磁头的透镜中的读出激光在以旋转中心轴RA为中心的旋转光盘信号面上，进行再生磁头的聚焦控制，使激光集中取入，接着，为了追踪信号序列，进行跟踪控制，接收光检测器检测从信号面来的反射光，并以模拟信号读出。此外，在再生作为另一方的读出激光入射内侧的第二信号面之际，进行再生磁头的聚焦控制，使激光在该信号面上集中取入，接着，为了追踪信号序列，进行跟踪控制，与再生再生光入射侧的第一信号面时相同，进行信号的检测。
图5(a)、(b)、(c)表示试验实施例1的单面读出型两层式光盘、进行再生测定的结果，图6(a)、(b)、(c)表示试验实施例3的单面读出型两层式光盘、进行再生测定的结果。各图以再生信号编差(信号读出散乱率)作为纵坐标轴、以从再生激光入射到光盘内到再生的信号面为止的距离(光路长)作为横坐标轴。
图5(a)是分别用0.54mm、0.56mm、0.58mm为再生光入射侧基板2的厚度，约30μm为中间层6的厚度，用从第一信号层2入射激光，对于其入射光量，具有约25％的反射率作为半透明膜4，反射膜10的反射率为70％以上，调整再生光入射内侧的第二信号层基板8的厚度，使光盘的总厚度为1.14-1.5mm，再生测定试验的三种光盘的结果。52是再生测定该光盘的再生光入射例基板2的信号面的结果。54是再生测定再生光入射内侧基板8的信号面的结果。图5(b)是分别用0.54mm、0.56mm、0.58mm、0.6mm为再生光入射例基板2的厚度，约40μm为中间层6的厚度，用从第一信号层2入射激光，半透明膜4对于其入射光量具有约25％的反射率，反射膜10的反射率为70％以上，调整再生光入射内侧的第二信号层基板8的厚度，使光盘的总厚度为1.14-1.5mm，再生测定试验的四种光盘的结果。56是再生测定该光盘的再生光入射侧基板2的信号面的结果。58是再生测定再生光入射内侧基板8的信号面的结果。图5(c)是分别用0.61mm、0.62mm、0.63mm为再生光入射侧基板2的厚度，约50μm为中间层6的厚度，用从第一信号层入射激光，半透明膜4对于其入射光量具有约25％的反射率，反射膜10的反射率为70％以上，调整再生光入射内侧的第二信号层基板8的厚度，使光盘的总厚度为1.14-1.5mm，再生测定试验的三种光盘的结果。60是再生测定该光盘的再生光入射侧基板2的信号面的结果。62是再生测定再生光入射内侧基板8的信号面的结果。
这里，在再生光盘信号面的场合，基于各光盘产生弯曲、偏心和多折射等的制造离散性，此外，关于再生磁头，也产生相同地制造离散性。如果考虑到这种情况，则必须将再生信号的偏差控制在10％以内。
采用图5(a)，中间层6的厚度约30μm，不满足前述再生信号的偏差在10％以内。这是因为中间层6的厚度薄，在再生无论哪一信号层时，到再生另一信号层为止，作为信号层间的串扰，使再生信号偏差劣化。
由图5(b)，中间层6的厚度约40μm，为了满足再生信号的偏差在10％以内，再半光入射侧基板2必须在0.54mm以上。再生磁头对于能最集中再生光的基板材料及树脂厚度约0.6mm，借助于有从该位置再生光的光轴方向上等距离分离信号面的位置，在两信号面上再生信号偏差几乎相同。
由图5(c)，中间层6的厚度约50μm，为了满足再生信号的偏差在10％以内，到再生光入射内侧基板2为止的长度必须在0.66mm以下。
然而，关于这种实施例1的单面读出型两层式光盘，对于在信号面上附膜的半透明膜4及反射膜10的膜厚、基板2、8及中间层6的厚度的制造离散性，必须高度控制。关于实际的制造工序，半透明膜4的附膜控制，必须有反射率约15％左右的余量。图6(a)-图6(c)是根据其制造离散性、能认识光盘再生装置的半透明膜4及反射膜10的反射率限界条件，也就是说是试验测定实施例3的单面读进型两层式光盘的条件。
图6(a)是用0.56mm、0.58mm、0.61mm左右为再生光入射侧基板42的厚度，约30μm为中间层46的厚度，用从第一信号层42入射激光，半透明膜44对于其入射光量具有约20％左右的反射率，反射膜50的反射率为70％以上，调整再生光入射内侧的第二信号层基板48的厚度，使光盘的总厚度为1.14-1.5mm，再生测定试验的三种光盘的结果。64是再生测定该光盘的再生光入射侧基板42的信号面的结果。66是再生测定再生光入射内侧基板48的信号面的结果。图6(b)是用0.54mm、0.58mm、0.6mm左右为再生光入射侧基板42的厚度，约40μm为中间层46的厚度，用从第一信号层42入射激光，半透明膜44对于其入射光量具有约20％左右的反射率，反射膜50的反射率为70％以上，调整再生光入射内侧的第二信号层基板48的厚度，使光盘的总厚度为1.14-1.5mm，再生测定试验的三种光盘的结果。68是再生测定该光盘的再生光入射侧基板42的信号面的结果。70是再生测定再生光入射内侧基板48的信号面的结果。图6(c)是用0.61mm、0.63mm左右为再生光入射侧基板42的厚度，约50μm为中间层46的厚度，用从第一信号层42入射激光，半透明膜44对于其入射光量具有约20％左右的反射率，反射膜50的反射率为70％以上，调整再生光入射内侧的第二信号层基板48的厚度，使光盘的总厚度为1.14-1.5mm，再生测定试验的两种光盘的结果。72是再生测定再生光入射侧基板42的信号面的结果。74是再生测定再生光入射内侧基板48的信号面的结果。
根据再生前述实施例3的单面读出型两层式光盘时的结果，再生再生光入射侧信号面时比再生再生光入射内侧信号面时，偏差值更大。这是因为从各信号面上的反射膜50和半透明膜44返回再生磁头的返回光量上有差别，是因为再生更射光量少的再生光入射例的信号面时的接收光检测器内返回的光信号及变换该光信号成电信号进行测定为止噪声成分的影响。
采用图6(a)，再生中间层46的厚度约30μm的再生光入射侧信号层时的再生信号偏差，不满足在界限的10％以内。这与再生实施例1的单面读出型两层式光盘的中间层6的厚度约30μm时相同，因中间层厚度薄，在再生无论哪一信号层时，到再生另一信号层为止，作为信号层间的串扰，使再生信号偏差劣化。
由图6(b)，中间层46的厚度约40μm，为了满足再生信号的偏差在10％以内，再生光入射侧基板42必须在0.56mm以上。这里，以0.6mm左右作为再生光入射侧基板42时，再生再生光入射侧信号面时的偏差为8.1％，再生再生光入射内侧信号面时的偏差为8.0％，成为均匀分开偏差的结果。这样，再生再生光入射侧信号面时从信号面上的半透明膜来的返回光量少，易受外部噪声影响，借助于将信号面设定在再生磁头最集中的位置、即厚度约0.6mm的位置，象散为最小。相反，再生再生光入射内侧信号面时，由于从再生磁头最集中位置、即0.6mm的位置离开中间层的厚度约40μm的象散的偏差劣化，借助于从再生光入射侧信号面上的反射膜的返回光量增多，使来自噪声的影响减小。
也就是说，将激光最集中的焦点位置设定在中间层46的光轴OA方向的大致中央和半透明膜44之间，同时适当选定半透明膜44的反射率，借助于从反射膜返回光强度比从半透明膜返回光强度要大，能大致均匀化再生再生光入射侧信号面时和再生再生光入射内侧信号面时的偏差。
采用本实施例，当考虑光盘的制造的离散性时，半透明膜及反射膜的反射率余量分别为20-40％左右，光路长、即再生光入射侧基板42为0.56mm-0.58mm，中间层厚度为40-60μm(至再生光入射内侧基板48的信号面的光路长0.64mm以内)是合适的。
此外，在前述实施例3中，虽然在反射膜反射返回再生磁头的光强度比半透明膜的反射光量要大，但反过来也可以在反射膜反射返回再生磁头的光强度比半透明膜的反射光量要小。
也就是说，将激光最集中的焦点位置设定在中间层46的光轴OA方向的大致中央和反射膜50之间，同时适当选定半透明膜44的反射率，借助于从反射膜返回光强度比从半透明膜返回光强度要小，能大略均匀化再生再生光入射侧的信号面时和再生再生光入射内侧信号面时的偏差。
如前文所述，利用实施例3，在从再生磁头焦点位置离开不等距离的位置上设置信号面，也能在半透明膜和反射膜返回光量有差别时略均匀化再生各信号层时的偏差。
用半透明膜的反射率为30％、反射膜的反射率为70％以上作为这种单面读出型两层式光盘的条件，也能得到与前述实施例相同的光盘结构余量结果。
此外，或者用具有在再生各信号面时返回光量少的信号面侧上设定焦点位置的数值孔径NA的再生磁头，或者借助于适当选定从半导体激光器出射的激光波长，也能略均匀化再生各信号层时的偏差。
本发明因前文说明的结构，所以能达到以下所述的效果。
采用本发明权利要求1或者权利要求12所述的发明，因来自读出激光最集中的焦点位置在两个信号面之间，所以能大致均匀化再生各信号面时的偏差，并能略同等地做成来自各信号面的再生信号的质量。
采用权利要求2、3或者13所述的发明，因各信号面在从前述焦点位置在光轴方向上几乎等距离离开的位置上，所以再生各自的信号面时的各信号面上的光点收缩直径在由于象散的劣化上几乎相同，因其返回光强度几乎相同所以对再生信号的噪声影响度也几乎相同，能在几乎相同的条件下再生两信号面。
采用权利要求4所述的发明，因两个信号层的厚度相同，所以能使用相同基板材料。
采用权利要求5所述的发明，因在入射侧信号层的厚度上增加中间层的厚度的约二分之一的厚度作为入射内侧信号层的厚度，所以可不要调整以往使用的基板材料的厚度、作为入射内侧信号层制作使用。
采用权利要求10、11、14或者15所述的发明，根据再生磁头、信号面从设计成读出激光最集中的焦点位置远离，关于由于象差的影响大的信号面，借助于提高从其信号面上的反射膜或者半透明膜向再生磁头的返回光强度，使噪声的影响度减低，关于再生另一信号面时，根据再生磁头、信号面接近设计成读出激光最集中的焦点位置、由于象差的影响小，借助于降低从其信号面上的反射膜或者半透明膜向再生磁头的返回光强度，能几乎相同地做成再生各信号面时的再生信号的质量。
权利要求
1.一种单面读出型两层式光盘，这种光盘包括顺次形成第一信号层、半透明膜、中间层、反射膜和第二信号层、在所述第一信号层的所述半透明膜一侧形成信号坑点、同时在所述第二信号层的所述反射膜一侧形成信号坑点，其特征在于，从再生磁头靠所述第一信号层侧大致垂直地入射读出激光时，选定所述第一信号层的厚度，使读出激光最集中的焦点位置设定在所述中间层内，并大致均匀化再生所述第一和第二信号层中各信号坑点时的偏差。
2.如权利要求1所述的单面读出型两层式光盘，其特征在于，将所述焦点位置设定在所述中间层中光轴方向的大致中央上。
3.如权利要求1所述的单面读出型两层式光盘，其特征在于，以仅为从所述第一信号层的所述读出激光入射面开始到所述焦点位置为止的距离的所述中间层厚度的约二分之一的薄的厚度，作为所述第一信号层的厚度。
4.如权利要求3所述的单面读出型两层式光盘，其特征在于，所述第二信号层的厚度与所述第一信号层的厚度相同。
5.如权利要求3所述的单面读出型两层式光盘，其特征在于，以在所述第一信号层的厚度上增加所述中间层的厚度的约二分之一的厚度作为第二信号层的厚度。
6.如权利要求2所述的单面读出型两层式光盘，其特征在于，所述第一信号层的厚度是0.56-0.58mm。
7.如权利要求2所述的单面读出型两层式光盘，其特征在于，所述半透明膜的反射率是20-40％。
8.如权利要求2所述的单面读出型两层式光盘，其特征在于，所述中间层的厚度是40-60μm。
9.如权利要求2所述的单面读出型两层式光盘，其特征在于，所述反射膜的反射率在70％以上。
10.如权利要求1所述的单面读出型两层式光盘，其特征在于，将所述焦点位置设定在所述中间层中光轴方向的大致中央和所述半透明膜之间，读出所述第一和第二信号层中各信号坑点时的返回光强度为(从所述半透明膜来的返回光强度)＜(从所述反射膜来的返回光强度)。
11.如权利要求1所述的单面读出型两层式光盘，其特征在于，将所述焦点位置设定在所述中间层中光轴方向的大致中央和所述反射膜之间，读出所述第一和第二信号层中各信号坑点时的返回光强度为(从所述半透明膜来的返回光强度)＞(从所述反射膜来的返回光强度)。
12.一种再生磁头，这种读出包括出射读出激光的光源、至少具有一个再生透镜、顺次形成第一信号层、半透明膜、中间层、反射膜和第二信号层的单面读出型两层式光盘的再生磁头，其特征在于，靠所述第一信号层大致垂直地入射所述读出激光时，选定所述读出激光的波长和所述再生透镜的数值孔径NA，使所述读出激光最集中的焦点位置设定在所述中间层内，并略均匀化再生所述第一和第二信号层中各信号坑点时的偏差。
13.如权利要求12所述的再生磁头，其特征在于，将所述焦点位置设定在所述中间层中光轴方向的大致中央上。
14.如权利要求12所述的再生磁头，其特征在于，对于读出所述第一和第二信号层时的返回光强度为(从所述半透明膜来的返回光强度)＜(从所述反射膜来的返回光强度)的单面读出型两层式光盘，将所述焦点位置设定在所述中间层中光轴方向的大致中央和所述半透明膜之间。
15.如权利要求12所述的再生磁头，其特征在于，对于读出所述第一和第二信号层时的返回光强度为(从所述半透明膜来的返回光强度)＞(从所述反射膜来的返回光强度)的单面读出型两层式光盘，将所述焦点位置设定在所述中间层中光轴方向的大致中央和所述反射膜之间。
全文摘要
本发明揭示一种单面读出型两层式光盘及再生磁头，顺次形成第一信号层、半透明膜、中间层、反射膜和第二信号层，制作分别在第一信号层的半透明膜侧和第二信号层的反射膜侧具有信号坑点的单面读出型两层式光盘，对于这种光盘，从再生磁头靠第一信号层大致垂直地入射读出激光时，适当选定第一信号层厚度、再生磁头的数值孔径或者激光波长，使读出激光最集中的焦点位置设定在中间层内，并均匀化再生第一和第二信号层中各信号坑点时的偏差。
文档编号G11B7/00GK1143800SQ9610680
公开日1997年2月26日 申请日期1996年6月10日 优先权日1995年6月8日
发明者富山盛央, 贵志俊法 申请人:松下电器产业株式会社