一种用于读取电子熔丝的参考单元的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一用于读取电子熔丝的参考单元。
【背景技术】
[0002]现有技术中在读取电子恪丝的时候会采取一个unsalicide poly(多晶娃材质，在多晶硅上无金属生长层)的电阻作为参考单元，而每一个电子熔丝对应一个参考单元和一个差分电路。通过差分电路比较电子熔丝和参考单元电阻的大小而显示“0”/ “I”状态的区分。
[0003]一个电子熔丝对应一个参考单元会导致芯片的面积非常大。工业通常的做法是将电子熔丝分成几个模块，每个模块对应一个参考单元，通过该方法，大大减小了芯片的面积。
[0004]一般的，电熔丝阵列包含了上千个电子熔丝，任何一个电子熔丝出现坏死都会导致整个阵列不可用。而电子熔丝的好坏又是与参考单元决定的。所以一个稳定的可靠的参考单元，能够有效的提高整个电熔丝阵列的可靠度。
[0005]因此，如何能在尽量减小芯片面积同时使尽可能提高参考单元对电子熔丝缺陷的容忍成为本领域技术人员面临的一大难题。
【发明内容】
[0006]鉴于上述问题，本发明提供一种读取电子熔丝的参考单元，通过将由若干依次串联的电阻构成的行单元并联构成参考单元，并在整个芯片上利用一个上述参考单元对芯片上所有的电子熔丝进行读取操作，该技术方案具体为:
[0007]一种用于读取电子熔丝的参考单元，所述参考单元与连接有电子熔丝的比较单元连接，所述参考单元包括若干并联的行单元:以及
[0008]每个所述行单元均包括依次串联的若干电阻；并且
[0009]所述比较单元通过比较所述电子熔丝与所述参考单元之间电阻值的大小，以对所述电子熔丝进行读取操作。
[0010]作为优选的实施例，上述的参考单元中:
[0011]所述电子熔丝为由若干电子熔丝单元组成的阵列，且每个所述电子熔丝单元均分别与所述比较单元连接，以对每个所述电子恪丝单元进行所述读操作。
[0012]作为优选的实施例，上述的参考单元中:
[0013]所述参考单元包括由若干所述电阻组成的方阵。
[0014]作为优选的实施例，上述的参考单元中:
[0015]所述方阵中每个所述行单元均包括4?20个所述电阻。
[0016]作为优选的实施例，上述的参考单元中:
[0017]每个所述电阻的材质均为多晶硅。
[0018]作为优选的实施例，上述的参考单元中:
[0019]任意两个所述电阻之间的阻值均相同。
[0020]作为优选的实施例，上述的参考单元中:
[0021]每个所述电阻的阻值为为1800ohm?2100ohm。
[0022]上述技术方案具有如下优点或有益效果:
[0023]本发明提供一种读取电子熔丝的参考单元，通过若干大小相同的多晶硅材质的电阻构成一个N行N列电阻的方阵的参考单元，该参考单元与由若干电子熔丝单元组成的电子熔丝连接，有效增加了参考单元对电阻缺陷的容忍度，从而提高了产品的良率，同时，参考单元的电子的稳定性增强，从而更容易测出失效的电子熔丝，从而提高产品的可靠性。
【附图说明】
[0024]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、夕卜形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
[0025]图1是本发明实施例中参考单元结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]参照图1，本发明的一种用于读取电子熔丝的参考单元的结构示意图，参考单元与连接有电子恪丝的比较单元连接，参考单元包括若干并联的行单元。
[0027]其中，每个行单元均包括依次串联的若干电阻1，行单元的电阻通过金属连接线2串联，行单元与与其相邻的行单元直接通过绝缘层3隔绝；并且比较单元通过比较电子熔丝与参考单元之间电阻值的大小，以对电子熔丝进行读取操作。
[0028]优选的，电子熔丝为由若干电子熔丝单元组成的阵列。
[0029]优选的，参考单元为由若干所述电阻组成的方阵。
[0030]优选的，每个行单元中电阻的数目为4?20个(例如4个、8个、12个、20个等)，在本实施例中选择8个，及8行8列电阻组成的电阻阵列。
[0031]优选的，电阻的材质为多晶硅，即在多晶硅表面无金属生长层。
[0032]优选的，所述电阻的阻值相同，其大小为1800?2100hm (例如，1800ohm，1900ohm，2000ohm，2100ohm)，在本实施例中，选择组成阵列的电阻大小为2000ohm。
[0033]每个电阻的大小为2000ohm，假设由于缺陷及其他原因，其中一个电阻的阻值扩大了 100倍，即阻值有由原来的2000ohm变成200000ohm。
[0034]由于一行单元中电阻是串联的关系，则一行单元的电阻R等于该行单元的每个电阻相加得到的和，假设一行单元由Rl，R2…Rn组成，则一行单元的电阻R = R1+R2+R3+…+Rn，其中，R表示该行单元的总电阻，而Rl，R2，R3，…Rn代表该行单元中第一个，第二个，第三个…第η个电阻的阻值。
[0035]由于组成电阻阵列的多个行单元之间是并联的关系，用计算公式1/R = 1/R1+1/R2+1/R3+-+1/Rn，其中该式中的R代表参考单元的电阻，R1，R2…Rn分别代表第一行单元，第2行单元，第三行单元…第η行单元的总电阻。
[0036]通过上述两个公式计算得出，该参考单元的电阻为2262ohm。由此可以看出，当其中一个电阻变化，即使变化很大时，对整个参考单元影响也不大，无疑增大了参考单元对缺陷的容忍度，即通过该参考单元决定的电子熔丝阵列具有更高的稳定性。
[0037]组成该参考单元的基本单元是单个多晶硅材质电阻，而每个电阻在设计上是相同的，及材质、大小均相同，整个芯片采用一个参考单元，所占的面积对于整个芯片来说可以忽略不计。
[0038]值得注意的是，本发明所述的参考单元适用于至少由2行2列电子熔丝单元组成的电子熔丝，对于一个电子熔丝对应一个参考单元的产品不适用。
[0039]综上所述，本发明公开了一种读取电子熔丝的参考单元，通过若干个大小材质均相同的电阻串联组成一行单元，并利用该若干个行单元并联以组成一个参考单元，通过本技术方案，提高了参考单元的稳定性，增加了参考单元对于缺陷的容忍度，从而提高了良率；同时，由于参考单元的稳定性得到增强，更有利于测试出出现故障的电子熔丝，从而提尚广品的可靠性。
[0040]本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例，在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
[0041]以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种用于读取电子熔丝的参考单元，其特征在于，所述参考单元与连接有电子熔丝的比较单元连接，所述参考单元包括若干并联的行单元:以及 每个所述行单元均包括依次串联的若干电阻；并且 所述比较单元通过比较所述电子熔丝与所述参考单元之间电阻值的大小，以对所述电子熔丝进行读取操作。2.如权利要求1所述的参考单元，其特征在于，所述电子熔丝为由若干电子熔丝单元组成的阵列，且每个所述电子熔丝单元均分别与所述比较单元连接，以对每个所述电子熔丝单元进行所述读操作。3.如权利要求1所述的参考单元，其特征在于，所述参考单元包括由若干所述电阻组成的方阵。4.如权利要求3所述的参考单元，其特征在于，所述方阵中每个所述行单元均包括4?20个所述电阻。5.如权利要求1所述的参考单元，其特征在于，每个所述电阻的材质均为多晶硅。6.如权利要求1所述的参考单元，其特征在于，任意两个所述电阻之间的阻值均相同。7.如权利要求6所述的参考单元，其特征在于，每个所述电阻的阻值为ISOOohm?2100ohm。
【专利摘要】本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一用于读取电子熔丝的参考单元，通过若干个大小材质均相同的电阻串联组成一行单元，并利用该若干个行单元并联以组成一个参考单元，通过本技术方案，提高了参考单元的稳定性，增加了参考单元对于缺陷的容忍度，从而提高了良率；同时，由于参考单元的稳定性得到增强，更有利于测试出出现故障的电子熔丝，从而提高产品的可靠性。
【IPC分类】G11C17/16
【公开号】CN104882167
【申请号】CN201510299007
【发明人】黄雪靑
【申请人】武汉新芯集成电路制造有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年6月3日