306中，形成被配置为向磁介质写入数据的主磁极。在一个实施例中，可以将主磁极定位在来自近场光生成元件的下轨(down-track)方向中。
[0094]在一个实施例中，主磁极、近场光生成元件和波导可以形成在滑块中。
[0095]在操作1308中，被配置为产生激光的激光单元耦合到滑块，该激光单元包括激光谐振器(腔)，该激光谐振器沿平行于光发射的方向具有长度(LI)，该方向例如垂直于滑块的面向介质的表面，平行于滑块的面向介质的表面或沿本领域内的技术人员在阅读本说明书后可以明白的一些其它方向。
[0096]在一种途径中，激光单元利用具有大约3.5的折射率的GaAs或如本领域内的技术人员已知的一些其它适当材料，该适当材料能够产生具有足以帮助磁记录的激光。
[0097]在一种途径中，波导具有非线性形状，该非线性形状具有至少大约30 μπι的曲率半径。在另一种途径中，波导具有激光谐振器的长度的大约1.5倍的长度或更长。并且在另一种途径中，波导包括位于两个线性部分之间的反射元件。
[0098]可以沿垂直于滑块的面向介质的表面的方向具有长度(L2)的滑块中形成主磁极、近场光生成元件和波导的每一个。
[0099]激光谐振器的纵模的间隔等于波导的光干涉周期的整数倍的大约5%范围内。在更优选实施例中，激光谐振器的纵模的间隔可以等于波导的光干涉周期的整数倍的大约2%范围内。
[0100]在另一个实施例中，整数倍选自由下述构成的组:1、2、3和4。
[0101]在另一个实施例中，可以满足nwe *hffG= k *nc.hc，其中，k是整数倍，nwe是波导的平均有效折射率(传播常数)，hwe是波导的长度，η。是激光谐振器的平均有效折射率(传播常数)，并且，h。是激光谐振器的长度。
[0102]在另一个实施例中，波导的平均有效折射率(传播常数)nwe可以是大约2.0，滑块的长度L2可以是大约230 μπι，激光的中心波长λ可以是大约830 μπι，并且激光谐振器的长度比可以是大约130μπι或其整数倍。当长度的值从如上所述的它们的优选值改变时，使用所述的结构的优点减少。因此，优选的是尽可能接近优选值。
[0103]在一个实施例中，一种器件包括激光单元，所述激光单元被配置为产生激光，所述激光单元包括沿平行于激光发射的方向具有长度(LI)的激光谐振器；以及，滑块，所述滑块沿垂直于所述滑块的面向介质的表面的方向具有长度(L2)，所述滑块包括:主磁极，所述主磁极被配置为向磁介质写入数据；近场光生成元件，所述近场光生成元件被配置为当向其提供激光时产生近场光，以在通过加热磁介质的局部区域而向磁介质写入数据时辅助主磁极；以及，波导，所述波导被配置为将激光引导到近场光生成元件，所述波导包括围绕芯的包层。激光谐振器的纵模的间隔等于波导的光干涉周期的整数倍的大约5%范围内。
[0104]应当注意，可以在计算机硬件、软件、手动、使用特种设备等及其组合来整体或部分地实现在此被呈现来用于各种实施例的至少一些的方法。
[0105]而且，对于阅读了本说明书的本领域内的技术人员变得显然，可以使用已知材料和/或技术来实现结构和/或步骤的任何一个。
[0106]虽然上面已经描述了各种实施例，但是应当明白，它们已经仅通过示例而不是限制地被呈现。因此，本发明的实施例的宽度和范围不应当被上述示例性实施例的任何一个限制，而是仅应当根据所附的权利要求和它们的等同物被限定。
【主权项】
1.一种器件，包括: 激光单元，所述激光单元被配置为产生激光，所述激光单元包括沿平行于激光发射的方向具有长度(LI)的激光谐振器；以及， 滑块，所述滑块沿垂直于所述滑块的面向介质的表面的方向具有长度(L2)，所述滑块包括: 主磁极，所述主磁极被配置为向磁介质写入数据； 近场光生成元件，所述近场光生成元件被配置为当向其提供激光时产生近场光，以通过加热所述磁介质的局部区域而在向所述磁介质写入数据时辅助所述主磁极；以及， 波导，所述波导被配置为将所述激光引导到所述近场光生成元件，所述波导包括围绕芯的包层， 其中，所述激光谐振器的纵模的间隔等于所述波导的光干涉周期的整数倍的大约5%范围内。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述近场光生成元件在所述器件的面向介质的表面处包括等腰三角形棱锥形状。
3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述主磁极定位在来自所述近场光生成元件的下轨方向中。
4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述整数倍选自由下述构成的组:1、2、3和4。
5.根据权利要求1所述的器件，其中，满足nwe.hwe= k.η。.h。，其中，k是所述整数倍，n-是所述波导的平均有效折射率(传播常数)，hwe是所述波导的长度，η。是所述激光谐振器的平均有效折射率(传播常数)，并且h。是所述激光谐振器的长度。
6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述波导的平均有效折射率(传播常数)nwe是大约2.0，所述滑块的长度L2是大约230 μπι，所述激光的中心波长λ是大约830 μπι，并且所述激光谐振器的长度h。是大约130 μπι或其整数倍。
7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述激光谐振器的纵模的间隔等于所述波导的光干涉周期的整数倍的大约2%范围内。
8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述激光单元利用具有大约3.5的折射率的GaAs0
9.根据权利要求1所述的器件，其中，所述波导具有非线性形状，所述非线性形状具有至少大约30 μm的曲率半径。
10.根据权利要求9所述的器件，其中，所述波导具有所述激光谐振器的长度的大约1.5倍或更长的长度。
11.根据权利要求1所述的器件，其中，所述波导包括位于两个线性部分之间的反射元件。
12.一种磁数据存储系统，包括: 如权利要求1中所述的至少一个器件； 磁介质； 驱动机构，所述驱动机构用于使所述磁介质从所述至少一个器件上方经过；以及 控制器，所述控制器电耦合到所述至少一个器件，用于控制所述至少一个器件的操作。
13.一种用于形成热辅助磁头的方法，所述方法包括: 形成滑块，所述滑块沿垂直于所述滑块的面向介质的表面的方向具有长度(L2);并且， 将被配置为产生激光的激光单元耦合到所述滑块，所述激光单元包括激光谐振器，所述激光谐振器沿平行于激光发射的方向具有长度(LI)， 其中，所述滑块包括: 主磁极，所述主磁极被配置为向磁介质写入数据； 近场光生成元件，所述近场光生成元件被配置为当向其提供激光时产生近场光，以通过加热所述磁介质的局部区域而在向所述磁介质写入数据时辅助所述主磁极；以及， 波导，所述波导被配置为将所述激光引导到所述近场光生成元件，所述波导包括围绕芯的包层， 其中，所述激光谐振器的纵模的间隔等于所述波导的光干涉周期的整数倍的大约5%范围内。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述近场光生成元件在所述器件的面向介质的表面处包括等腰三角形棱锥形状，并且其中，所述主磁极定位在来自所述近场光生成元件的下轨方向中。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，满足nwe.hwe= k.n c.hc，其中，k是所述整数倍，n-是所述波导的平均有效折射率(传播常数)，hwe是所述波导的长度，η。是所述激光谐振器的平均有效折射率(传播常数)，并且h。是所述激光谐振器的长度。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述波导的平均有效折射率(传播常数)nwe是大约2.0，所述滑块的长度L2是大约230 μπι，所述激光的中心波长λ是大约830 μπι，并且所述激光谐振器的长度hc是大约130 μ m或其整数倍，其中，所述整数倍选自由下述构成的组:1、2、3 和 4。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述激光谐振器的纵模的间隔等于所述波导的光干涉周期的整数倍的大约2%范围内。
18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述激光单元利用具有大约3.5的折射率的GaAs0
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述波导具有非线性形状，所述非线性形状具有至少大约30 μπι的曲率半径，并且其中，所述波导具有所述激光谐振器的长度的大约1.5倍或更长的长度。
20.根据权利要求13所述的方法，其中，所述波导包括位于两个线性部分之间的反射元件。
【专利摘要】本发明涉及一种抑制跳模的影响的热辅助磁记录头。在一个实施例中，一种器件包括激光单元，所述激光单元被配置为产生激光，所述激光单元在平行于激光发射的方向中具有长度的激光谐振器；以及，滑块，所述滑块在垂直于滑块的面向介质的表面的方向中具有长度，所述滑块包括：主磁极，所述主磁极被配置为向磁介质写入数据；近场光生成元件，所述近场光生成元件被配置为当向其提供激光时产生近场光，以在通过加热磁介质的局部区域而向磁介质写入数据中辅助主磁极；以及，波导，所述波导被配置为将激光引导到元件，波导包括围绕芯的包层，其中，激光谐振器的纵模的间隔等于波导的光干涉周期的整数倍的大约5％内。
【IPC分类】G11B5-127
【公开号】CN104810027
【申请号】CN201510040982
【发明人】宫本治一
【申请人】Hgst荷兰有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年1月27日
【公告号】DE102015000956A1, US8908481