道上写时大的计数增加数。从而，写计数管理部62在通过脱离磁道管理部61判定脱离磁道写的产生的情况下，以比相加于脱离磁道写产生前的写计数数的计数增加数大的计数增加数进行计数。
[0035]在本实施方式中，写计数管理部62按每磁道组预先设定相应于状况的几个计数增加数。例如，写计数管理部62在磁道上写时和脱离磁道写时设定不同的写计数增加数。此时脱离磁道写时的写计数增加数比在磁道上写时的写计数增加数要大。在此以下，将向在磁道上写时的写计数数相加的值称为在磁道上写计数增加数(第I计数增加数)，并将向脱离磁道写的产生时的写计数数相加的值称为脱离磁道写计数增加数(第2计数增加数)。例如，在头进行在磁道上写的情况下，写计数管理部62对写计数数以在磁道上计数增加数进行计数。同样地，在头进行脱离磁道写的情况下，写计数管理部62对写计数数以脱离磁道写计数增加数进行计数。并且，在脱离磁道写产生后再次向在磁道上状态返回而进行在磁道上写的情况下，写计数管理部62对写计数数以在磁道上写计数增加数进行计数。在此，在磁道上写计数增加数及脱离磁道写计数增加数可以为固定值。例如，在磁道上写计数增加数为1，脱离磁道写计数增加数为200。在磁道上写计数增加数及脱离磁道写计数增加数保存于非易失性存储器70及易失性存储器80，相应于处理通过写计数管理部62而参照。
[0036]还有，写计数管理部62既可以在每次产生脱离磁道对写计数数以脱离磁道写计数增加数进行计数，也可以在脱离磁道写超过阈值的情况下，例如在多次产生的情况下对写计数数以脱离磁道写计数增加数进行计数。
[0037]并且，虽然在磁道上写计数增加数及脱离磁道写计数增加数为固定值，但是也可以为变动值。而且，写计数管理部62也可以相应于相对于目标磁道的脱离磁道量而在脱离磁道写计数增加数进行加权。例如，在脱离磁道写产生的情况下，写计数管理部62也可以相应于相对于目标磁道的脱离磁道量，进行使相对于脱离磁道量越大越为脱离磁道写的磁道组的脱离磁道写计数增加数逐次增加10的处理。
[0038]数据刷新阈值管理部63对用于按每磁道组实行数据刷新的写计数阈值(数据刷新阈值)进行管理。在本实施方式中，数据刷新阈值可以是按每磁道组预先在制造工序内确定的固定值。数据刷新阈值管理部63将每磁道组的各数据刷新阈值保存于非易失性存储器70及易失性存储器80而进行管理。数据刷新阈值管理部63对保存于非易失性存储器70或易失性存储器80的数据刷新阈值适当进行更新。还有，数据刷新阈值也可以记录为相应于沿着相对于目标磁道的半径方向的值。即，数据刷新阈值管理部63也可以相应于对偏移方向相对于目标磁道是内周方向还是外周方向进行判别的结果，对数据刷新阈值进行管理。
[0039]数据刷新阈值管理部63在各磁道组的写计数数成为数据刷新阈值以上的情况下，在数据刷新控制部64进行指示使之实行数据刷新。
[0040]数据刷新控制部64进行关于数据刷新的控制。数据刷新控制部64按照来自数据刷新阈值管理部63的指示，实行数据刷新。
[0041]非易失性存储器70例如为可以改写的闪速存储器等，对在MPU60的处理所需的程序及参数进行存储。非易失性存储器70对数据刷新阈值管理表(阈值管理表)71进行存储。即，非易失性存储器70对通过阈值管理表71产生的每磁道组的数据刷新阈值及写计数数进行保持。而且，非易失性存储器70保持对在对写计数数进行计数时应用的在磁道上计数增加数的值和脱离磁道写计数增加数的值进行保持。阈值管理表71通过设置于MPU60的数据刷新管理部63而管理。S卩，阈值管理表71从非易失性存储器70加载于易失性存储器80，通过由MPU60实行的固件而更新。
[0042]图2是表示关联于本实施方式的阈值管理表71的一部分的图。如所述地，数据刷新管理表71对写计数数和/或数据刷新阈值等按每磁道组进行登记而管理。在图2中，各磁道组以组编号(1、2、3、4)表示，写计数数对应于组编号而表示为C1、C2、C3、C4。数据刷新阈值为按用于实行数据刷新的每磁道组设定的写计数数的阈值。数据刷新阈值相应于磁道组的个数而设置，通过MPU60而参照。数据刷新阈值为预先确定的固定值，按每磁道组在程序上任意地设定。数据刷新阈值例如既可以在全部磁道组为同一值，也可以为不同的值，也可以为沿着按照磁盘11的半径方向的方向而加权的值。在图2中，数据刷新阈值按每磁道组以Nthl、Nth2、Nth3、Nth4表示。例如，在脱离磁道写产生的情况下，数据刷新阈值Nthl、Nth2、Nth3、Nth4作为数据刷新阈值通过MPU60而参照。
[0043]易失性存储器80对在MPU60的处理所需的数据进行存储。例如，易失性存储器80为随机存取存储器(RAM)，对控制程序(包括控制数据的固件)、写计数数及阈值管理表71进行加载。还有，易失性存储器80也可以对每磁道组的数据刷新阈值及写计数数暂时性地进行保持。
[0044]缓冲存储器90连接于缓冲控制部54。缓冲存储器90对从缓冲控制部54送来的数据进行存储，并相应于来自缓冲控制部54的控制指示，将存储的数据送到缓冲控制部54。还有，缓冲存储器90也可以配置于易失性存储器80内。
[0045]主机系统100例如为个人电子计算机、包括于服务器的SATA (Serial ΑΤΑ)规格及SAS (Serial attached SCSI)规格等的接口控制器。
[0046](第I实施方式涉及的数据刷新的处理方法的效果)
[0047]参照图3及图4关于关联于本实施方式涉及的数据刷新的处理方法的效果进行说明。
[0048]图3是表示反复写次数与错误率的关系之一例的图。在图3中，横轴为反复写次数(写计数数)，纵轴为错误率。通过在规定的扇区反复写入(反复写)和脱离磁道写，消去(擦除)写入的数据的相邻及周边磁道的数据的一部分。在擦除数据的一部分的磁道的读中，错误率变高(例如，劣化)。若超过规定的错误率，则在通过读头15R进行读时会产生读错误。在图3中，虚线DL表示产生读错误的错误率的阈值。曲线LI表示脱离磁道写的产生率为0%的情况下即对在磁道上进行维持而进行写的情况下的错误率的变迁。曲线L2表示脱离磁道写的产生率为5%的情况下的错误率的变迁。曲线LI与曲线L2比达到虚线DL的写次数要大。S卩，比在磁道上状态下进行反复写的情况，产生脱离磁道写而进行反复写的情况一方以少的反复写次数到达读错误的产生的阈值DL。S卩，随着脱离磁道写的产生率变高，早期地到达产生读错误的反复写次数的阈值。
[0049]图4是表示相对于磁道组的实际的写次数和用于数据刷新实行的写计数数的关系之一例的图。在图4中，横轴表示实际的写次数，纵轴表示用于早期地实行数据刷新而附加权重的写计数数。
[0050]在图4中，L3表示在磁道上写时的写计数数(第I数据刷新写计数)的变化。在该L3中，因为未产生脱离磁道写，所以相对于实际的写次数而写计数数以相同的值变化。艮P，L3存在写次数与写计数数连续地变化的关系。
[0051]另一方面，L4表示在写中产生脱离磁道写的情况下的写计数数(第2数据刷新计数)的变化。在该L4中，因为产生脱离磁道写，所以相对于实际的写次数而写计数数以不同的值变化。即，L4存在写次数与写计数数非连续地变化的关系。在L4中，相应于脱离磁道写的产生，写计数数比L3更快地增加。例如，写计数管理部62对写计数数进行管理，使得在每次产生脱离磁道写200多地进行计数。
[0052]在图4中，空闲刷新(Idle refresh)表示在空闲模式下的数据刷新，强制刷新(Forced refresh)表示在强制模式下的数据刷新。在此，空闲模式为完成对应于来自主机系统100的指令的处理并等待下一指令的待机模式。并且，强制模式为随着对应于写指令的处理而进行数据刷新的模式。空闲刷新中，写计数数按2000而实行；强制刷新中，写计数数按4000而实行。在L3中，空闲刷新相对于写计数数